MOSFET的驱动技术详解(4)

MOSFET的并联驱动，由于MOS经常采用并联的方式工作，那么驱动又该如何设计呢？ 是这样

还是这样？

MOS并联，对驱动的一致性要求就很高了，如果导通，关断时间不一致，会导致其中一个MOS开关损耗剧增。所以在软开关电路上，用MOS并联问题比较少，但是硬开关电路，就要小心了。下面用仿真来看现象，假设两个MOS并联，而且MOS的参数完全一样。但是驱动走线的寄生参数有很大不同。

R2，R4，L1，L2都为驱动走线的寄生参数。那么下图为，导通时候，两个mos的电流基本上还算一致。

接下去，把两个驱动电阻并联起来一起去驱动两MOS，再看导通时候的电流波形：

两管子的电流波形，均出现剧烈震荡。

5、PMOS的驱动

下图为PMOS：

PMOS要求GS的电压是负的，也就是G的电压要比S的低，才能导通。那么，如果SD承受高压，G只要比S的电压低一点就能导通，但是一旦SD导通，G必须维持负压才能导通。

而GS的耐压是很低的，这就很麻烦了。一般在电源中最常见的Pmos应用，就有有源钳位 有源钳位的Pmos，是S级接地的，那么要保持导通，G级必须要有负压才行。那么如何产生负压呢，可以采用下图驱动方式：

那么波形可见：