场效应晶体管参数测试仪的设计毕业设计论文

毕业设计（论文）题目：场效应晶体管参数测试仪的设计

毕业设计（论文）原创性声明和使用授权说明

原创性声明

本人郑重承诺：所呈交的毕业设计（论文），是我个人在指导教师的指导下进行的研究工作及取得的成果。尽我所知，除文中特别加以标注和致谢的地方外，不包含其他人或组织已经发表或公布过的研究成果，也不包含我为获得及其它教育机构的学位或学历而使用过的材料。对本研究提供过帮助和做出过贡献的个人或集体，均已在文中作了明确的说明并表示了谢意。

作者签名：日期：

指导教师签名：日期：

使用授权说明

本人完全了解大学关于收集、保存、使用毕业设计（论文）的规定，即：按照学校要求提交毕业设计（论文）的印刷本和电子版本；学校有权保存毕业设计（论文）的印刷本和电子版，并提供目录检索与阅览服务；学校可以采用影印、缩印、数字化或其它复制手段保存论文；在不以赢利为目的前提下，学校可以公布论文的部分或全部内容。

作者签名：日期：

学位论文原创性声明

本人郑重声明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。

作者签名：日期：年月日

学位论文版权使用授权书

本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。

涉密论文按学校规定处理。

作者签名：日期：年月日

导师签名：日期：年月日

注意事项

1.设计（论文）的内容包括：

1）封面（按教务处制定的标准封面格式制作）

2）原创性声明

3）中文摘要（300字左右）、关键词

4）外文摘要、关键词

5）目次页（附件不统一编入）

6）论文主体部分：引言（或绪论）、正文、结论

7）参考文献

8）致谢

9）附录（对论文支持必要时）

2.论文字数要求：理工类设计（论文）正文字数不少于1万字（不包括图纸、程序清单等），文科类论文正文字数不少于1.2万字。

3.附件包括：任务书、开题报告、外文译文、译文原文（复印件）。

4.文字、图表要求：

1）文字通顺，语言流畅，书写字迹工整，打印字体及大小符合要求，无错别字，不准请他人代写

2）工程设计类题目的图纸，要求部分用尺规绘制，部分用计算机绘制，所有图纸应符合国家技术标准规范。图表整洁，布局合理，文字注释必须使用工程字书写，不准用徒手画

3）毕业论文须用A4单面打印，论文50页以上的双面打印

4）图表应绘制于无格子的页面上

5）软件工程类课题应有程序清单，并提供电子文档

5.装订顺序

1）设计（论文）

2）附件：按照任务书、开题报告、外文译文、译文原文（复印件）次序装订

指导教师评阅书

评阅教师评阅书

教研室（或答辩小组）及教学系意见

目录

1 引言 (1)

2 总体方案设计 (2)

3 硬件电路设计 (4)

3.1输出特性曲线的测试 (4)

3.1.1 漏极扫描电压 (5)

3.1.2 栅极阶梯电压 (7)

3.1.3 测量点及测量方式 (9)

3.1.4 输出特性曲线测试电路的整合 (10)

3.2场效应晶体管的参数测试 (11)

3.2.1 结型场效应晶体管的夹断电压VP (11)

3.2.2 绝缘栅型场效应晶体管的开启电压V T (16)

3.2.3 饱和漏电流I DSS (17)

3.2.4 低频跨导测量方法 (17)

3.3转移特性曲线的测试 (18)

3.3.1 漏极稳压电源 (19)

3.3.2 栅极扫描电压 (19)

3.3.3 转移特性的测量 (20)

3.4保护电路设计 (20)

3.4.1 过流和过压保护 (20)

3.4.2 其他保护措施 (22)

3.5单片机端口的连接 (22)

4 软件设计与流程图 (23)

4.1软件设计 (23)

4.2软件流程图 (24)

5 结论 (25)

5.1各模块的测试结果 (25)

5.2综合测试 (25)

5.3总结 (26)

致谢 ...................................................................................................................... 错误！未定义书签。参考文献 . (1)

附件 ........................................................................................................................ 错误！未定义书签。

摘要

场效应晶体管与普通晶体管相比，具有输入阻抗高、噪声系数小、热稳定性好、动态范围大等优点。它是一种压控器件，具有与电子管相似的传输特性。随着电子技术的飞速发展，场效应晶体管尤其是MOSFET已广泛应用于电源、计算机、通信、汽车电子、工业控制及消费类电子产品等领域。因此，对场效应晶体管相关参数的测试技术和测试手段的研究尤为重要。

本文介绍一种场效应晶体管参数测试仪的设计方法。以51单片机为控制核心，通过测量电路将场效应晶体管的参数显示在示波器或数字显示表上。系统由阶梯电压信号、扫描电压、可调稳压电源、保护电路等模块组成。可以准确测量场效应晶体管的输出特性曲线、转移特性曲线、开启电压（夹断电压）、饱和漏源电流（I DSS）等参数。系统设计了保护电路，可以有效监测器件的测量状态，并使用过流/过压保护功能来保护被测器件和测量系统的安全。

关键词：场效应晶体管、参数测试、保护电路、51单片机

I

Abstract

Comparing with ordinary transistor, the field-effect transistor has many advantages, such as high input impedance, low noise figure, good thermal stability and large dynamic range, which is a voltage-controlled device with the similar transmission properties of electron tube. With the rapid development of electronic technology, field-effect transistor, especially MOSFET has been widely used in the field of power supply, computer, communications, automotive electronics, industrial control and consumer electronics products. Therefore, research on testing techniques and test means of field-effect transistor parameters is particularly important.

This article describes the design of a field effect transistor parameter tester. 51 microcontroller for the control of the core, the field-effect transistor measurement circuit parameters are displayed on the oscilloscope or digital display table. The system consists of the step voltage signal, the scan voltage adjustable power supply protection circuit module. Can accurately measure the output characteristic curve of the field effect transistor input characteristic curve, the turn-on voltage (pinch-off voltage), the parameters of the saturated drain-source current (I DSS). System protection circuit design, measurement state of …… 此处隐藏：5059字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……