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材料科学基础习题及答案

来源:网络收集 时间:2026-09-29
导读: 材料科学基础习题及答案 第一章 结晶学基础 第二章 晶体结构与晶体中的缺陷 1 名词解释:配位数与配位体,同质多晶、类质同晶与多晶转变,位移性转变与重建性转变,晶体场理论与配位场理论。 晶系、晶胞、晶胞参数、空间点阵、米勒指数(晶面指数)、离子晶

材料科学基础习题及答案

第一章 结晶学基础 第二章 晶体结构与晶体中的缺陷

1 名词解释:配位数与配位体,同质多晶、类质同晶与多晶转变,位移性转变与重建性转变,晶体场理论与配位场理论。

晶系、晶胞、晶胞参数、空间点阵、米勒指数(晶面指数)、离子晶体的晶格能、原子半径与离子半径、离子极化、正尖晶石与反正尖晶石、反萤石结构、铁电效应、压电效应. 答:配位数:晶体结构中与一个离子直接相邻的异号离子数。 配位体:晶体结构中与某一个阳离子直接相邻、形成配位关系的各个阴离子中心连线所构成的多面体。

同质多晶:同一化学组成在不同外界条件下(温度、压力、pH值等),结晶成为两种以上不同结构晶体的现象。

多晶转变:当外界条件改变到一定程度时,各种变体之间发生结构转变,从一种变体转变成为另一种变体的现象。

位移性转变:不打开任何键,也不改变原子最邻近的配位数,仅仅使结构发生畸变,原子从原来位置发生少许位移,使次级配位有所改变的一种多晶转变形式。

重建性转变:破坏原有原子间化学键,改变原子最邻近配位数,使晶体结构完全改变原样的一种多晶转变形式。 晶体场理论:认为在晶体结构中,中心阳离子与配位体之间是离子键,不存在电子轨道的重迭,并将配位体作为点电荷来处理的理论。 配位场理论:除了考虑到由配位体所引起的纯静电效应以外,还考虑了共价成键的效应的理论

图2-1 MgO晶体中不同晶面的氧离子排布示意图

2 面排列密度的定义为:在平面上球体所占的面积分数。

(a)画出MgO(NaCl型)晶体(111)、(110)和(100)晶面上的原子排布图; (b)计算这三个晶面的面排列密度。

解:MgO晶体中O2-做紧密堆积,Mg2+填充在八面体空隙中。

(a)(111)、(110)和(100)晶面上的氧离子排布情况如图2-1所示。 (b)在面心立方紧密堆积的单位晶胞中,a0 22r (111)面:面排列密度= 2 r2/4r2 3/2/2 /2 0.907 (110)面:面排列密度=2 r2

/ 4r 22r /4

2 0.555

2

22r /4 0.785 (100)面:面排列密度=2 r2/

3、已知Mg2+半径为0.072nm,O2-半径为0.140nm,计算MgO晶体结构的堆积系数与密度。

材料科学基础习题及答案

解:MgO为NaCl型,O2-做密堆积,Mg2+填充空隙。rO2- =0.140nm,rMg2+=0.072nm,z=4,晶胞中

3

质点体积:(4/3³πr 3)³4,a=2(r++r-),晶胞体积=a3,堆积系数=晶胞中MgOO2-+4/3³πrMg2+

体积/晶胞体积=68.5%,密度=晶胞中MgO质量/晶胞体积=3.49g/cm3。

4、(1)一晶面在x、y、z轴上的截距分别为2a、3b、6c,求出该晶面的米勒指数;(2)一晶面在x、y、z轴上的截距分别为a/3、b/2、c,求出该晶面的米勒指数。

解:(1)h:k:l=1/2:1/3:1/6=3:2:1,∴该晶面的米勒指数为(321);(2)(321) 5 试证明等径球体六方紧密堆积的六方晶胞的轴比c/a≈1.633。

证明:六方紧密堆积的晶胞中,a轴上两个球直接相邻,a0=2r;c轴方向上,中间的一个球分别与上、下

各三个球紧密接触,形成四面体,如图2-2所示:

co/2 2r 2r/3

2

2

22

/3r

c0/a0 42/3r/2r 22/3 1.633 图2-2 六方紧密堆积晶胞中 有关尺寸关系示意图

6、计算体心立方、面心立方、密排六方晶胞中的原子数、配位数、堆积系数。 解:体心:原子数 2,配位数 8,堆积密度 55.5%; 面心:原子数 4,配位数 6,堆积密度 74.04%; 六方:原子数 6,配位数 6,堆积密度 74.04%。

7 设原子半径为R,试计算体心立方堆积结构的(100)、(110)、(111)面的面排列密度和晶面族的面间距。

解:在体心立方堆积结构中:a0 4/R

(100)面:面排列密度= R/4/3R 3 /16 0.589 面间距=

a0/2 2/3R 1.155R

2

2

(110)面:面排列密度= 2 R2/4/R2/3R 3 /82 0.833 面间距= 2a0/2 22/3R 1.633R (111)面:面排列密度= R面间距=

2

2

/2/ 42/3R 3/4 /16 0.340

材料科学基础习题及答案

8、以NaCl晶胞为例,试说明面心立方紧密堆积中的八面体和四面体空隙的位置和数量。 答:以NaCl晶胞中(001)面心的一个球(Cl-离子)为例,它的正下方有1个八面体空隙(体心位置),与其对称,正上方也有1个八面体空隙;前后左右各有1个八面体空隙(棱心位置)。所以共有6个八面体空隙与其直接相邻,由于每个八面体空隙由6个球构成,所以属于这个球的八面体空隙数为6³1/6=1。

在这个晶胞中,这个球还与另外2个面心、1个顶角上的球构成4个四面体空隙(即1/8小立方体的体心位置);由于对称性,在上面的晶胞中,也有4个四面体空隙由这个参与构成。所以共有8个四面体空隙与其直接相邻,由于每个四面体空隙由4个球构成,所以属于这个球的四面体空隙数为8³1/4=2。

9、 临界半径比的定义是:紧密堆积的阴离子恰好互相接触,并与中心的阳离子也恰好接触的条件下,阳离子半径与阴离子半径之比。即每种配位体的阳、阴离子半径比的下限。计算下列配位的临界半径比:(a)立方体配位;(b)八面体配位;(c)四面体配位;(d)三角形配位。

解:(1)立方体配位

在立方体的对角线上正、负离子相互接触,在立方体的棱上两个负离子相互接触。因此:

(2)八面体配位

在八面体中,中心对称的一对阴离子中心连线上正、负离子相互接触,棱上两个负离子相互接触。因此:

(3)四面体配位

在四面体中中心正离子与四个负离子直接接触,四个负离子之间相互接触(中心角

)。因此:

底面上对角中心线长为: 2r

a/

3

(4)三角体配位

在三角体中,在同一个平面上中心正离子与三个负离子直接接触,三个负离子之间相互接触。因此:

材料科学基础习题及答案

ro2-=0.132nm rSi4+=0.039nm rK+=0.133nm rAl3+=0.057nm rMg2+=0.078nm

10、从理论计算公式计算NaC1与MgO的晶格能。MgO的熔点为2800℃,NaC1为80l℃, 请说

明这种差别的原因。

解:u=z1z2e2N0A/r0³(1-1/n)/4πε0,e=1.602³10-19,ε0=8.854³10-12,N0=6.022³1023,NaCl:z1=1,z2=1,A=1.748,nNa+=7,nCl-=9,n=8,r0=2.81910-10m,u NaCl=752KJ/mol;MgO:z1=2,z2=2,A=1.748,nO2-=7,nMg2+=,n=7,r0=2.1010m,uMgO=392KJ/mol;∵uMgO> uNaCl,∴MgO的熔点高。

11、证明等径圆球面心立方最密堆积的空隙率为25.9%;

解:设球半径为a,则球的体积为4/3πa3,求的z=4,则球的总体积(晶胞)4³4/3πa3,立方体晶胞体积:(2a)3=16a3,空间利用率=球所占体积/空间体积=74.1%,空隙率=1-74.1%=25.9%。

12、金属镁原子作六方密堆积,测得它的密度为1.74克/厘米3,求它的晶胞体积。 解:ρ=m/V晶=1.74g/cm3,V=1.37³10-22。

13、 根据半径比关系,说明下列离子与O2—配位时的配位数各是多? 解:Si4+ 4;K+ 12;Al3+ 6;Mg2+ 6。

14、 一个面心立方紧密堆积的金属晶体,其原子量为M,密度是8.94g/cm3。试计算其 …… 此处隐藏:12637字,全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……

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