基于PLC的真空镀膜机控制系统改造

基于PLC的真空镀膜机控制系统改造

摘 要：为克服传统的化学气相镀膜机电气控制缺点，开发了一套基于可编程控制器的化学气相沉积镀膜机控制系统。描述了该镀膜机控制系统的硬件结构和软件功能。对气体流量、基片温度及开关量的控制效果进行了大量的实验研究。结果表明：基片温度控制精度达到±1℃、工作（反应）气体的流量控制精度达到10ml、可以进行精确的开关量控制。应用表明：该控制系统可以实时监控并保证镀膜机的可靠运行。

关键词：化学气相沉积 镀膜机 温度 气体流量 控制 精度

1、前言

低温等离子体广泛应用于镀膜、半导体刻蚀等新材料制造领域。其中射频放电电容耦合等离子体（ccp）是射频等离子体的重要方式[1]。在射频电源作用下，平行板电极间的气体放电激发等离子体，等离子体在电磁场的作用下沉积在基片上形成薄膜。本文研究利用射频等离子体进行等离子体增强化学气相沉积（pecvd）制备（类）金刚石薄膜的工艺过程[2]。对原有的电气控制系统进行了改造，开发了工业控制计算机的控制系统，达到了对数据实时存储、显示和分析目的。

2、工艺简介

rf-500型cvd（化学气相沉积）镀膜机是根据射频放电电容偶合方式产生等离子体的设备，利用它可以进行化学气相沉积镀膜，其射频电源频率为13.56mhz。采用单室平行板电极电容耦合方式。目