薄膜硅太阳能电池概述(2)

3.会议论文 刘志刚.孙铁囤.于化丛.周之斌.崔容强 酸腐蚀在多晶硅太阳能电池上的应用 2004

本文回顾了多晶硅绒面的制备技术，重点介绍了酸腐蚀在制备大面积低成本多晶硅太阳能电池方面的发展情况，比较了不同制造工艺的效率。酸腐蚀制得的多晶硅表面有钝化和减反射作用，当其应用于太阳能电池的生产时缩短了电池工艺，降低了生产成本，有广阔的商业前景。

4.期刊论文 张明杰.李继东.陈建设.ZHANG Ming-jie.LI Ji-dong.CHEN Jian-she 太阳能电池及多晶硅的生产 -材料与冶金学报2007,6(1)

在简述太阳能电池原理和发展的基础上,分析了太阳能电池用多晶硅的生产方法.认为:改良的熔盐电解法和熔盐三层电解精炼法有可能直接制取太阳能级多晶硅,此法一旦研究成功,将大幅度地降低太阳能级多晶硅生产成本,应引起人们的关注.

5.学位论文 邓海 铸造多晶硅中原生杂质及缺陷的研究 2006

铸造多晶硅目前已经成功取代直拉单晶硅而成为最主要的太阳能电池材料。铸造多晶硅材料中高密度的杂质和结晶学缺陷(如晶界，位错，微缺陷等)是影响其太阳能电池转换效率的重要因素。深入地研究材料中缺陷和杂质以及它们对于材料电学性能的影响，有利于生产出高成品率的铸造多晶硅锭，降低铸造多晶硅太阳能电池的制造成本，同时也是制备高效率铸造多晶硅太阳能电池的前提。

本文利用傅立叶红外分光光谱仪(FTIR)，微波光电导衰减仪(μ-PCD)，红外扫描仪(SIRM)，以及光学显微镜(OpticalMicroscopy)等测试手段，对铸造多晶硅中的原生杂质及缺陷以及少子寿命的分布特征进行了系统的研究。主要包括以下三个方面：间隙氧在铸造多晶硅锭中的分布规律；铸造多晶硅中杂质浓度的分布与材料少子寿命的关系；铸造多晶硅中缺陷的研究及其对少子寿命的影响。本文所得到的主要结论如下：

铸造多晶硅中氧浓度大小及其分布规律对硅锭的质量具有重要的影响。研究发现铸造多晶硅生长过程中，氧沿铸造多晶硅锭生长方向的分布主要取决于生长过程中氧的分凝和氧的挥发。一个包括了氧的分凝和挥发的新模型被用来模拟氧在硅锭中的分布曲线。结果显示模拟曲线能够很好地拟合氧在硅中实际分布曲线。进一步研究表明氧浓度及其的分布曲线受模型中指数X的影响，随着X的增大，硅锭中总的氧浓度将降低且氧的分布曲线变得更加陡峭，这有利于降低硅锭底部低少子寿命区域的高度，提高硅锭的利用率。

采用μ-PCD测得了沿硅锭生长方向(从底部至顶部)的少子寿命分布图。结果显示距离硅锭底部4～5cm，以及顶部2cm的范围内存在一个少子寿命值过低的区域，而硅锭中间区域少子寿命值较高且分布均匀。通过FITR测得硅锭中的氧浓度随硅锭高度的增加而逐渐降低，而碳的分布情形则刚好相反，随硅锭高度增大而增大。间隙铁的分布呈现硅锭中间部分浓度低，而两端浓度显著增加的特征，研究表明铁在底部以及顶部浓度的增加分别与坩埚向硅锭底部进行固相扩散和分凝有关。硅锭底部及顶部区域内高浓度的铁、氧等杂质为影响少子寿命值的关键因素。

此外，本文还利用择优腐蚀结合光学显微镜以及红外扫描仪(SIRM)研究了硅中的缺陷形态及密度分布。我们发现硅锭顶部由于生长过程中的快速冷却，引起较大的热应力从而导致了大量位错的产生(7×106cm-2)。位错密度大体上呈现从硅锭底部向硅锭顶部逐渐增加的趋势。SIRM观察到了硅中体缺陷的形态以及尺寸大小和密度分布情况。硅锭底部，中部以及顶部处体缺陷平均密度分别为2.8×108cm-3，8.5×106cm-3和1.6×108cm-3左右。

6.期刊论文 宋长青 激光退火技术对多晶硅太阳能电池薄膜处理的新进展 -科技信息(学术版)2008,""(29)

硅薄膜及其太阳电池研究已经成为国际光伏领域研究的热点,但硅薄膜太阳能电池在生产工艺上存在成本较高的问题,其中非晶硅薄膜的退火工艺是制约生产成本的一个重要环节

.本文利用激光退火方法对高掺杂多晶硅衬底的非晶硅外延薄膜进行处理,实验结果表明,激光退火实现了非晶硅薄膜的晶化,电性能达到太阳能电池板的生产要求.

7.学位论文 苏里曼·特拉奥雷 多孔多晶硅太阳能电池性能研究 2003

作者在北京市太阳能研究所和云南师大太阳能研究所参加了高效电池(19.79％)、刻槽埋栅电池(18.6％，薄膜太阳电池(14.8％)、多孔硅技术在太阳电池中应用(10.72％,12.66％)等应用研究项目的研究工作，研究取得了多项具有创新意义的结果。

多孔硅多晶太阳电池的研究属于目前太阳能电池研究领域的热点课题之一，作者研究了两种方法制备多孔硅太阳电池，同时研究了多孔硅对多晶硅缺陷的吸杂作用、多孔硅光荧光现象的稳定性、多孔硅的减反射作用及丝网印刷欧姆接触等。论文有多项创新点，主要包括:1.两步多孔硅工艺技术，同时实现Gettering和减反射功能。通过这一非常简单的方法达到了12.66％的效率。这一独创的两步多孔硅法对于光伏电池的产业化发展具有积极意义。2.多孔工艺之后，采用非含氧溶液进行存储，大大改善了光电池的稳定性。制备多孔硅后在甲苯和二甲苯处理后性能非常稳定，通过比较得到了经过含水溶液处理后多孔硅处于不稳定状态的结论。3.通过多孔工艺和重磷搀杂扩散，达到较小的反射率。反射率降低到了1.7％,光电转换效率达到11.9％。

8.期刊论文 白生菊 太阳能电池用多晶硅材料国产化的几点思考 -青海大学学报（自然科学版）2007,25(1)

以太阳能电池产品链的发展为切入点,阐述了国内光伏产业发展的现状,并提出了国内太阳电池用多晶硅材料国产化的设想与思考.

9.期刊论文 翁寿松.WENG Shou-song 太阳能电池及其设备 -电子工业专用设备2008,37(4)

以太阳能电池为代表的光伏产业是朝阳产业,目前它处在历史上最大爆炸式的成长期.2007年全球光伏产业市场212亿美元,2012年增长至709亿美元,2007～2012年年均复合增长率27.31%.目前太阳能电池处于以单晶或多晶硅为衬底的第一代产品,正在向以硅体或非晶硅(隐瓷或玻璃)为衬底的薄膜太阳能电池(第二代产品)过渡.目前太阳能电池的原材料多晶硅处于供不应求,预计2010年可得到缓得.

10.学位论文 邓太平 太阳能多晶硅锭中夹杂的分布特性及其成因 2007

近年来，太阳电池发电受到了人们的日益重视。硅是当前用来制造太阳能电池的主要材料，目前铸造多晶硅已经成功取代直拉单晶硅而成为最主要的太阳能电池材料。深入地研究材料中杂质有利于生产出高成品率的铸造多晶硅锭，降低铸造多晶硅太阳能电池的制造成本，同时也是制备高效率铸造多晶硅太阳能电池的前提。

本文对多晶硅锭中的夹杂及其在锭中的分布作了深入的研究。多晶硅锭中经常出现硬质夹杂颗粒，严重影响线切割硅片的表面质量，严重时造成硅片切割生产中断线。我们采用光学显微镜、扫描电镜一特征X射线能谱仪、X射线衍射仪等手段对定向凝固多晶硅锭中的夹杂进行了分析。采用溶解硅基体后沉淀萃取的方法取得硅锭不同部位的夹杂。分析结果表明，硅锭中夹杂的物相主要有两种：β-SiC和β-Si<,3>N<,4>，SiC的数量较多；二者形貌有显著区别：前者呈不规则块状，而后者则呈平直杆状。硅锭的顶表面附近夹杂高度富集，但内部仍有大于100微米的较大的碳化硅夹杂颗粒偶尔出现。

实验表明，对冶金硅，其内部的碳化硅夹杂不是由于其在硅液中沉降而出现的。其在内部的出现，可能是由于在高温下长时间保温，过饱和的 C 在硅晶体中形核并长大而形成的。这也可能是太阳能多晶硅锭内部出现碳化硅夹杂的原因。但 …… 此处隐藏：1732字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……