20051100CDMA设计开发部电路设计规范 - 图文(12)

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MOSFET的栅极一般是在一层非常薄的硅氧化物绝缘层上制造的，具有非常高的电阻和一个小电容。当悬空时，管脚上微弱的感应电荷很难释放，就会在栅极上建立很高的电压，导致栅氧化物击穿而损坏器件。ESD防护二极管的可以防止避免器件损坏，但是我们要求采用电阻降低输入端阻抗，实现可靠的设计。

另外，悬空的CMOS输入端可能处于任意电平，也就导致了器件可能处于PMOS和NMOS直通的状态，甚至处于震荡状态消耗更多功率，减少器件寿命。

左上图就是当器件中一个驱动器输入电平和电流的关系。（来自TI文档SCBA004。）可以看到，当器件输入处于非确定电平（0.8V~2.0V）时，器件消耗了更多的电流，约为4mA左右。这个电流看起来并不大，但是需要注意的是，这个电流完全耗散在器件上，每个门的功耗大约为13mW。