纳米有机硅杂化聚酰亚胺薄膜的结构及电性能研究(2)

(1)从扫描电镜图中可以看到TEOS和DDS共聚后的有机硅溶胶能够很好地分散到聚酰亚胺薄膜中,DDS相对摩尔百分含量37.5%分散得最好。

(2)DDS相对摩尔百分含量小于25%电气强度保持平稳,DDS相对摩尔百分含量大于25%电气强度开始下降。该结果可由无机纳米氧化硅的结构变化得到很好的解释。

(3)随着预聚物中DDS的相对摩尔百分含量的增加,耐电晕性能大幅度增加,DDS的相对摩尔百分含量为50%时杂化薄膜的平均耐电晕寿命为纯聚酰亚胺薄膜平均耐电晕寿命的8.57倍左右。

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采用相同的实验方法以甲基三乙氧基硅烷(MTEOS)和TEOS为无机前驱体测得的耐电晕数据如表2所示。

参考文献:

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由表2的测试数据显示,随着MTEOS的相对摩尔百分含量的递增,耐电晕寿命也呈递增趋势。但递增的速度没有表1中的快。

DDS的分子结构中有两个苯环而MTEOS的分

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子结构中只有一个苯环,苯环本身就是一种稳定结构。根据数据推测,苯环的存在有利于提高杂化聚酰亚胺薄膜的耐电晕性能。从网络结构分析以MTEOS和TEOS共聚物为前驱体在同等摩尔比下,比以

DDS和TEOS共聚物为前驱体的网格小。说明大的

网格结构有利于提高杂化聚酰亚胺薄膜的耐电晕性能。另一方面由于有机硅粒子中Si-O键的键能高于

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