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MOSFET的驱动技术详解(2)

来源:网络收集 时间:2026-09-26
导读: 红色的是R3=1欧姆,绿色的是R3=100欧姆。可见,驱动电阻大的时候,高频谐波明显变� � 但是驱动速度慢,又有什么坏处呢?那就是开关损耗大了,下图是不同驱动电阻下,导通损耗的功率曲线。 红色的是R3=1欧姆,绿色的

红色的是R3=1欧姆,绿色的是R3=100欧姆。可见,驱动电阻大的时候,高频谐波明显变小。

但是驱动速度慢,又有什么坏处呢?那就是开关损耗大了,下图是不同驱动电阻下,导通损耗的功率曲线。

红色的是R3=1欧姆,绿色的是R3=100欧姆。可见,驱动电阻大的时候,损耗明显大了。 结论:驱动电阻到底选多大?还真难讲,小了,EMI不好,大了,效率不好。所以只能一个折中的选择了。

那如果,开通和关断的速度要分别调节,怎么办?就用以下电路。

3、MOSFET的自举驱动

对于NMOS来说,必须是G极的电压高于S极一定电压才能导通。那么对于对S极和控制IC的地等电位的MOS来说,驱动根本没有问题,如上图。

但是对于一些拓扑,比如BUCK(开关管放在上端),双管正激,双管反激,半桥,全桥这些拓扑的上管,就没办法直接用芯片去驱动,那么可以采用自举驱动电路。

看下图的BUCK电路:

加入输入12V,MOS的导通阀值为3V,那么对于Q1来说,当Q1导通之后,如果要维持导通状态,Q1的G级必须保证15V以上的电压,因为S级已经有12V了。

那么输入才12V,怎么得到15V的电压呢?其实上管Q1驱动的供电在于Cboot。看下图,芯片的内部结构:

Cboot是挂在boot和LX之间的,而LX却是下管的D级,当下管导通的时候,LX接地,芯片的内部基准通过Dboot(自举二极管)对Cboot充电。当下管关,上管通的时候,LX点的电压上升,Cboot上的电压自然就被举了起来。这样驱动电压才能高过输入电压。

当然芯片内部的逻辑信号在提供给驱动的时候,还需要Level shift电路,把信号的电平电压也提上去。

Buck电路,现在有太多的控制芯片集成了自举驱动,让整个设计变得很简单。但是对于,双管的,桥式的拓扑,多数芯片没有集成驱动。那样就可以外加 自举驱动芯片,48V系统输入的,可以采用Intersil公司的ISL21XX,HIP21XX系列。如果是AC/DC中,电压比较高的,可以采用IR 的IR21XX系列。

下图是ISL21XX的内部框图。

其核心的东西,就是红圈里的boot二极管,和Level shift电路。 驱动双管电路:

驱动有源钳位示意图:

当然以上都是示意图,没有完整的外围电路,但是外围其实很简单,参考datasheet即可。 自举电容主要在于其大小,该电容在充电之后,就要对MOS的结电容充电,如果驱动电路上有其他功耗器件,也是该电容供电的。所以要求该电容足够大, 在提供电荷之后,电容上的电压下跌最好不要超过原先值的10%,这样才能保证驱动电压。但是也不用太大,太大的电容会导致二极管在充电的时候,冲击电流过大。

对于二极管,由于平均电流不会太大,只要保证是快速二极管。当然,当自举电压比较低的时候,这个二极管的正向压降,尽量选小的。

电容没什么,磁片电容,几百n就可以了。但是二极管,要超快的,而且耐压要够。电流不用太大,1A足够。

4、隔离驱动

当控制和MOS处于电气隔离状态下,自举驱动就无法胜任了,那么就需要隔离驱动了。下面来讨论隔离驱动中最常用的,变压器隔离驱动。

看个最简单的隔离驱动电路,被驱动的对象是Q1。

驱动源参数为12V,100KHz,D=0.5。驱动变压器电感量为200uH,匝比为1:1。 红色波形为驱动源V1的输出,绿色为Q1的G级波形。可以看到,Q1-G的波形为具有正负电压的方波,幅值6V了。

为什么驱动电压会下降呢,是因为V1的电压直流分量,完全被C1阻挡了。所以C1也称为隔直电容。下图为C1上的电压。

其平均电压为6V,但是峰峰值,却有2V,显然C1不够大,导致驱动信号最终不够平。那么把C1变为470n。Q1-G的电压波形就变成如下:

驱动电压变得平缓了些。如果把驱动变压器的电感量增加到500uH。驱动信号就如下图:

驱动信号显得更为平缓。C1大的话,C1上的电压就会比较平稳,波动比较小,那么对驱动的影响就会变小。

从这里可以看到,这种驱动,有个明显的特点,就是驱动电平,最终到达MOS的时候,电压幅度减小了,具体减小多少呢,应该是D*V,D为占空比,那么如果D很大的话,驱动电压就会变得很小,如下图,D=0.9

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