高频通信技术实验指导书
高频通信技术实验指导书
课程简介:《高频通信技术》是为电子信息科学与技术、电子信息工程专业本科生开设的专业实验课。,通过本课程的实验学习,使学生巩固和加深高频电子线路的理论知识,掌握现代通信系统的各单元电路的组成、基本工作原理、分析方法及其在现代通信中的典型应用,培养学生动手能力、创新精神和创新能力。
《高频通信技术》是一门实践性很强的课程,学习时应注重实践与实用。
本课程编号为:42222016,课程性质是专业基础课,适用专业为电子信息科学与技术和电子信息工程专业,实验学时数是18学时。
高频小信号调谐放大器高频谐振功率放大器二极管开关混频正弦波振荡器收音机组装
实验一
实验目的
高频小信号调谐放大器
1.掌握高频小信号调谐放大器的工作原理。2.学会高频小信号谐振放大器的调试方法。3.学会小信号调谐放大器主要技术指标的测试。
实验学时:3学时
实验器材
1.高频通信实验箱2.高频信号发生器
一只一台
3.60MHz模拟示波器一台4.万用表
一块
一台
5.BT-3(G)型频率特性测试仪(选项)
实验原理
图1-1所示电路为共发射极接法的晶体管高频小信号调谐放大器。它不仅要放大高频信号,而且还要有一定的选频作用,因此晶体管的集电极负载为LC并联谐振回路。在高频情况下,晶体管本身的极间电容及连接导线的分布参数等会影响放大器输出信号的频率和相位。晶体管的静态工作点由电阻RB1,RB2及RE
决定,其计算方法与低频单管放大器相同。
放大器在高频情况下的等效电路如图1-2所示,晶体管的4个Y参数yie,yoe,yfe及yre分别为
输入导纳
(1-1)
输入导纳
(1-2)
正向传输导纳
(1-3)
方向传输导纳
(1-4)
式中,gm——晶体管的跨导,与发射极电流的关系为
(1-5)
gb’e——发射结电导,与晶体管的电流放大系数 及IE有关,
其关系为
rb’b——基极体电阻,一般为几十欧姆;Cb’c——集电极电容,一般为几皮法;
Cb’e——发射结电容,一般为几十皮法至几百皮法。
(1-6)
由此可见,晶体管在高频情况下的分布参数除了与静态工作电流IE,电流放大系数ß有关外,还与工作频率 有关,晶体管手册中给出的分布参数一般是在测试条件一定的情况下测得的。如在f0=30MHz,IE=2Ma,UCE=8V条件下测得3DG6C的Y
参数为:
如果工作条件发生变化,上述参数则有所变动。因此,高频电路的设计计算一般采用工程估算的方法。
图1-2中所示的等效电路中,P1为晶体管的集电极接入系数,即P1=N1/N2
(1-7)
式中,N2为电感L线圈的总匝数。
P2为输出变压器T的副边与原边的匝数比,即P2=N3/N2
(1-8)
式中,N3为副边(次级)的总匝数。
gL为调谐放大器输出负载的电导,gL=1/RL。通常小信号调谐放大器的下一级为晶体管调谐放大器,则gL将是下一级晶体管的输入导纳gie2
由图1-2可见,并联谐振回路的总电导
的表达式为
(1-9)
式中,G为LC回路本身的损耗电导。谐振时L和C的并联回路呈纯阴,其阻值等于1/G,并联谐振电抗为无限大,则JWC与1/(JWL)的影响可以忽略。
调谐放大器的性能指标及测量方法
表征高频小信号调谐放大器的主要性能指标有谐振频率f0,谐振电压放大倍数AV0,放大器的通频带BW及选择性(通常用矩形系数Kr0.1来表示)等。
放大器各项性能指标及测量方法如下:1.谐振频率
放大器的调谐回路谐振时所对应的频率f0称为放大器的谐振频率,对于图1-1所示电路(也是以下各项指标所对应电路),f0
的表达式为
(1-10)
式中,L为调谐回路电感线圈的电感量;
为调谐回路的总电容,
的表达式为(1-11)
式中,Coe为晶体管的输出电容,Cie为晶体管的输入电容。谐振频率f0的测量方法是:
用扫频仪作为测量仪器,用扫频仪测出电路的幅频特性曲线,调变压器T的磁芯,使电压谐振曲线的峰值出现在规定的谐振率点f0
2.电压放大倍数
放大器的谐振回路谐振时,所对应的电压放大倍数AV0称为调谐放大器的电压放大倍数。AV0
的表达式为
式中,
为谐振回路谐振时的总电导。因为LC并联回路在谐振点时的L和C的并联电抗为无限大,因此可以忽略其电导。但要注意的是yfe本身也是一个复数,所以谐振时输出电压u0与输入电压ui
相位差为(180°+
)
AV0的测量方法是;在谐振回路已处于谐振状态时,用高频电压表测量图1-1中RL两端的电压u0与输入信号ui的大小,则电压放大倍数AV0由下式计算:
AV0=u0/ui3.通频带
由于谐振回路的选频作用,当工作频率偏离谐振频率时,放大器的电压放大倍数下降,习惯上称电压放大倍数AV下降到谐振电压放大倍数AV0的0.707倍时所对应的频率偏移称为放大器的通频带BW,其表达式为
BW=2△f0.7=fo/QL
式中,QL为谐振回路的有载品质因数。
分析表明,放大器的谐振电压放大倍数AV0与通频带BW
有关系为
(1-14)
或AV0=20lg(u0/ui)Db
(1-13)
(1-15)
上式说明,当晶体管选定即yfe确定,
且回路总电容
定值时,谐振电压放大倍数AV0与通
频带BW的乘积为一常数。这与低频放大器中的增益带宽积为一常数的概念是相同的。
通频带BW的测量方法:是通过测量放大器的谐振曲线来求通频带。测量方法可以是扫频法,也可以是逐点法。逐点法的测量步骤是:先调谐放大器的谐振回路使其谐振,记下此时的谐振频率f0及电压放大倍数AV0然后改变高频信号发生器的频率(保持其输出电压us不变),并测出对应的电压放大倍数AV0。由于回路失谐后电压放大倍数下降,所以放大器的谐振曲线如图1-3所示。
由式(1-14)可得
△f0.7
(1-16)
通频带越宽放大器的电压放大倍数越小。要想得到一定宽度的通频宽,同时又能提高放大器的电压增益。由式(1-15)可知,除了选用
yfe
较大的晶体管外,还应尽量减小调谐回路的总电容量
。如果放大器只用来放大来自接
收天线的某一固定频率的微弱信号,则可减小通频带,尽量提高放大器的增益。
4.选择性——矩形系数
调谐放大器的选择性可用谐振曲线的矩形系数KV0.1时来表示,如图(1-3)所示的谐振曲线,矩形系数KV0.1为电压放大倍数下降到0.1AV0时对应的频率偏移与电压放大倍数下降到0.707AV0时对应的频率偏移之比,即
KV0.1=2△f0.1/2△f0.7=2△f0.1/BW
(1-17)
上式表明,矩形系数KV0.1越小,谐振曲线的形状越接近矩形,选择性越好,反之亦然。一般单级调谐放大器的选择性较差(矩形系数KV0.1远大于1),为提高放大器的选择性,通常采用多级单调谐回路谐振放大器。可以通过测量调谐放大器曲线来求矩形系数KV0.1。实验参考电路
1.主要技术指标:谐振频率f0=10.7MHz,谐振电压放大倍数AV0≥10-15dB,通频带BW=1MHz,矩形系数Kr0.1<10。因fT比工作频率f0大(4-10)倍,所以选用3DG12C,选 =50,工作电压为12V,查手册得rb’b=70,Cb’c=3PF,当IE=1.5mA时Cb’e为25PF,取L≈1.8uH,变压器初级N2=23匝,次级为10匝。P2=0.43,P1=0
2.确定电路为单级调谐放大器,如上图
1-4。
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