南昌大学本科生毕业设计(论文)书写式样(2)

结论 ·································· 136 参考文献（References） 138 致谢 ·································· 150

1 .1 III 在科学技术的发展进程中，材料永远扮演着重要角色。在与现代科技成就息息相关的千万种材料中，半导体材料的作用尤其如此。以Si为代表的第一代半导体诞生于20世纪40年代末，它们促成了晶体管、集成电路和计算机的发明。以GaAs为代表的第二代半导体诞生于

20件的基础。III慢，后10年发展迅猛。由于III优异的材料机械和化学性能，景；并且非常适合制作抗辐射、

1．2 III族氮化物的基本结构和性质

表1-1 用不同技术得到的带隙温度系数、Eg0、 c和T0的值

第一章 GaN基半导体材料及器件进展

测温元件 测温元件

图1-1 热风速计原理

第二章 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺

第二章 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺

2.1 MOCVD材料生长机理

图2-1 DDS方式AWG的工作流程

[1] Well．Multiple-modulator fraction-n divider[P]．US Patent，5038117．1986-02-02 [2] Brian Miller．

instrumentation and Measurement，1991，[3] 电出版社，1990．302-307．

[4] Miler．Frequency synthesizers[P]．[5] Candy J C．A use of double-integretion in sigma-delta modulation[J]．IEEE

Trans Commun，1985，33(COM)：249-258．

[6] 丁孝永．调制式小数分频锁相研究[D]．北京：航天部第二研究院，1997．

致谢

致谢