模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案

机密 第 1 页 2013/8/11

模拟电子技术基础

第1章 常用半导体器件

1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小

(3)工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12 uA 增大到22

uA 时，IC 从lmA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。

A.83 B.91 C.100

(4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将( A ) 。

A.增大； B.不变； C.减小

1.2电路如图P1.2 所示，已知ui 10sin t(V)，试画出ui与

uo的波形。设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2

解：ui与uo的波形如解图Pl.2所示。

1.3电路如图P1.3所示，已知ui 5sin t(V)，二极管导通电压UD=0.7V。试画出ui与uo的波形图，并标出幅值。

图P1.3 解

图P1.3

1.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压UD=0.7V,常温下

UT 26mV，电容

C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值

为10mV。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？

解：二极管的直流电流 ID (V UD)/R 2.6mA

其动态电阻:

rD UT/ID 10 图P1.4

故动态电流的有效值：Id Ui/rD 1mA

1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V和8V，正向导通电压为0.7V。试问：

(1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？

解：(1)串联相接可得4种：1.4V；14V；6.7V；8.7V。 (2)并联相接可得2种：0.7V；6V。

1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压UZ 6V，最小稳定电流

IZmin 5mA，最大稳定电流IZmax 25mA。

(1)分别计算UI为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压

UO的值；

(2)若UI 35V时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？ 解：(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时，输出电压才为6V。 ∴UI

10V

时，UO

RL

UI 3.3VR RL

；

UI 15V时，UO

RL

UI 5V； R RL

UI 35V时，UO

RL

UI 11.7V UZ，∴UO UZ 6V。 R RL

UI UZ

故稳压管将 29mA IZmax 25mA，

R

(2)当负载开路时，IZ

被烧毁。

1.7 在图Pl.7 所示电路中，发光二极管导通电压

UD =1.5V ，正向电流在5~15mA 时才能正常工作。

试问：(1)开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？

(2)R的取值范围是多少？

解：(1)S闭合。 (2) R的范围为: P1.7

1.8现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P1.8所示。分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数β。

Rmin (V UD)/IDmax 233

Rmax (V UD)/IDmin 700

图

(a) (b) (a) (b)

图Pl.8 解图Pl.8

解：答案如解图Pl.8所示。

放大倍数分别为 a 1mA/10 A 100和 b 5mA/100 A 50 1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。

图P1.9

解:如解图1.9。

解图1.9

1.10电路如图P1.10所示，晶体管导通时UBE 0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、3V三种情况下T 的工作状态及输出电压uO的值。

解： (1)当VBB 0时，T 截止，uO 12V。

(2)当VBB 1V时，因为

IBQ

VBB UBEQ

Rb

60 A

ICQ IBQ 3mA

uO VCC ICQRc 9V 图P1.10 所以T处于放大状态。

(3)当VBB 3V时，因为IBQ

ICQ IBQ 23mA ICS

VBB UBEQ

Rb

460 A，

VCC UCES

11.3mA， 所以T处于饱和状态。 Rc

1.11电路如图Pl.11所示,晶体管的β=50 ,UBE 0.2V，饱和管压降UCES 0.1V；稳压管的稳定电压UZ 5V, 正向导通电压

UD 0.5V。试问：当uI 0V时uO ？；当uI 5V时uO ？

解：当uI 0V时，晶体管截止，稳压管击穿，

uO UZ 5V。

当uI 5V时，晶体管饱和，

uO 0.1V。

因图P1.11

IB

为：

uI UBE

480 A，IC IB 24mA，UEC VCC ICRc 0

Rb

1.12分别判断图Pl.12 所示各电路中晶体管是否有可能工

作在放大状态

。

(a) (b)

(c)

(d) (e)

图P1.12

解：(a)可能；(b)可能；(c)不能；(d)不能，T 的发射结会因电流过大而损坏。(e)可能。

1.13已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极① 、② 、③ 的电位分别为4V 、8V 、12V ，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS 管、增强型、耗尽型），并说明① 、② 、③ 与G 、S 、D 的对应关系。

解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极① 、② 、③ 与G 、S 、D 的对应关系如解图Pl.13 所示。

解图Pl.13

1.14已知场效应管的输出特性曲线如图Pl.14所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。

图Pl.14 (a) (b)

解图Pl.14

解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐标值及uGS值，建立

iD f(uGS)坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解

图Pl.14 (b)所示。

1.15电路如图P1.15所示，T的输出特性如图Pl.14所示,分析当uI=4V、8V 、12V 三种情况下场效应管分别工作在什么区域。

解：根据图P1.14 所示T的输出特性可知，其开启电压为5V ，根据图Pl.15所示电路可知uGS uI。

当uI=4V时，uGS小于开启电压，故T 截止。 当uI=8V时，设T 工作在恒流区，根据输出 特性可知iD 0.6mA，管压降uDS VDD iDRd 10V， 因此，uGD uGS uDS 2V，小于开启电压， 说明假设成立，即图Pl.15

当uI=12V时，由于VDD 12V，必然使T工作在可变电阻区。

l.16分别判断图Pl.16 所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。

T工作在恒流区。

(a) (b) (c) (d)

图P1.16

解：(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。

补充1.电路如补图P1(a)、(b)所示，稳压管的稳定电压

UZ 3V, R 的取值合适，uI的波形如图(c)所示。试分别画出uO1

和uO2的波形。

(a) (b) (c)

补图P1

解：波形如下图所示

补充2.在温度20oC时某晶体管的ICBO 2 A,试问温度是

60oC时的ICBO ？

解:ICBO60 ICBO20 24 2 24 32 A。

补充3.有两只晶体管，一只的β=200 , ICEO 200 A；另一只的β=100 , IC …… 此处隐藏：2536字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……