上海永大电梯故障分解1(3)
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29: TCD 29:主 MICON E2PROM ERROR RANK:A1含 义 : 防 止 电 梯 运 转 制 用 规 格 仕 样 TABLE 不 正 确 , 导 致 电 梯 运 转 异 常 。 主 MICON 之2
E PROM(U49-AT28C16),由主 MICON 每 20ms CHECK SUM 一次,SUM ERROR 时异常检出,电梯 运转禁止。2 说明: 2 说明:E PROM 中存放之资料为重要之仕样值,有可能因外部杂讯,NOISE 等种种因素,而变更 E PROM
中之资料,造成电梯之误动作,因此,E2PROM 中之资料再确定是非常重要之事。2 调查项
目: 调查项目:1.请检查 E PROM(U49-AT28C16)有关线路及零件是否正确。
2.第 1 项正常,请重新 DOWN LOAD 主 MICON 仕样 TABLE。 3.以上两项正常,请更换 MPU PCB。
30: TCD 30:主 MICON NVSRAM ERROR RANK:A2含义: 主 由主 MICON 每 40ms CHECK SUM 一次, ERROR SUM 含义: MICON 之 NVSRAM(U26 MPU PCB 上之 4E 位置), 时异常检出,电梯运转禁止,提高制御系统的信赖性。 说明: 说明:主 MICON 的 NVSRAM(U26-DS1644)是一颗内含有可使用 20 年之电池,及 RAM 的 IC,在之电梯 上,储存的资料很重要,其储存之资料大致如下: (a)各楼之阶高值。 (b)停电资料之记录。 (c)万年历。
及各项重要讯息,一旦损坏有可能电梯会不正常。所以 NVSRAM 之 SUM CHECK 变得非常重要。 调查项目: 调查项目:1.请检查 NVSRAM(MPU PCB U26-DS1644)有关线路及零件是否正确。 2.第 1 项正常,请更换 MPU PCB。
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31: DUPLETCD 31:DSP DUPLE-RAM ERROR (100R ON 故障) 故障) RANK:A2含义: 含义:从 MICON 与 DSP 间之 Dule-Port RAM(U56 MPU PCB U56-IDT7143),由从 MICON 每 40ms CHECK SUM 一次,SUM ERROR 时异常检出,电梯运转禁止,提高制御系统的信赖性。 说明: 说明:DSP/从 MICON 间之资料传送,是依靠 Dule-Port RAM 来传送,一般 RAM 在使用年限上是无限 制的,但为防止万一“损坏”之发生,而造成系统故障,因此,主/从 MICON 会相互 CHECK 对 方之写入码是否正确,来防止事故之发生。 调查项目: 调查项目:1.请检查 DUPLE RAM(MPU PCB 上之 U56-ITD7143)有关线路及零件是否正确。 2.第 1 项正常,请更换 MPU PCB。
32:抑制回路(OPCH) (OPCH)异常检出 TCD 32:抑制回路(OPCH)异常检出 RANK:A1含义: 含义:主 MICON 之驱动出力信号 Z0E,与 BDC 回授之入力信号(OPCH),做比较判别,不一致时 20 ms 后检出异常。 说明: 说明:电梯走行时,紧急停止或无法起动突然熄灭,主要是发生过电流或过电压时,在 10T OFF 之 前瞬间将 IGBT(IPM)TURNOFF,防止 IGBT(IPM)烧毁。 调查项目: 调查项目:1.MPU PCB 与 BDC PCB(BCE)之排线确认有无接触不良。 2.若 TCD 32 有伴随着过电流 TCD 21 或过电压 TCD 22,则 99% TCD32 为过电流(TCD 21) 或过电压(TCD 22)所引发。 3.以上各项正常,请更换 BDC PCB。
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33: TCD 33:BDCC 电压异常检出 RANK:A2含义: 含义:BDC PCB 驱动 IC 烧坏及电压侦测回路侦测到电源异常时主 MICON 持续检出 20ms 不正常后电梯 紧急停止。 说明: 说明:1.BDC PCB 驱动 IC 及 Base Drive 之
电源由 SWITCHING POWER(切换电源供应回路)供应,若电 压异常可能导致 IGBT GE 间电压不足而烧毁 IGBT,其侦测之方式是由 SWITCHING POWER 的二 次侧检知。 2.异常时 BSVOK 之 LED 熄灭,正常时点灯。 调查项目: 调查项目:1.MPU PCB(MUG)与 BDC PCB(BCE)之 BUS 排线确认有无接触不良。 2.BDC PCB SWITCHING POWER 电源每组之电压是否正常。 3.以上各项正常,请更换 BDC PCB。
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34:不足电压(TRCH) (TRCH)异常检出 TCD 34:不足电压(TRCH)异常检出 RANK:A2含义: 含义:电梯起动前,回生 IGBT 的 C.E 间电压下降至一定值(200V)以下时,检出异常。 说明: 说明:PN BUS 电压的低下,再起动可能会导致主 IGBT 烧毁或回生 IGBT 烧毁检出,以及 Rsh 电阻熔断 检出等等。 调查项目: 调查项目:1.MPU PCB(MUG)与 BDC PCB(BCE)之 BUS 线确认有无接触不良或脱落。 2.电源电压之 CHECK: (a)三相 RST 相间电压---AC220 或 380V. (b)PN 输出电压(5600uf 主电容器之正负二端)DC 308V 或 532V+15%之间。 3.Rsh 电阻之 CHECK: (a)Rsh 电阻有无烧毁; 4.回生 IPM CHECK。 5.IPM 正常时(必须将回生电阻与晶体之线先暂拆除): (b)电表测定其欧姆值-- 100#。
(+) B P B N
(-) P B N B
数位电表DIODE档 数位电表 DIODE档 DIODE 0.2~0.5V OVER电表所示 OVER电表所示 OVER电表所示
※ 注意 IGBT 之输入阻抗极高,GE 间若是 OPEN 易受人体静电破坏,取放应注意。 ※IGBT 若已损坏,则其相对应之 Rg 及驱动 IC(EXB841)损坏比率为 90%,绝大部份需要更新。 6.以上各项正常,请更换 BDC PCB。
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