掺杂纳米SnO_2气敏传感器的研究进展
介绍多孔硅
!"!#器件与技术
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O2气敏传感器的研究进展掺杂纳米Sn
杨华明,杜春芳,欧阳静,张向超,苏晓辉
(中南大学资源生物学院无机材料系,长沙
"!##5&)
摘要:介绍了半导体气敏传感器的发展历史和掺杂纳米#$%&气敏传感器的特性与应用;详细分析了掺杂金属单质、金属氧化物和稀土元素对#$%&气敏性的影响,通过掺杂可以显著改善其对特定气体的灵敏度、稳定性和选择性等参数;利用元件表面的氧吸附理论分析掺杂纳米#$%&的气敏机理;展望了#$%&气敏传感器的发展前景。关键词:二氧化锡;掺杂;传感器;气敏特性中图分类号:G?$!$
文献标识码:H
文章编号:!+F!I"FF+($##>)#"I#!">I#>
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!引言
幕。!%+$年,日本人清山哲郎发现了氧化物半导体薄膜的气敏效应,并研制出第一只,-)半导体薄膜气敏元件。同年日本的./0(123等人首先开发了世界上第一个4-)$气敏传感器,并于!%+5年由
半导体气敏传感器的研制和生产已有"#多年的历史,通常通过气敏前后电导率的变化来推知被测气体的信息,这种变化来自于薄膜吸附被测气体前后的表面势垒变化
[!,$]
.36/78公司投入市场,实现了商品化,使半导体气
体敏感元件得到了迅速发展。此后人们研制了其他材料的半导体气敏元件,如.9$)&,,-4-)&,:)&,
。早在!%&!年研究人员
就发现,金属氧化物’($)的电导率随*$)蒸汽的吸附而改变,接触气体时其电导率随气体种类及浓度而发生变化,从此拉开了材料气敏特性研究的序
收稿日期:$##"B!#B!$
;-$)&,<=$)>等以及有机材料的气体敏感元件,随
后又发现在4-)$中添加?@和?A等贵金属作增敏
基金项目:国家自然科学基金资助项目(>#&#"#!");湖南省科技攻关计划项目(#&CDE&#&5);中南大学研究生教育创新工程资助项目(#&#F#$)
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微纳电子技术!""#年第$期
介绍多孔硅
!"!#器件与技术
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剂能提高其性能指标。!"年代中后期,武田义章、
著,掺杂的贵金属包括铂、钯、钍等,5’,56,78等
[0"]
#$%&’’(等人首次研制成功掺杂)*+,(-.+,/)*+,)
气敏元件。
贵金属起催化活性中心的作用,能降低被测
气体化学吸附的活化能,有效提高元件的灵敏度和缩短响应时间。催化剂不同可导致不同的吸附试样,从而具有选择性。
)*+,薄膜由于强度好,具有优良的化学稳定
性,在室温下有很强的抗酸碱腐蚀能力,研究表明晶粒线度为010""*2的薄膜具有多孔柱状结构、比表面积大、功耗低;其制备工艺可与平面工艺相结合,有利于集成化,且所用原料价格便宜,可实现廉价生产;在气敏传感器、薄膜电阻、电热转换薄膜、太阳能电池、透明电极等领域得到了广泛应用,同时也开发出了各种各样的制备方法
[314]
9(:;.&8<等人比较了不担载和担载贵金属钍
的乙醛气敏)*+,膜传感器及其表面化学性能,并将在3=">时担载"?0@A.条件下传感器电阻的增加归因于A.与)*+,之间电子的相互作用
[00]
。
BC&和D.(<几乎同时利用金属有机化学气相沉积
法制备了担载-.的环六亚甲基四胺(-#E)的
。
半导体气敏元件发展的重点集中在考虑响应时间、制作成本和保证寿命的条件下如何提高其选择性、灵敏度和稳定性等。)*+,薄膜的导电性主要通过氧缺位和掺杂来提高,掺杂不仅可以提高元件的电导率,还可以提高稳定性和选择性,一般添加金属单质、金属氧化物和稀土氧化物等。作为!/
)*+,膜传感器,认为当)*+,膜掺杂-.且工作在,""13F">时,它对浓度低至0"G=13H0"GI的环六亚
甲基四胺仍然有相当灵敏的响应,响应时间和恢复时间都很短
[0,,03]
。
5’是强氧化性催化剂,是最早应用的铂系催
化剂之一。在氨的氧化中占有重要的地位,将适量
"族化合物的)*+,,#族和$族元素原子可分别
占据!族和"族元素的位置而起施主作用。表0为部分)*+,基掺杂气敏材料。
表&
掺杂对’()!气敏性能的影响
5’加入)*+,中,元件对%J3的灵敏度较高,随着5’含量的增加元件的敏感特性变化不大。汤兆
胜
[,]
等人用光度法测量的纯)*+,薄膜对)+,的
灵敏度极低,在I""1,=""*2的测试波段中灵敏度几乎为零,而)*+,K5’薄膜在可见光到近红外波段!!,?=@。
蔡晔
[0]
*+,-.&/00.123405467(84(8+33.(37(8
6946.927.340’()!(+(43.(3493
掺杂物
选择性较高的气体
最佳温度K>
研究了在)*+,中掺入少量(0@13@)
L6(,@1=@)(0)R(,+3(,?!@)(,)56("?,@)(,)
%+,L+,L+乙醇
,4"I"",""3="I""0""I"",M",""13"",""
56时的灵敏度,在0"">时对04IH0"GF的J,有最
大灵敏度,在,"">时对L+有极高的灵敏度。而在可见光区对)+,气体有较好的灵敏度!,在
3M"*2附近!N0=@,随着波长的增加,灵敏度降
低。根据晶粒尺寸效应,只要符合"O,#P(#P为德拜长度)就可获得极高的灵敏度,因此可添加碱金属或稀土元素来控制晶粒的生长,或添加某些金属离子用掺杂受主的办法来增加#P值,从而提高灵敏度。
但是贵金属价格昂贵,而且在环境中某些成分(如%+,,)+,等)的作用下催化性能下降,催化剂的中毒也会使元件的长期可靠性受到损害,因此开发了其他掺杂剂。如在近红外波段(0?!1,?=%2),
S&用)+,处理
J,J,)LFJF
-&,%TB+37*UV
L3JM碳氢化物
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