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CJ10P20DE6贴片三极管规格书 封装SOT-23-6L

来源:网络收集 时间:2026-08-26
导读: 江苏长电科技CJ10P20DE6贴片三极管(晶体管)规格书,SOT-23-6L封装,外形尺寸与三极管型号参数详见规格书。整理发布:长电三极管授牌代理商南京南山半导体有限公司。 【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】 http://www.77cn.com.cn == JIANGSU

江苏长电科技CJ10P20DE6贴片三极管(晶体管)规格书,SOT-23-6L封装,外形尺寸与三极管型号参数详见规格书。整理发布:长电三极管授牌代理商南京南山半导体有限公司。

【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】

http://www.77cn.com.cn

== JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD

SOT-23-6L Plastic-Encapsulate Transistors

=

=

=

(PNP) CJ10P20DE6 TRANSISTOR

FEATURES

z Suitable for reducing set’s size as a result from enabling =

high-density mounting due to one pin small packages

=

z Low series resistance =

=z Low capacitance

=

= MARKING:

=

SOT-23-6L

MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Collector Emitter Cut-Off Current Emitter cut-off current

Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO* V(BR)EBO ICBO ICES IEBO hFE1*

DC current gain

hFE2* hFE3 hFE4 VCE(sat)1 *

Collector-emitter saturation voltage

VCE(sat)2 VCE(sat)3

*

VCE(sat)4

* ***

Test conditions

IC=-100μA, IE IC= -10mA, IB IE= -100μA, IC VCB= -15V, IE-0.1μA VCES-0.1μA VEB= -4V, IC-0.1μA VCE=-2V, IC= -10mA VCE=-2V, IC= -2A

250 150

V V V V V

VCE= -2V, IC

VCE= -2V, IC IC=-0.1A, IB-0.03IC=-1A, IB= -0.02A IC=-1.5A, IB= -0.05A IC=-2.5A, IB= -0.15A IC=-2.5A, IB= -0.15A

VCE=-10V,IC= -50mA,f=100MHz VCB=-10V, IE=0, f=1MHz

150

-0.22-0.25-0.35-1.05

Base-emitter saturation voltage Base-Emitter Turn-On Voltage Transition frequency Output Capacitance Turn-on Time Turn-off Time

*

VBE(sat) VBE(on) * fT Cobo ton toff

*

VCE=-2V,ICss75 VCC=-10V,IC=-1A,IB1=IB2670 VCC=-10V, IC=-1A,IB1=IB2 pulsed test: pulse width=300μs, duty cycle≤2%.

A,Feb,2012

江苏长电科技CJ10P20DE6贴片三极管(晶体管)规格书,SOT-23-6L封装,外形尺寸与三极管型号参数详见规格书。整理发布:长电三极管授牌代理商南京南山半导体有限公司。

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Typical Characteristics

CJ10P20DE6

)

A( CI TNERRUC ROTCELLOCCOLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)NOITARU)

VTAm(S RtaEsETCTV I M MEEG-ARTOLTOCVELLOCCOLLECTOR CURRENT IC (mA)

I —— V)

Am( CI TNE

RRUC ROTCELLOCBASE-EMITTER VOLTAGE VBE (V)

f ——

I)

zHM( Tf YCNEUQE

RF NOITISNARTCOLLECTOR CURRENT IC (mA)h1000

—— IE

300

Fh NIAG TN100

ERRUC CD30

10

COLLECTOR CURRENT IC (mA)

V-1.2

—— INO-1.0

ITA)

RV( U T tAasE-0.8

SB RV E TETIGMAMT-0.6

EL-OEVSAB-0.4

-0.2

COLLECTOR CURRENT IC (mA)

C/C —— V/V300

)

Fp100

( C ECNATICAPAC 10REVERSE BIAS VOLTAGE V (V)

P420

C —— Ta

N

O350

ITAPISS280

ID )

RWEWm( O 210

PC RPOTC140

ELLOC70

25

50

75

100

125

150

AMBIENT TEMPERATURE Ta (℃)

A,Feb,2012

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