反应烧结碳化硅表面改性的初步研究

碳化硅表面改性

　　　　　　　　　OpticsandPrecisionEngineering　　　　　　　　

2008年9月　　　Sep.2008

文章编号　10042924X(2008)0921603205

第16卷　第9期

　光学精密工程

Vol.16　No.9

反应烧结碳化硅表面改性的初步研究

王彤彤1,2,高劲松1,王笑夷1,陈　红1,郑宣鸣1,范镝1,申振峰1,2

(1中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学技术研究中心,吉林长春130033;

2中国科学院研究生院,北京100039)

摘要:应用电子束蒸发硅,霍尔离子源电离甲烷,并辅助沉积的方法在反应烧结碳化硅(RBSiC)基底上沉积了碳化硅

(SiC∶H)改性薄膜。X射线衍射(XRD)测试表明制备的碳化硅改性薄膜为α相。通过控制沉积速率,制备了硬度为9.781～13.087GPa,弹性模量为89.344～123.413GPa的碳化硅改性薄膜。玻璃和经过精细抛光的改性RBSiC,结果表明两者反射率相近;附着力实验表明,;在温度冲击实验下,制备的薄膜无龟裂和脱落。

关　键　词:薄膜制备;碳化硅薄膜;表面改性;离子辅助电离;中图分类号:O484.1;TN304.055　　文献标识码:A

Preliminarycarbidesurfacemodification

Gtong1,2,GAOJin2song1,WANGXiao2yi1,CHENHong1,

ZHENGXuan2ming1,FANDi1,SHENZhen2feng1,2

(1.OpticalTechnologyandResearchCenter,ChangchunInstituteofOptics,FineMechanics

andPhysics,ChineseAcademyofSciences,Changchun130033,China;

2.GraduateUniversityofChineseAcademyofSciences,Beijing100039,China)

Abstract:SiC:Hsurface2modifiedcoatingswerefabricatedonReactionBondedSiliconCarbide(RBSiC)substrates.SiliconwasevaporatedbyE2beamandmethanewasionizedasreactivegasbyEnd2Hallionsource.X2rayDiffraction(XRD)resultsshowthefabricatedfilmisαphase,itshardnessandelasticmodulusareintherangeof9.781～13.087GPaand89.344～123.413GPa,respectively.Af2tersurface2modificationpolishingandcoatingsilver,thereflectanceofmodifiedRBSiCfilmisclosetothatoffinepolishedZerodurglasscoatingwithsilver.Moreover,thefabricatedcoatingstothesub2strateshowverygoodadhesionandnofall2offandcracksinthermalimpacttestfromliquidnitrogentemperaturetoboilingwatertemperaturefor5cycles.

Keywords:thinfilmfabrication;siliconcarbidethinfilm;surfacemodification;ionassistedionizing;

hardnessandelasticmodulus

　　收稿日期:2007211222;修订日期:2008201203.

　　基金项目:国家自然科学基金资助项目(No.60478035)

碳化硅表面改性

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　　　　　光学　精密工程　　　　　

第16卷　

10-3Pa。纯度为99.995%的硅被施加8kV高压

1　引　言

　　外太空未知领域和自身居住的地球一直是人

类不停探索的对象,科技的迅猛进步使空间应用的望远镜和相机获得了空前的发展。反射镜作为光学系统中的主要部件,在满足轻量化要求的同时,还要求反射镜材料具有可以在恶劣环境下长时间工作的物理特性,从而提出了低密度、高硬度、高弹性模量、高比刚度、低热膨胀系数、均匀线膨胀系数等极高的参数标准[122]。经过多年的研究和发展,反应烧结碳化硅(ReactionBondedSil2iconCarbide,RBSiC)因为其优异的物理、机械性能,可以直接制作出近净尺寸的反射镜基底和较低的花费等特点,成为近些年来各大公司和科学家们主要应用的空间望远镜和相机的反射镜基底材料。不过因为RBSiC制备的工艺限制,碳化硅以外,,双金属性,学性能[325]。由于硅的物理性质要比差,而且RBSiC基底中的碳化硅通常为α相,所以和β相碳化硅之间有较大的晶格常数差异,致使改性膜和基底之间的物理性质有较大不同。因此如果能制备出和基底同为α相并具有相近性质的碳化硅改性膜是很有意义的。

通过离子源电离反应气体并辅助沉积的方法,本文已经成功地制备出Ge1-xCx薄膜[627],因此拟采用这种方法来制备碳化硅改性膜并进行研究。

的电子枪发射出的高能电子束加热蒸发。同时在霍尔离子源通入纯度为99.999%的氩气作为工作气体,氩气在霍尔离子源中被电离,霍尔源中喷出的具有一定能量的氩离子和通入真空室中纯度为99.999%的甲烷气体分子发生碰撞。作为反应气体的甲烷在和离子源输出的氩离子碰撞后,被电离,生成初始的反应物质。电子枪蒸发的硅和电离的甲烷在烧结碳化硅基底表面上结合,形成碳化硅。由于霍尔离子源的轰击作用,碳和硅在基底上的表面迁移率大大增加,提高了碳和硅结合的几率,进而提高了薄膜的整体性能。薄膜的沉积厚度应用Telemark公司生产的MDC2360C型晶体控制仪控制

图1　电子枪蒸发,霍尔离子源辅助制备碳化硅改性

薄膜的工艺示意图

Fig.1　SchematicdiagramoffabricationofSiCcoat2

ingbyE2beamevaporationwithend2Hallionsourceassistance

3　结果和讨论

3.1　薄膜的晶体结构

2　实　验

　　霍尔离子源可以通过电离惰性气体,输出离

子流密度均匀并具有较高能量的等离子体,而且霍尔离子源结构简单、工作稳定、易于维护,很适合用于长时间的连续镀膜工艺。

本实验基底采用国内生产的RBSiC和K9玻璃。在镀膜之前,基底用去离子水,乙醇和石油醚分别进行10min的超声波清洗,采用拱形夹具固定。在制备之前,基底通过烘烤加热到250℃并恒温1h。在镀制薄膜之前,真空度抽至2×

为了确定制备的碳化硅改性膜的晶体结构,应用日本Rigaku公司制造的XRD测试仪对同一制备条件不同沉积速率下的碳化硅改性薄膜的晶体结构进行了测试,图2是在沉积速率为0.3nm/s下测试的结果。

通过XRD测试结果,确定制备的碳化硅改性薄膜为α相。在图2中可以看出由于制备的碳化硅晶化并不完全,造成了衍射峰不是严格的对称,产生这种情况主要有两个原因。其一是霍尔离子源输出的离子能量较低,甲烷被电离的程度

碳化硅表面改性

第9期

　　　　　王彤彤,等:反应烧结碳化硅表面改性的初步研究

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率下测试的碳化硅改性膜的硬度和弹性模量值。

沉积速率变化在0.1～0.5nm/s之间

。

图2　XRD测试结果

Fig.2　XRDtestresult

不够完全,导致成膜的过程中含有一定量的H原子;另一个原因就是烘烤的温度不够。3.2　碳化硅薄膜的硬度和弹性模量图3是碳化硅改性膜成膜过程的示意图。离化率的高低决定了作为反应气体的甲烷被电离的程度,这也影响着碳化硅改性膜的组成可以看出,分布在4,,H。氢,影响,剩下的氢原子很难从碳原子上被完全电离。随着这种难度的增大,含氢原子少的碳化硅组分逐渐减少。因此制备的薄膜为含有一定量氢的碳化硅(SiC:H)改性膜

。

图4　Fig.4　atdifferent

4,随着沉积速率的增加,碳,但是当沉积速率达到0.3nm/s时,硬度和弹性模量和0.4nm/s的沉积速率相比并无明显变化,而继续提高沉积速率则硬度和弹性模量开始降低。在以前制备Ge1-xCx薄膜时也观察到了类似的结果[8]。由于碳和硅都属于第四主族,原子序数相差较小,可以形成稳定的化合物。因此可以说在某一个沉积速率下碳和硅能生成具有固定化学计量比的化合物。

当沉积速率较低时,硅的含量较少,被电离的甲烷在基底表面相互之间成键的几率较高,除了C-Si键之外,会有一定的C-C键存在,也有一

部分的C-H,Si- …… 此处隐藏：6318字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……