实验室温湿度监控系统的设计(1)(4)

3.2.2 引脚介绍

VCC：电源电压 GND：地

P0口：P0口是一组8位漏极开路型双向I/O口，也即地址/数据总线复用口，作为输出口用时，每位能驱动8个TTL逻辑门电路，对端口写―1‖可作为高阻抗输入端口。在访问外部数据存储器或程序存储器时，这组口线分时转换地址（低8位）和数据总线复用，在访问期间激活内部上拉电阻。在Flash编程时，P0口接收指令字节，而在程序校验时，输出指令字节，校验时，要求外接上拉电阻。

P1口：P1是一个内部带上拉电阻的8位双向I/O口，P1的输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流）4个TTL逻辑门电路。对端口写―1‖,通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平，此时可作输入口。作输入口使用时，因为内部存在上拉电阻，某个引脚被外部信号校验期间，P1接收低8位地址。

P2口：P2是一个带有内部上拉电阻的8位双向I/O口，P2的输出缓冲级可驱动4个TTL逻辑门电路。对端口写―1‖,通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平，此时可作输入口，作输入口使用时，因为内部存在上拉电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流I。在访问８位地址的外部数据存储器（如执行：MOVX @Ri 指令）时，P2口线上的内（也即特殊功能寄存器，在整个访问期间不改变。Flash 编程或校验时，P2也接收高位地址和其它控制信号。

P3口：P3口是一组带有内部上拉电阻的8位双向I/O口。P3口输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流）4个TTL逻辑门电路。对P3口写入―1‖时，它们被内部上拉电阻拉高并可作为输入端口。作输入端口时，被外部拉低的P3口将用上拉电阻输出电流I。P3口除了作为一般的I/O口线外，更重要的用途是它的第二功能，P3口的第二功能如下表3-3。

表3-3 P3口的第二功能 端口功能 RXD（P3.0） TXD（P3.1） INT0（P3.2） INT1（P3.3） 第二功能 串行输入口 串行输出口 外中断0 外中断1 端口引脚 T0（P3.4） T1（P3.5） WR（P3.6） RD（P3.7） 第二功能 定时/计数器0外部输入 定时/计数器1外部输入 外部数据存储器写选通 外部数据存储器读选通 RST：复位输入。当振荡工作时，RST引脚出现两个机器周期上高电平将使单片机复位。ALE/PROG：当访问外部程序存储器或数据存储器时，ALE（地址锁存允许）输出脉冲用于锁存地址的低8位字节。即使不再访问外部存储器，ALE仍以时钟振荡频率的1/6输出的正脉冲信号，因此它可对外输出时钟或用于定时目地，要注意的是：当访问外部数据存储器时将跳过一个ALE脉冲。如有必要，可通过对特殊功能寄存器（SFR）区中的8EH单元的D0位置位，可禁止ALE操作。

PSEN：程序储存允许（PSEN）输出是外部程序存储器的读选通信号，当AT89S51由外部程序存储器取指令（或数据）时，每个机器周期两次PSEN有效，即输出两个脉冲访问外部数据存储器，高有两次有效的PSEN信号。

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EA/VPP：外部访问允许。欲使CPU访问外部程序存储器（地址0000H－FFFFH），EA端必须保持低电平（接地）。需注意的是：如果加密位LB1被编程，复位时内部会锁存EA端状态。如EA端为高电平（接VCC端），CPU则执行内部程序存储器中的指令。Flash存储器编程时,该引脚加上＋12V的编程电压VPP。

XTAL1：振荡器反相放大器及内部时钟发生器的输入端。 XTAL2：振荡器反相放大器的输出端。 3.3 SHT11 传感器 3.3.1 SHT11 传感器简介

SHT11 数字式温湿度传感器是由瑞士的 Sensation 公司设计的，是一种带有两线制串行接口的复合式传感器。片内实现了对数据的调试及其标定，并且测量精度可以调节，分辨率可以达到 8 位、12 位或 14 位，可由用户自行设定。输出的数据还带有 CRC 校验，保证了数据传输的准确性。其加工工艺采用了特殊的 COMS过程微加工技术，生产出的产品可靠性非常的高，并且能够长期工作在非常稳定的状态。

该复合式的传感器内部的集成度非常的高，将一个能隙式的测温元件、一个聚合体测湿元件、一个 A/D 转换器、一个加热器以及串行接口电路都集成在了一片 7.42×4.88×2.5 mm 的无铅芯片载体上，并且采用了无缝连接的工艺。极大的增加了产品的抗干扰能力，也使得芯片的响应时间非常的短，在同类产品中，性能非常的突出

为了使用户能够得到非常准确的温湿度信息，每个芯片在出厂前都经过了严格的测试，并将校正值存于内存中，简化了用户对采集数据处理的复杂度，同时也大大增加了产品的精度，绝对可以成为各种温湿度采集芯片中的佼佼者。 …… 此处隐藏：164字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……