第7章《内存故障维修》

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第7章 内存故障维修

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7.1 内存的发展与类型

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DDR SDRAM(双数据率同步动态随机存储器) SDRAM(双数据率同步动态随机存储器) DDR内存在 DDR内存在SDRAM基础上改进了技术.DDR SDRAM在时钟 内存在SDRAM基础上改进了技术 基础上改进了技术. SDRAM在时钟 脉冲的上升沿和下降沿都可传输数据,在不提高时钟频率的情 脉冲的上升沿和下降沿都可传输数据, 况下,使数据传输率提高了一倍. 况下,使数据传输率提高了一倍.

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DDR内存在每个时钟周期中可以存取2个数据; DDR内存在每个时钟周期中可以存取 个数据; 内存在每个时钟周期中可以存取2 DDR内存数据传输频率为200~400MHz; DDR内存数据传输频率为 ~400MHz; 内存数据传输频率为200 DDR芯片容量为128Mbit~1Gbit; DDR芯片容量为 Mbit~ Gbit; 芯片容量为128 DDR采用SSTL信号标准,电压为2.5V; DDR采用 采用SSTL信号标准 电压为2 信号标准, DDRII内存增加到4个数据. DDRII内存增加到 个数据. 内存增加到4 DDRII提高到400~800MHz. DDRII提高到 ~800MHz. 提高到400 DDRII芯片容量为256Mbit~2Gbit. DDRII芯片容量为 芯片容量为256Mbit~2Gbit. DDRII采用SSTL2信号标准,电压为1.8V. DDRII采用 采用SSTL2信号标准 电压为1.8V. 信号标准, ROM的类型 ROM的类型 (1)EPROM:可以多次写入数据,写入数据时需要专用设备. )EPROM:可以多次写入数据,写入数据时需要专用设备. (2)EEPROM:保存数据不需电池,数据存储长达十年之久. )EEPROM:保存数据不需电池,数据存储长达十年之久. (3)Flash ROM:也称为Flash Memory,可在不加电下长期保存 ROM:也称为Flash Memory, 信息. ROM普遍用作 普遍用作BIOS芯片 存储容量有1Mbit, 芯片, 信息.Flash ROM普遍用作BIOS芯片,存储容量有1Mbit, 2Mbit,4Mbit等类型 2Mbit,4Mbit等类型. 等类型.

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7.2 内存芯片工作原理存储细胞由晶体管和电容组成,可以保存一位二进制数. 存储细胞由晶体管和电容组成,可以保存一位二进制数. DRAM存储细胞电路原理 DRAM存储细胞电路原理

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在DRAM存储细胞电路中,晶体管M的作用是一个开关器件, DRAM存储细胞电路中 晶体管M的作用是一个开关器件, 存储细胞电路中, 它控制着数据输入线D端到存储电容C 之间的电流通断. 它控制着数据输入线D端到存储电容CS之间的电流通断.当晶 体管M处于闭合(ON)状态时,数据线D端到存储电容C 体管M处于闭合(ON)状态时,数据线D端到存储电容CS之间 是连通的.当晶体管M处于断开(OFF)状态时,数据线D 是连通的.当晶体管M处于断开(OFF)状态时,数据线D端 到存储电容C 之间不能连通.可见晶体管开关M控制着电容C 到存储电容CS之间不能连通.可见晶体管开关M控制着电容CS 的充电和放电. 的充电和放电. 电路中存储电容CS的作用是保存数据,当电容CS中充有电荷时

, 电路中存储电容C 的作用是保存数据,当电容C 中充有电荷时, 存储器为逻辑" 状态,当电容C 中没有电荷时, 存储器为逻辑"1"状态,当电容CS中没有电荷时,存储器为逻 状态. 辑"0"状态. 字线WL的作用是控制晶体管 的开关状态, WL=1 的作用是控制晶体管M 字线WL的作用是控制晶体管M的开关状态,当WL=1时,晶 体管M处于闭合(ON)状态,这时允许在数据线D 体管M处于闭合(ON)状态,这时允许在数据线D端进行写 或读操作. WL=0 晶体管M处于断开(OFF)状态, 或读操作.当WL=0时,晶体管M处于断开(OFF)状态,这 时数据线D端的信号不能写入或读出,DRAM保持电路的原来 时数据线D端的信号不能写入或读出,DRAM保持电路的原来 状态. 状态. 数据线D也称为"位线",他是数据位写入或读出的端点. 数据线D也称为"位线" 他是数据位写入或读出的端点.

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SRAM存储单元工作原理 SRAM存储单元工作原理 SRAM存储细胞 Cell) SRAM存储细胞(Cell)的工作原理类似于一 存储细胞( 个开关, 当接通开关时, 相当于" 状态, 个开关 , 当接通开关时 , 相当于 " 1" 状态 , 当 关闭开关时, 相当于" 状态. 关闭开关时 , 相当于 " 0" 状态 . 如果不去改 变 开关,它就保持上次的状态. 开关,它就保持上次的状态. 静态存储器SRAM经常用来设计高速缓存 静态存储器SRAM经常用来设计高速缓存 (Cache)存储单元. Cache)存储单元. SRAM存储细胞中的每一位 都是由4 SRAM存储细胞中的每一位,都是由4~6个 存储细胞中的每一位, CMOS晶体管构成 CMOS晶体管构成,因此保存一个字节的数 晶体管构成, 需要8个这样的存储单元, 据,需要8个这样的存储单元,也就是说需要 32~48个CMOS晶体管 32~48个CMOS晶体管. 晶体管.

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7.3 内存条的基本组成内存条由内存颗粒芯片,内存序列检测芯片(SPD), ),ECC校 内存条由内存颗粒芯片,内存序列检测芯片(SPD),ECC校 验芯片(部分内存条有),印刷电路板(PCB),贴片电阻, ),印刷电路板 ),贴片电阻 验芯片(部分内存条有),印刷电路板(PCB),贴片电阻, 贴片电容,金手指等部分组成.目前市场上主要有DDR 贴片电容,金手指等部分组成.目前市场上主要有DDR SDRAM,RDRAM,SDRAM三种技术规范的内存条 SDRAM,RDRAM,SDRAM三种技术规范的内存条,它们的 三种技术规范的内存条, 工作方式不同,互相不能兼容,但是外观形状大同小异. 工作方式不同,互相不能兼容,但是外观形状大同小异.

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SPD芯片 SPD芯片 PC100内存标准开始 内存条上就带有SPD芯片 内存标准开始, 芯片. 从PC100内存标准开始,内存条上就带有SPD芯片.内存条制 造商将该内存条的基本技术参数预先写入这个SPD芯片 芯片. 造商将该内存条的基本技术参数预先写入这个SPD芯片. SPD芯片记录了内存芯片的速度 工作频率,芯片容量, SPD芯片

记录了内存芯片的速度,工作频率,芯片容量,工作 芯片记录了内存芯片的速度, 电压, 列地址,带宽,CL,tRCD,tRP,tAC等参数 等参数. 电压,行,列地址,带宽,CL,tRCD,tRP,tAC等参数. 内存条插座

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7.4 内存条主要技术性能内存条技术规范 内存主要有JEDEC组织和英特尔公司两种技术规范 组织和英特尔公司两种技术规范. 内存主要有JEDEC组织和英特尔公司两种技术规范. 内存规范有PC100~PC5300等 内存规范有PC100~PC5300等. 规范规定了内存类型,工作频率,传输带宽等技术参数. 规范规定了内存类型,工作频率,传输带宽等技术参数. 内存条速度技术指标 一是提高内存工作的时钟频率,二是尽量减少各种内存操作过 一是提高内存工作的时钟频率, 程中的延时. 程中的延时. 内存数据读写的延迟一般用" D"的形式表示 的形式表示, 内存数据读写的延迟一般用"A-B-C-D"的形式表示,它们分别 对应的参数是:CL-tRCD-tRP-tRAS. 对应的参数是:CL-tRCD-tRP-tRAS. 5", 个数字代表CL周期为 周期为2 例:"2-2-2-5",第1个数字代表CL周期为2;第2个数字代表 tRCD周期为 tRCD周期为2;第3个数字代表tRCD周期为2;第4个数字代表 周期为2 个数字代表tRCD周期为 周期为2 tRAS周期为 tRAS周期为5. 周期为5

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(1)内存时钟周期(tCK):值越小内存数据存取速度越快. 内存时钟周期(tCK) 值越小内存数据存取速度越快. (2)数据存取时间(tAC):值越小 …… 此处隐藏：4111字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……