multisim模拟电路课程仿真实验

模拟电子技术课程：

电流负反馈偏置的共发射极放大电路

Stu ID：5090309738 name: 陈曦东

一、 本仿真实验的目的：

1. 研究旁路电容对电路频率响应的影响， 2. 研究耦合电容对电路频率响应的影响。

二、 Multisim仿真实验电路：

基本电路如图1所示，所采用晶体管β=100，rbb’=100Ω。

图1基本电路

图2耦合电容C1的影响

图3 耦合电容C2的影响

图4旁路电容Ce的影响

图5 ：同时考虑C1，C2，CE 的作用

三、 仿真实验内容：

1、 令C2，CE足够大，计算由C1引起的低频截止频率fL1； 2、 令C1，CE足够大，计算由C2引起的低频截止频率fL2； 3、 令C1，C2足够大，计算由CE引起的低频截止频率fL3； 4、 同时考虑C1，C2，CE时的低频截止频率fL；

5、 采用图1所示的电路结构，使用上述给定的晶体管参数，设RL=3kΩ，RS=100Ω,

设计其它电路元件参数，满足下列要求：Aus≥40，fL≤80Hz。

四、 仿真结果

五、 参数计算及结论：

11

=23.4Hz

2 Rs RiC12 RC1C111

=5.7Hz

2 Ro RLC22 Rc2C2

对于耦合电容C1：理论上fL=

对于耦合电容C2：理论上fL=

对于旁路电容Ce：理论上fL=

1

Rs//Rb rbe

2 Re// 1

Ce

1

=143Hz

2 RCeCe

=〉

（1） 实验值120Hz （2） 实验值为20Hz （3） 实验值为5.7Hz 结论：

（1） 当把三个电容都考虑时，实验得到的下限频率为135Hz，（1）和

（2）所得的结果和其差距都很大，而（3）和其差距不大。

（2） 由仿真结果可以看出，旁路电容Ce对电路的下限频率的影响最大，

增加其值时，电路下限频率会显著下降；耦合电容影响相对较小。在设计电路时，为改善低频特性，应将旁路电容Ce值增大。

（3） 在进行第（5）步仿真时，只改变旁路电容Ce大小既可得实验结

果。

体会：

（1） 通过对multisim 软件操作，熟悉了电路仿真模拟的过程。 （2） 通过电路的仿真分析，使我更加深了对课本知识的理解

（3） 培养了自己分析问题的能力，即通过仿真手段验证自己的经验判断。 （4） 最后感谢老师在课堂上对理论知识的详细分析，这是仿真实现的基础。