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电子技术基础试题库

来源:网络收集 时间:2026-01-30
导读: 电子技术基础(模拟篇) 第一章 半导体二极管 一、单选题 1. 当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别( )。 A. 左移,下移 B. 右移,上移 C. 左移,上移 D. 右移,下移 2. 在PN结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,当PN结外加反向电压时,扩散电流

电子技术基础(模拟篇)

第一章 半导体二极管

一、单选题

1. 当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别( )。

A. 左移,下移 B. 右移,上移 C. 左移,上移 D. 右移,下移

2. 在PN结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,当PN结外加反向电压时,扩散电流移电流。

A. 小于,大于 B. 大于,小于 C. 大于,大于 D. 小于,小于

3. 设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程为( )

A. ISeU B. ISe

UT

C. IS(e

UT

-1) D. ISeUT-1

4. 下列符号中表示发光二极管的为( )。

ABC

D

5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时,其反向电流应满足( )。

A. ID = 0 B. ID < IZ且ID > IZM C. IZ > ID > IZM D. IZ < ID < IZM

6. 杂质半导体中( )的浓度对温度敏感。

A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴

7. 从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于( )时处于正偏导通状态。

A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降

8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于( )。

A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷

9. PN结形成后,空间电荷区由( )构成。

A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴

10. 硅管正偏导通时,其管压降约为( )。

A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V

11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻,所测电阻是二极管的电阻,由于不

同量程时通过二极管的电流 ,所测得正向电阻阻值 。

A. 直流,相同,相同 B. 交流,相同,相同 C. 直流,不同,不同 D. 交流,不同,不同

12. 在25ºC时,某二极管的死区电压Uth≈0.5V,反向饱和电流IS≈0.1pA,则在35ºC时,下列哪组

数据可能正确:( )。

A Uth≈0.525V,IS≈0.05pA B Uth≈0.525V,IS≈0.2pA C Uth≈0.475V,IS≈0.05pA D Uth≈0.475V,IS≈0.2pA

二、判断题

1. PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。 ( )

2. 二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。 ( ) 3. 二极管在工作频率大于最高工作频率fM时会损坏。 ( ) 4. 二极管在反向电压超过最高反向工作电压URM时会损坏。 ( )

5. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。 ( ) 6. 因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。 ( ) 7. 稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。 ( )

三、填空题

1. 当温度升高时,由于二极管内部少数载流子浓度因而少子漂移而形成的反向电流,二极管反向伏安特性曲线 移。

2. 半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的

3. 二极管P区接电位N区接电位端,称正向偏置,二极管导通;反之,称反向偏置,二极管截止,所以二极管具有 性。

4. 在本征半导体中掺入价元素得N型半导体,掺入价元素则得P型半导体。 5. PN结在时截止,这种特性称为。

6. 光电二极管能将 7. 发光二极管能将

8. 二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型,场合, 型二极管适用于低频、大电流的场合。

9. 二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况,其中是可逆的,而 10. 半导体中有和 11. 本征半导体掺入微量的五价元素,则形成型半导体,其多子为,少子为 12. PN结正偏是指P区电位N区电位。

13. 温度升高时,二极管的导通电压,反向饱和电流

14. 普通二极管工作时通常要避免工作于。 15. 构成稳压管稳压电路时,与稳压管串接适当数值的方能实现稳压。

16. 纯净的具有晶体结构的半导体称为。 17. 在PN结形成过程中,载流子扩散运动是作用下产生的。 18. PN结的内电场对载流子的扩散运动起作用,对漂移运动起作用。

19. 发光二极管通以就会发光。光电二极管的随光照强度的增加而上升。 20. 硅管的导通电压比锗管的,反向饱和电流比锗管的

四、计算分析题

1. 电路如图(a)、(b)所示,稳压管的稳定电压UZ=4V,R的取值合适,uI的波形如图(c)所示。试分别画出uO1和uO2的波形。

2. 已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=3mA,最大值IZM=20mA,试问下面电路中的稳压管能否正常稳压工作,UO1和UO2各为多少伏。

(a)(b)(c)

(a)

通压降为0.7V。

o

(b)

3. 二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出电压Uo。设二极管的导

o(c)(d)

4. 已知稳压管的稳定电压UZ = 6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA,最大功耗PZM =150mW。试求稳压管正

常工作时电阻R的取值范围。

+O-

5. 如图所示电路中,发光二极管导通电压UD=1V,正常工作时要求正向电流为5~15mA。试问: (1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光?

(2)R的取值范围是多少?

+VDDRV

S

6. 二极管双向限幅电路如图所示,设ui 10sin tV,二极管为理想器件,试画出输出ui和uo的波形。

7. 电路如图所示,二极管导通电压UD=0.7V,常温下UT≈26mV,电容C对交流信号可视为短路;ui为

正弦波,有效值为10mV,试问二极管中流过的交流电流有效值是多少?

C

iD

8. 二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出电压Uo。设二极管的导

通压降为0.7V。

V

o

V

o

9. 电路如图(a)所示,其输入电压uI1和uI2的波形如图(b)所示,设二极管导通电压可忽略。试画出输出电压uO的波形,并标出幅值。

+5V

uI1/V50

uo

uI2/V50

(b)

(a)(b)

uI1uI2

V2(a)t

t

10. 下图所示电路中,稳压管的稳定电压Uz = 12V,图中电压表流过的电流忽略不计,试求:

(1)当开关S闭合时,电压表V和电流表A1、A2的读数分别为多少? (2)当开关S断开时,电压表V和电流表A1、A2的读数分别为多少?

UiS

R2Ω

11. 电路如图所示,试估算流过二极管的电流和A点的电位。设二极管的正向压降为

0.7V。

5002kV

12. 电路如图所示,试估算流过二极管的电流和A点的电位。设二极管的正向压降为0.7V。

3k10kRV32kΩ

第二章 半导体三极管

一、单选题

1. ( )具有不同的低频小信号电路模型。

A. NPN管和PNP管 B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管 C. N沟道场效应管和P沟道场效应管 D. 三极管和二极管

2. 放大电路如图所示,已知三极管的 50,则该电路中三极管的工作状态为( )。

A. 截止 B. 饱和 C. 放大

D. 无法确定

3. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示,则此场效应管的类型是( )。

A. 增强型PMOS …… 此处隐藏:8456字,全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……

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