中国光刻机发展史

我国光刻机发展信息

国产光刻机能实现零的突破，长电科技功不可没

2010年7月16日下午，上海微电子装备有限公司（简称“SMEE”）和江阴长电先进封装有限公司（简称“JCAP”）在江苏省江阴市联合召开了“首台先进封装光刻机使用现场汇报会暨SMEE与JCAP战略合作协议的签约仪式”会议。科技部、国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”实施管理办公室和总体专家组、专项咨询委、上海市科委、江阴市府等单位的领导出席了会议，科技部曹健林副部长等领导做了重要讲话。

随着集成电路产业的发展，高端芯片的集成度已经达到数千至数亿晶体管，推动着芯片封装技术向更高密度、更高性能发展，使基于凸点工艺的封装成为主流技术，对封装光刻机的性能也大幅提高，传统的接近/接触式光刻机已不能满足高性能、高密度、低成本等先进封装工艺发展需求，先进的大视场、大焦深、高精度投影光刻机成为先进封装生产线的关键设备。为了改变该类先进封装光刻机完全依赖进口局面，上海微电子装备有限公司在国家科技重大专项和上海市科委等部门的支持下，成功开发出了用于倒装焊凸点制备的先进封装光刻机。该机型具有自主知识产权，在投影物镜、高精密的工件台、对准调焦测量、软件系统等关键技术上取得了系列创新成果，申请了国家发明专利74项，已获国家发明专利授权22项，申请国际发明专利3项。

2009年9月下旬，上海微电子装备有限公司研发的先进封装光刻机通过了江阴长电先进封装有限公司的出厂工艺测试，并正式签订了产品销售合同。该光刻机具有“大视场、大焦深、高套刻精度、边缘曝光”等技术特点，可满足先进封装工艺中8英寸及12英寸硅片级重新布线凸点等厚胶工艺要求。自2009年11月上生产线运行以来，江阴长电利用该设备已成功完成第一批8英寸“重新布线及凸点工艺”产品的多层光刻生产任务。

国产首台先进封装光刻机的研制成功与使用，标志着我国在高端封装关键设备产品创新与开发中取得了可喜突破，对提升我国集成电路制造装备、工艺及材料技术的自主创新能力具有重要意义。

2010年7月16日下午，上海微电子装备有限公司（简称“SMEE”）和江阴长电先进封装有限公司（简称“JCAP”）在江苏省江阴市联合召开了“首台先进封装光刻机使用现场汇报会暨SMEE与JCAP战略合作协议的签约仪式”会议。科技部、国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”实施管理办公室和总体专家组、专项咨询委、上海市科委、江阴市府等单位的领导出席了会议，科技部曹健林副部长等领导做了重要讲话。

随着集成电路产业的发展，高端芯片的集成度已经达到数千至数亿晶体管，推动着芯片封装技术向更高密度、更高性能发展，使基于凸点工艺的封装成为主流技术，对封装光刻机的性能也大幅提高，传统的接近/接触式光刻机已不能满足高性能、高密度、低成本等先进封装工艺发展需求，先进的大视场、大焦深、高精度投影光刻机成为先进封装生产线的关键设备。为了改变该类先进封装光刻机完全依赖进口局面，上海微电子装备有限公司在国家科技重大专项和上海市科委等部门的支持下，成功开发出了用于倒装焊凸点制备的先进封装光刻机。该机型具有自主知识产权，在投影物镜、高精密的工件台、对准调焦测量、软件系统等关键技术上取得了系列创新成果，申请了国家发明专利74项，已获国家发明专利授权22项，申请国际发明专利3项。

2009年9月下旬，上海微电子装备有限公司研发的先进封装光刻机通过了江阴长电先进封装有限公司的出厂工艺测试，并正式签订了产品销售合同。该光刻机具有“大视场、大焦深、高套刻精度、边缘曝光”等技术特点，可满足先进封装工艺中8英寸及12英寸硅片级重新布线凸点等厚胶工艺要求。自2009年11月上生产线运行以来，江阴长电利用该设备已成功完成第一批8英寸“重新布线及凸点工艺”产品的多层光刻生产任务。

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国产首台先进封装光刻机的研制成功与使用，标志着我国在高端封装关键设备产品创新与开发中取得了可喜突破，对提升我国集成电路制造装备、工艺及材料技术的自主创新能力具有重要意义。

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