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MRF150在短波固态线性功放中的应用

来源:网络收集 时间:2026-01-22
导读: MRF150在短波固态线性功放中的应用 维普资讯 http://www.77cn.com.cn 器件应用 《子技术》2 0电 0 4年第 7期 MR 0在短波固态线性功放中的应用 F5 1中国矿业大学信电学院信息工程系 ( 2 0 8)郑晓红 2 10 江苏扬州通信设备有限公司 ( 2 0 3 刘桂林武学强 250 )

MRF150在短波固态线性功放中的应用

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器件应用

《子技术》2 0电 0 4年第 7期

MR 0在短波固态线性功放中的应用 F5 1中国矿业大学信电学院信息工程系 ( 2 0 8)郑晓红 2 10 江苏扬州通信设备有限公司 ( 2 0 3 刘桂林武学强 250 )摘要关键词文章介绍了 Mo rl公司 MR 10的工作参数和特点,给出了由 MR 10组成的一款 2 0 t oa o F5 F5 0W宽带功率放大器静态电流以稳压集成电路 D1要选择合适。通过试验证明选择廉价的 7 L 5就可以满足要求。当然也可以采用独立 80

推挽式射频功率放大器的具体电路,并对该电路设计和工艺进行了详细分析和介绍。

随着大功率场效应管的发展,设计制作宽带大功率放大器更容易实现。因为场效应管不仅提供了更稳定的阻抗变化特性,而且它具有较好的热稳定特性和抗辐射能力。尤其是应用在推挽设计中,可以获得比较好的谐波抑制和线性。

偏置电源给稳压集成电路供电的方式,来保证偏压的稳定。

考虑到场效应管随温度变化的特性,需要保证场管的静态工作电流稳定。设计使用负温电阻 R、R 5 8

1 MR 1 O技术性能 F5MR 10是 Mo rl F5 t oa公司开发的 10线性、N o 5W 沟道增强型 MO场效应管。它的工作频段为 2 M S . 0

来补偿静态电流控制。负温电阻的安装要靠近场管的盘缘,一般可以在靠近盘缘的散热铜板处打孔,放入负温电阻。

15 z有高的谐波抑制能力。 F 5 7MH, MR 10的主要极限参数如表 1列。所

在电容 C、C 2 6隔离作用下,两个场管的栅极偏压可独立调节 (调节 R 1 P ) P、R 2。以使两个场管的工作特性很好的匹配。当电路异常时,由于驻波过大, 功放可能被烧坏,供电电源 4 V可能反馈到栅极,此 8时D 2反相截止,从而保护 D1稳压电路的安全。 调节 R 1 P P、R 2可以调节场管的静态电流。具体办法是先断开 1点与场管 V1的连线,调节 R 2 P获得场管 V 2所需的静态电流,调节时用数字电流表监测

表 1 MR 1 0的极限工作参数 F5参量漏.极电压源漏.极电压栅栅.极电压源漏极连续电流符号 V S DS V G D O V GS I D最大值单位 15 2 15 2±4

0 1 6 30 0 11 . 7 V V V A W W/  ̄ C

器件总功耗 ( c 2 * T= 5C) P D大于 2℃, 5每升高一度降低等级一 一

工作电源 4 V的电流,典型值为 5 m 8 0 A,然后连接 1 点与场管 V1的连线,再调节 R 1电流加倍。这样 P使两个场管的静态电流相等,匹配特性也很接近。当然在调试过程中对电路进行焊接操作时要关闭工作电源才可以。 22信号通路 .

存储温度范围结点工作温度

Tt一 5 10℃ s g 6 ̄+ 5 T J 20 0℃

2应用电路图1所示是使用 MR 10 F 5制作的推挽式短波宽带线性放大器电路原理图。的工作频段为 2 0 z它 ̄3MH,

图 1的功率放大器输入、输出阻抗设计成标准的 5 Q。场管 V1 2输入级栅极到栅极的典型阻抗为 O、V

输出功率为 20+lB ( E ) 0W d P P,偶次谐波抑制大于2d 5B,而奇次谐波的抑制大于 1d 5 B。 21直流偏压电路 .

1.输出级漏极到漏极的典型阻抗为 2Q。 2 Q, 5 5采用普通的宽带变压器实现场管输入、输出阻抗的匹配,虽然在高频信号情况下,分布电容和漏感的影响,普通宽带变压器的带宽有限,不过通过实际试验,结果表

图1中场管 MR 10(、V )的偏压电路,由 F 5 V1 2工作电源 4 V经过稳压集成电路 D1 8稳压输出,再经过电阻分压网络加到场效应管 V1 V的栅极和源极。、2

明这种方法在短波段是完全可行的。传输时变压器T、T 1 3都要承受一定的功率,比较而言 T 3承受功率

考虑到功放工作时,主电源可能会影响偏压电路,所5 6

较大,设计上也比较重要。因为一般为了改善变压器中国传感器 h o/ v s n o.o c n: ̄ w.e s r m.n/ c

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电子技术》2 0 0 4年第 7期

器件应用

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l 1- 丰—I J l 3 3o}=图1 2 0 z  ̄3 MH放大器电路图

高、低端的频率特性,都采用高导磁率的磁芯。但是

变压器,这样阻抗变压器匝比应该设计成 2:。设计 1

高导磁率的磁芯容易饱和。因此在满足高、低端的频率特性要求的情况下,尽量选择合适的磁芯。折中考虑一般选择高居里点的 N O 0镍锌软磁铁氧体磁环 X 4制作匹配变压器。在功率等级要求较高时,可以用多个磁环组合。普通变压器一般都用来实现 1: ( N N为整数 )的阻抗变换器。实际中在满足传输特性要求下,初级和次级可以选择不同的匝数,来实现非标准的阻抗变换。例如本设计中的 T就是用 5匝: 3 7匝, 实现 1 2的阻抗变换器。图 2出了 T的具体制作:给 3材料和俯视图。

中初级是 2匝,用高频电缆线的芯组成的,次级是 2 匝,用高频电缆线的外层绕制而成。 为了使功率放大器在整个 2 M ̄3MH 0 z范围内工作稳定,控制功放在设计指标的频带内功率增益相对平坦,采用负反馈是比较理想的选择。一般的负反馈网络都是在串联电阻、电感、电容组成,本设计采用 变压器 T、 9 R 0组成的电路来实现。这样做的好 2 R、 1处是 T既可以提供反馈信号,又可以承担高频扼流 2圈的作用。电阻 R、 1 9 R 0用来限制反馈电压数量等级。在负反馈加入后,输入匹配网络后级,就被加入反馈

相位电压。这样不会影响功率管的输入阻抗,但是会降低输入匹配网络的负载阻抗。同时在低频时功率管的输出会出现附加负载,在这里输出阻抗较大,但是电抗性比较小。所以上面的阻抗变压器设计和功率放大管输入、输出阻抗设计时也考虑到了这里的因素。普通阻抗变压器的分布电感和分布电容会影响功

放传输的频率特性,设计中采取下面的补偿办法。增图2变压器示意图

加 C1 5补偿优化低端的驻波比,高端的优化通过、C

T上承受的功率大概在 5 5 1~1W。可以采用高导磁率的铁氧体磁环来绕制 (本设计采用 N 0 XO 0镍锌 1软磁铁氧体磁环 )。输入级需要 5f和 1. Z的匹配 0Z 2f 5中国传感器 h p/ w . n o.o c n:w ws s r m. 7/ e c r

C来实现。 9放大器场管设计本身会导致低电平寄生振荡的发生。最坏情况下,在闭环工作条

件时场效应管会立刻被毁坏。预防这种情况发生的方法是通过串联57

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电子科技

《电子技术 2 0 0 4年第 7期

基于模糊神经网络的粗纱机电气控制系统天津工业大学计算机与自动化学院 ( 0 10 李洪媛 306 )摘要关键词

杨公源

文章在现有的纺织机械电气控制系统中,引入了一种模糊神经网络控制器,利用神经网络控可编程逻辑控制器模糊神经网络算法控制器

制器的自学习能力来获得精度、速度及稳定性都较高的控制系统,从而提高了出纱速度和质量。

由于电子计算机技术、变频调速技术在纺织机械中的应用,对于粗纱机性能方面,国内外作了许多研究,并取得了巨大进展。P C使用简单,功能强大, L

及数学模型不太清楚的对象都可以取得较好的控制效果 …… 此处隐藏:3261字,全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……

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