AD9954芯片中文数据表（部分）

AD9954中文datasheet （对应datasheet p22-p27）

操作模式

单音信号模式

在单音信号模式下，DDS核使用了一个单独的调谐字（tuning word）。存储在FTW0中的任何值可被用来做相位累加。这个值仅能手动改变，通过向FTW0写一个新值并更新I/O来实现。相位调整可通过相位偏置寄存器实现。

RAM可控制操作模式

直接转换模式

直接转换模式使能FSK调制或PSK调制。AD9954在直接转换模式可以编程，其通过写RAM使能位为真并将每个期望的profile的RAM片段模式控制位编程成逻辑000（b）实现。对于当前profile，该模式仅读取了RAM片段起始地址的内容。直接转换模式下，没有地址ramping可用。

为了执行4-tone FSK，对于直接转换模式及一个唯一的起始地址值，使用者对每一个RAM片段控制字编程。另外，RAM使能位被写为真，这使得RAM、RAM目的文件位被写成false，设置RAM输出为频率调谐字。Profile〈1：0〉输入为4-tone FSK数据输入。当profile被改变时，存储在新的profile中的频率调谐字被加载到相位累加器中并且被用做相位连续型式中的当前存储值的增量。相位-偏置字驱使相位偏置加法器。对于数据而言，2-tone FSK可通过仅使用一个profile pin来完成。

对于为了PSK调制将AD9954编程和FSK是相似的，除了RAM目的文件位设置为逻辑“1”外，使RAM输出驱动相位偏置加法器。FTW0驱动输入至相位累加器。Toggling the profile pins 改变（调制）当前相位值。RAM的upper 14位驱动相位加法器（〈31：18〉）。当RAM目的文件位被设置时，RAM输出的Bits〈17:0〉未被使用。直接转换模式下，无停留位（no-dwell）是一项禁忌注意事项。 Ramp-Up模式

Ramp-Up模式，结合分割的RAM容量，允许多达4种不同的“sweep profile”在AD9954中编程。AD9954在Ramp-up模式可通过写RAM使能位为真，并且每个profile的RAM模式控制位可编程为习惯的逻辑001（b）。如所有模式，无论RAM输出是否驱动相位累加器或相位偏置加法器，其能使存储器，RAM目的文件位控制。

在开始一个扫描时 (通过一个I/O更新或者改变profile bits)，RAM地址产生器加载当

前RSCW RAM片段的起始地址位，从这个地址驱动RAM输出，并且斜率计数器加载RAM片段地址斜率位。当斜率计数器完成一个周期，RAM地址产生器增加至下一个地址，计数器再次加载ramp 比率位并且开始一个新的逆序计时周期。这个序列持续至RAM地址产生器增加了一个与当前RSCW的RAM片段最后地址位相等的地址。

如果no dwell位在RAM地址寄存器等于最终地址时是清楚的，当终端序列已经到达则地址发生器停止增加。扫描是完全的并且不会重启，直到一个I/O更新或者profile改变被检测到使其他扫描从起始地址至最后的RAM地址，如上文所描述。

如果no dwell位被设置，当RAM地址产生器等于最终地址时，在下一个ramp率计数器周期之后，相位累加器被清除。相位累加器保持被清除（状态）直到其他扫描被一个I/O更新输入或者profile改变引发时。

另一个ramp-up模式的应用是非对称FSK调制。With the RAM configured for two segments，使用profile〈0〉bit作为数据输入允许非对称ramped FSK。 双向Ramp 模式

双向Ramp模式允许AD9954在两个频率之间使用profile〈0〉信号作为控制输出提供一个对称式扫描。AD9954在双斜率模式下通过写RAM使能位为真并且RAM模式控制字的RSCW0为逻辑010（b）。双斜率模式下，profile〈1〉输入被忽略并且profile〈0〉输入是斜率方向指示器。在这种模式下，存储并非分段的，而是使用仅一个单独的开始及结束地址。影响着RAM控制的地址寄存器在与profile0相联系的RSCW中被加载。

在进入该模式时（通过一个I/O更新或者profile〈0〉改变），RAM地址产生器加载RSCW0的RAM片段起始地址位，并且斜率计数器加载RAM片段地址斜率位。RAM驱动来自起始地址的数据，且斜率计数器开始倒数到1。在该模式下操作时，toggling the profile〈0〉pin 不会引起设备产生一个内部I/O 更新。当profile〈0〉pin充当斜率方向指示器时，任何从I/O缓存到内部寄存器的数据转换只能够被一个I/O更新pin上的上升沿所引发。

现在的RAM地址控制是一个profile〈0〉输入的函数。当profile〈0〉位是逻辑1时，RAM地址产生器增加至下一个地址，当斜率计数器完成一个周期（并再次加载启动计数器）。如同ramp-up模式下，这个序列持续直到RAM地址产生器增加一个地址与最后的地址相等，只要profile〈0〉输入仍然保持为高。

如果profile〈0〉输入变低，RAM地址产生器快速减少并且斜率计数器重新加载。RAM地址产生器将在斜率周期内连续减少，直到RAM地址与起始地址相等时，只要profile〈0〉输入仍然保持为低。

序列的ramp上升和下降通过profile〈0〉输入信号来控制，因为只要该部分在双向ramp模式下编程（the sequence of ramping up and down is controlled via the profile〈0〉input signal for as long as the part is programmed into this mode.）在该模式下非停留位是一个Don’t Care，就像与profile1，2和3相联系的RAM片段控制字中的数据一样。仅profile〈0〉的RAM控制字中的信息被用来控制双向ramp模式下的RAM。 持续双向Ramp模式

持续双向ramp模式允许AD9954在两个序列之间提供一个自动对称扫描。AD9954在持续双向ramp模式下，通过写RAM使能位为真，且每个profile的RAM模式控制位习惯为逻辑011（b）来编程。

在进入该模式（通过一个I/O更新或者改变profile〈0〉）之前，RAM地址产生器加载当前RSCW的RAM片段起始地址位，并且斜率计数器加载RAM片段地址斜率位。来自起始地址的RAM驱动数据以及斜率计数器开始倒数至1。当斜率计数器完成一个周期时，RAM地址产生器增加至下一个地址，计数器再次加载斜率位并继续倒数。这个序列持续至RAM地址产生器增至一个与当前RSCW的RAM片段结束地址位相等时为止。在达到这个结束地址前，RAM地址产生器将减少斜率值直到斜率值达到RAM片段起始地址为止。在达到起始地址之前，整个序列将重复。

只要是在持续双向Ramp模式下来编程则整个序列就重复。在该模式下，非停留位是一个Don’t Care。通常，除了斜率上升及下降是自动的（无外部控制经profile〈0〉输入）并且开关profile是有效的外，持续双向Ramp模式在控制双边斜率模式时是一样的。一旦处于该模式下，地址产生器从起始地址下滑至结束地址，然后在把比率编程至斜率寄存器内时返回起始地址。该模式能使一个自动锯齿波特征产生。 持续循环模式

持续循环模式允许AD9954在两个频率之间提供一个自动的、持续单向扫描。AD9954通过写RAM使能位为真来在持续循环模式下编程并且每个profile的RAM模式控制位习惯为逻辑100（b）。

在进入该模式（通过I/O更新或者改变profile〈1：0〉）之前，RAM地址产生器加载当前RSCW的RAM片段起始地址位，斜率计数器加载RAM片段地址斜率位。来自起始地址的RAM驱动数据及斜率计数器开始倒数至1。当斜率计数器完成一个周期时，RAM地址产生器增加至下一个地址，并且计数器再次加载斜率位且继续倒数。这个序列持续到RAM地址产生器增加至与当前RSCW的RAM片段结束地址相等时为止。在达到这个结束地址

之前，RAM地址产生器再次加载RAM片段起始地址位并且该序列将重复。

只要该序列是在持续循环模式下被编程，循环中的序列通过指定RAM地址重复。非停留位在该模 …… 此处隐藏：3787字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……