芯片封装测试流程详解

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Introduction of IC Assembly Process IC封装工艺简介

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IC Process FlowCustomer 客 户IC Design IC设计 SMT IC组装

Wafer Fab 晶圆制造

Wafer Probe 晶圆测试

Assembly& Test IC 封装测试

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IC Package (IC的封装形式)Package--封装体： 指芯片(Die)和不同类型的框架(L/F)和塑封料(EMC) 形成的不同外形的封装体。 IC Package种类很多，可以按以下标准分类：

按封装材料划分为： 金属封装、陶瓷封装、塑料封装 按照和PCB板连接方式分为： PTH封装和SMT封装 按照封装外型可分为： SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等；http://www.77cn.com.cn Company Logo

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IC Package (IC的封装形式) 按封装材料划分为：

塑料封装

陶瓷封装

金属封装主要用于军工或航天技术，无 商业化产品； 陶瓷封装优于金属封装，也用于军事产 品，占少量商业化市场； 塑料封装用于消费电子，因为其成本低 ，工艺简单，可靠性高而占有绝大部分 的市场份额；金属封装Company Logo

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IC Package (IC的封装形式) 按与PCB板的连接方式划分为：

PTH

SMT

PTH-Pin Through Hole, 通孔式；SMT

SMT-Surface Mount Technology ,表面贴装式。目前市面上大部分IC均采为SMT式 的

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IC Package (IC的封装形式) 按封装外型可分为： SOT 、QFN 、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等；封装形式和工艺逐步高级和复杂

决定封装形式的两个关键因素: 封装效率。芯片面积/封装面积，尽量接近1:1; 引脚数。引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加； 其中，CSP由于采用了Flip Chip技术和裸片封装，达到了 芯片面积/封装面积=1:1,为目前最高级的技术；

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IC Package (IC的封装形式) QFN—Quad Flat No-lead Package 四方无引脚扁平封装 SOIC—Small Outline IC 小外形IC封装 TSSOP—Thin Small Shrink Outline Package 薄小外形封装 QFP—Quad Flat Package 四方引脚扁平式封装 BGA—Ball Grid Array Package 球栅阵列式封装 CSP—Chip Scale Package 芯片尺寸级封装

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IC Package Structure(IC结构图)Lead Frame 引线框架 Die Pad 芯片焊盘 Gold Wire 金线 Epoxy 银浆

TOP VIEW

Mold Compound 环氧树脂

SIDE VIEWhttp://www.77cn.com.cn Company Logo

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Raw Material in Assembly(封装原材料)【Wafer】晶圆

……

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Raw Material in Assembly(封装原材料)【Lead Frame】引线框架

提供电路连接和Die的固定作用；

主要材料为铜，会在上面进行镀银、 NiPdAu等材料； L/F的制程有Etch和Stamp两种； 易氧化，存放于氮气柜中，湿度小 于40%RH; 除了BGA和CSP外，其他Package都会采

用Lead Frame, BGA采用的是Substrate;http://www.77cn.com.cn Company Logo

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Raw Material in Assembly(封装原材料)【Gold Wire】焊接金线 实现芯片和外部引线框架的电性和物 理连接；

金线采用的是99.99%的高纯度金； 同时，出于成本考虑，目前有采用铜 线和铝线工艺的。优点是成本降低， 同时工艺难度加大，良率降低； 线径决定可传导的电流；0.8mil, 1.0mil,1.3mils,1.5mils和2.0mils;

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Raw Material in Assembly(封装原材料)【Mold Compound】塑封料/环氧树脂 主要成分为：环氧树脂及各种添加剂(固化剂，改性剂，脱 模剂，染色剂，阻燃剂等); 主要功能为：在熔融状态下将Die和Lead Frame包裹起来， 提供物理和电气保护，防止外界干扰； 存放条件：零下5°保存，常温下需回温24小时；

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Raw Material in Assembly(封装原材料)【Epoxy】银浆 成分为环氧树脂填充金属粉末(Ag); 有三个作用：将Die固定在Die Pad上； 散热作用，导电作用；

-50°以下存放，使用之前回温24小时；

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Typical Assembly Process FlowFOL/前段

EOL/中段

Plating/电镀

EOL/后段

Final Test/测试http://www.77cn.com.cn Company Logo

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FOL– Front of Line前段工艺Wafer 2nd Optical 第二道光检 Die Attach 芯片粘接

Back Grinding 磨片

Wafer Wash 晶圆清洗

Epoxy Cure 银浆固化

EOL

Wafer Mount 晶圆安装

Wafer Saw 晶圆切割

Wire Bond 引线焊接

3rd Optical 第三道光检

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FOL– Back Grinding背面减薄Taping 粘胶带 Back Grinding 磨片 De-Taping 去胶带

将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨，来减薄晶圆达到 封装需要的厚度(8mils~10mils); 磨片时，需要在正面(Active Area)贴胶带保护电路区域 同时研磨背面。研磨之后，去除胶带，测量厚度；http://www.77cn.com.cn Company Logo