桥式电机驱动器电路周
桥式电机驱动器电路周
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H型桥式电机驱动器电路周 ,,I J前、.。,
如果表面安装产品设计师
意味着在开关电路中可以降低功一—
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需要高于几百毫安电流的话,耗,同样也提高了可靠性和节省就不得不采用体积较大的穿器件或是 L P B面积 C
PP l N2【一一
价格较高的 S 8, OT2 3 l P OT 9 S 2, D— AK f J
这些特性以及高的h值和开
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封装的表面安装晶体管。系列 N N,P P NP双极性晶体管的推出,
关速度.使得这个系列成为理想的驱动、明驱动、示驱动、源照显电一
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随着Zt MMT 1和F e xF e 78 MMT 1开关器件,如 D— c转换、 79 CD电机S OT2 3封装器件也可以驱动峰值电流开关、冲器等等这些晶体管同缓
达到6工作电流达, 2 A的负载了。时也适合于各种线性应用场合, A. f . l5 J 因这些 S p r OT器件具有很多优为 S p rOT设计获得的低基极电 u eS u eS点,如显著提高电路效率,省器件阻导致优异的低噪声性能。面介例节下数量和空间,提高可靠性。可以说,这绍采用此种器件的 H型桥式电机些最先进器件的性能超过了现有的所有驱动电路。 S OT2器件和许多 S 8 3 OT 9及 S OT2 3 2器件。 F MT68 78主要参数见表 1 M 1/1的。 H型桥式驱动器有着广泛的应用,如磁盘驱动、点钞机、汽车电 T—— 一… 。 ~。
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囝,型靖虐税塑俑 , T I T ”‘ . f i一’一 一‘ F T8  ̄ 7 A1 M
首先注意到的是这些 S OT2 3晶体子、伺服系统、玩具等
管可以用于 6 5 2 mW一一大致为标准等这种驱动器在单电S OT2封装产品的 2实现这种功耗源情况下可以提供双向 3倍水平的方法是使用一种专门设计的条输出一一由逻辑 I微
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带这样在给定功耗条件下,Z t的 ee 控制器进行控制。它通 xl2"
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器件的温度要低,提高了可靠性,又既
体管所有晶体一。。 体
可以节省 P B面积。 C
管都是发射极接地(图1。见 )如果接通
一对晶体管则使负载上的电压方向相反。 H型桥式晶体管常常要求附加的集电极一射极保护二极管,防止负载发以电机可能产生的瞬态电流和反馈电流损坏晶体管。
第二.器件的饱和压降 B 低于个 NP V N晶体管和对角线的 P NP晶体管目前市场上的任何 S 2 OT 3器件和很多 (如 NP和 P,比 N, NP),则实际上所有的其他厂商的S OT8和 S 9 OT2 3件。 2器这外加电压都将加到电机负载上。通另接
表 1N N和 P P u eS T系列的主要参数 P N S p rOS p r OT系列 ueS极性B Vr m 2 V O 5 V O
在电池供电的情况中.
N N Pl5 2 V lO 5 V 2 V O 4 V 0
P P N7 V 0 l0 O V
关键是使电源电压尽可能全部通过负载以便通过提高,
FM M T6 8 FM M Tl 9 M M T6 4 M M T6 5 M M T7 8 1 6 F l 2 F 2 F l FM M T7 0 2 FM M T7 2 FM M T2 2 3
效率和使最低可用电压减小来延长电池寿命,图 2示所的桥式电路可以提供 1 A的 5.
LC N OT MA hX典型 h F E@L典型 V E 1 c()
2A . 5 6 A 40 53o 6 2 Al0 3 mV
2 A 6 A 40 525 2 2 Al0 5 mV
l A 3 A 40 51 4 0 l Al5 V 6m
l A 3 A 40 54 5 l Al0 8 mV
1A . 5 6 A 40 520 3 1A . 515 4 mV
1A . 5 4 A 40 520 9 l A25 4 mV
1A . 5 3 A 40 525 7 l A10 4 mV
l A 2A . 5 40 520 5 l A2O l mV
负载电流。过基极电阻就通可以很容易的调整电流
(对
@L nP .
2A . 5
2 A
l A
l A
1A . 5
1A . 5
l A
l A
P, I设定到最大电流 NP将的 1 B0对 N PN管 T沿 /
65 2 mW
65 2 mW
65 2 mW
65 2 mW
65 2 mW
65 2 mW
651 2 nW
65 2 mW
测试环境:1 1 0 5 5 . mm陶瓷表面 6… .
110/0)。
电流 (下页 )转口田
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桥式电机驱动器电路周
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话音带通滤波数据采集电路图由E2M运 O3 1 O样 1微电功放是3源率 P7位 S A型 C取 2单微和带 30到 3 Hz 0 Hz k。
图 1中的 OPA2 3 E是 Bu— 3 7 r r
图 1的 AD 72中 S 8 2是一种 1微 2位
D B o公司的一种微型封装 ( OT一 3功率取样 A/变换器,封装为微型 rwn S 2—
) 2V 5 . 5 OP 8 A/变换器 ADS 8 2构成的话音带通 8、单电源 ( .~5 V)工作、高速 M S一,单电源工作,串行输出。 D 72 ( M H Z 12/ S、高开环增益 3、 .V )此数据采集电路对于空间限制和滤波数据采集电路。数据采集电路为此低功率、电源 ( 2 V~5、话音通 (2 d、低静态电流 (2 - a )单+. 7 V) 10 B) 55p A/ mp的 CM0S双运放:
低功应用是率来说理想的。◆
图 1低功率单电源话音带通滤波数据采集电路
.(一接上页) 1A时,无论 N N或时,桥路晶体管的 h变 -为 . 5 PP管的饱和压降都仅为 0 V,流更得更加重要,为基极驱 NP .电 3因小时,饱和压降将再降低一半。平,F MT 1/ 1可以提高电机的性 M 6 8 78
动损耗与电源电压有关。 较高,而可以使损耗达因到最小并节省 P CB空间以上两个 H型桥式电路都可以由逻辑电路直
通过低饱和损耗和低基极驱动电 F M T6 8 7 8的 h值 M 1/ 1 能和寿命。为它们的反向h因足够高,
能够导通反馈电流和瞬态电流,通常不和成本。 再需要并联
保护二极管。使用体积小的S OT2 3封装和少的器件数量意味着减
少P CB的面积和降低成本。
接驱动,虽然在负载为过了多数 S OT8方案和许多 S 2 3 9 OT 2器
对工作电压较高的电机,制逻辑 1 A时,图 2路要求逻辑电路的输出控 . 5电电路很少能够直接驱动 P晶体管。 NP在较高 (够达到 3 mA)如果逻辑电路能 0。图3示的电路中加入了一对通用 NP 无法做到这一点,用图 3示电路提 所 N使所管作为缓冲/动管。电源电压增加供的解决方案不仅比较经济,能也超驱当性
件的电◆ 组成路。(道斌 )周
4电子产品世界 1 9 4 9年7E 9, l
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