2SD874贴片三极管 SOT-89封装三极管2SD874参数
江阴长电科技2SD874贴片三极管(晶体管)规格书,SOT-89封装,外形尺寸与三极管型号参数详见规格书。整理发布:长电三极管授牌代理商南京南山半导体有限公司。
【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
=
= =FEATURES =
=z Low Collector-Emitter Saturation Voltage =z Large Collector Power Dissipation =SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors 2SD874 TRANSISTOR (NPN) z Mini Power Type Package
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
RθJA
Tj
Tstg Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Collector Power Dissipation Thermal Resistance From Junction To Ambient Junction Temperature Storage Temperature 30 25 5 1 500 250 150 -55~+150 V V V A mW ℃/W ℃ ℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol V(BR)CBO V(BR)CEOICBO IEBO hFE(1) hFE(2) VCE(sat) VBE(sat) fT Cob Test conditions Min Typ Max Unit IC=10µA,IEIC=2mA,IBV(BR)EBO IE=10µA,ICVCB=20V,IEVCE=10V, ICVEB=4V,ICVCE=5V, IC
IC=500mA,IB=50mA VCE=10V,IC=50mA, f=200MHzVCB=10V, IE=0, f=1MHz IC=500mA,IB=50mA 200 20 pF
CLASSIFICATION OF hFE(1)
RANGE 85–––340
A,Nov,2010
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【南京南山半导体有限公司—长电三极管选型资料】
Symbol A b b1 c D D1 E E1 e e1 L
Dimensions In Millimeters Min. Max. 1.400 1.600 0.320 0.520 0.400 0.580 0.350 0.440 4.400 4.600 1.550 REF. 2.300 2.600 3.940 4.250 1.500 TYP. 3.000 TYP. 0.900 1.200
Dimensions In Inches Min. Max. 0.055 0.063 0.013 0.020 0.016 0.023 0.014 0.017 0.173 0.181 0.061 REF. 0.091 0.102 0.155 0.167 0.060 TYP. 0.118 TYP. 0.035 0.047
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The bottom gasket The file folder
Label on the Reel
Plastic bag 1000×1 PCS
The top gasket
Seal the box Stamp “EMPTY” on the empty box Seal the box QA Label Label on the Inner Box Inner Box: 210 mm× 208 mm×203 mmOuter Box: 440 mm× 440 mm× 230 mm
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