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芯片制造-半导体工艺教程(5)

来源:网络收集 时间:2026-08-31
导读: 芯片制造-半导体工艺教程 学品和它们的特性。 分子,化合物和混合物 在2.3.1节,用玻尔原子模型解释物质的基本结构。这个模型可解释组成自然界所有物质的元素之间的结构差异,但是很显然自然界中超过了103(元素的

芯片制造-半导体工艺教程

学品和它们的特性。 分子,化合物和混合物

在2.3.1节,用玻尔原子模型解释物质的基本结构。这个模型可解释组成自然界所有物质的元素之间的结构差异,但是很显然自然界中超过了103(元素的数目)种物质。

非元素材料的基本单位是分子。水的基本单位是两个氢原子和一个氧原子组成的分子。材料的多样性源自原子之间相互结合形成分子。

每次我们想指定一个分子时就画一个如图2.15的图表是不方便的,更常用的方式是写出分子式。如水它就是熟悉的H2O。这个分子式确切地告诉我们在材料中的元素和其数目。化学家用更确切的术语―化合物‖来描述由元素的不同组合。这样H2O(水),NaCl(氯化钠或盐),H2O2(过氧化氢)和As2O3(三氧化砷)都是由一个一个分子集合成的不同化合物。 有的元素结合成双原子分子,双原子分子是分子中有两个相同元素的原子。熟悉的气体如氧气、氮气和氢气在自然状态下都是由双原子分子构成的。这样它们的公式就是O2,N2和H2。

物质还有其它两种形式:混合物和溶液。混合物由两种或更多种物质构成,但每种物质都保留各自的特性。典型的混合物就是盐和胡椒粉。

溶液是固体溶解于液体中的混合物,在液体中,固体分散分布,呈现出独特的性能。不过溶液中的物质并没有形成新的分子。盐水就是溶液的一个例子,可以把它分解回其初始状态:盐和水。

图2.15 水分子图 离子

术语―离子(ion)‖或―离子的(ionic)‖经常在半导体工艺中使用。该术语指的是材料中任何电荷不平衡的原子或分子。离子是通过在元素或分子的化学符号后加上一个正或负号的上标(Na+,Cl-)。举例来说,一个很严重的污染问题就是可移动的离子污染比如钠(Na+)。当钠进入半导体材料或器件中,由于钠带正电荷而引起问题。但在某些工艺如离子注入工艺中,形成离子如硼离子(B+)对完成工艺是很必要的。

第二章 半导体材料和工艺化学品---4 by r53858 物质的状态

固体,液体和气体

物质有四种状态:固体,液体,气体和等离子体(图2.16)。

**固体在常温常压下保持一定的形状和体积。

**液体有一定的体积但形状是变化的。一公升的水会与其容器形状一致。 **气体既无一定形状又无一定体积。它也会跟其容器形状一致,但跟液体不同之处是,它可扩展或压缩直至完全充满容器。

特定物质的状态与其压力和温度很有关系。温度是对材料中包含的所有能量的一种衡量。我们知道只需简单地改变其温度和(或)压力,水就可以在三种状态下存在(冰,液态水,蒸汽或水蒸气)。压力的影响更加复杂,超出了本文的

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讨论范围。

固体 液体 气体

等离子体

图2.16 物质的四种状态 等离子体

第四种状态就是等离子体。恒星就是一个典型的例子,它当然不符合固体,液体或气体的定义。等离子体是电离原子或分子的高能集合,在工艺气体上施加高能射频场可以诱发等离子体。它可用于半导体技术中促使气体混合物化学反应,它的一个优点就是它跟对流系统如烤箱里的对流加热相比,能量可以在较低的温度下传递。

物质的性质

所有物质都可用其化学组成和由化学组成而决定的性质来区分。在这一节,定义了好几个重要性质,都需要通过与半导体材料和工艺化学品打交道来理解的。 温度

不管是在氧化管中还是在等离子刻蚀反应室内,化学品的温度都对和其它化学品的反应发挥着重要影响,而且一些化学品的安全使用也需要了解和控制化学品的温度。有三种温度表示方法用于标识材料的温度,它们是华氏温标,摄氏温标和开氏温标(图2.17)。

水的沸点 水的冰点 绝对零度

图2.17 温度计量系统

华氏温标由德国物理学家Gabriel Fahrenheit用盐和水溶液开发的。他把溶液的冰点温度定为华氏零度,不幸地是纯水的冰点温度更有用,结果是在华氏温标中水的冰点温度为32度,沸腾温度为212度,两点之间相差180度。

摄氏或百分温标在科学研究中更为常用,将纯水冰点设为0度,沸点设为100度更有意义。注意这样在冰点和沸点之间正好是100度,这也意味着在摄氏温标中改变一度比华氏温标中需要更多的能量。

第三种温标是开氏温标。它和摄氏温标用一样的尺度,只不过是基于绝对零度。绝对零度就是所有原子停止运动的理论温度,该值为-273度。在开氏温标中,水在273度结冰,在373度沸腾。 密度,比重和蒸汽密度

物质的一个重要性质就是密度(dense)。当我们说某个东西是密集的,我们指的是单位体积的数量或重量。软木塞就比等积的铁密度低。密度以每立方厘米材料重量即克来衡量。水作为标准(在4摄氏度)每立方厘米重1克。其它的物质的密度用和相当体积的水的比值来表示。硅的密度为2.3,这样每立方厘米的硅就重2.3克。

比重(specific gravity)这个术语指的是4摄氏度时液体和气体的密度,它是物

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质的密度与水的比值。汽油的比重为0.75,意味着是水密度的75%。

蒸汽密度(vapor density)是指在一定温度和压力下气体的密度。空气每一立方厘米的密度为1,可以作为参考值。氢气的蒸汽密度为0.60,它是同体积的空气密度的60%。在同样大小的容器中,氢气的重量会是空气的60%。 压力和真空

物质另一个重要方面就是压力。压力作为一种性质通常用于液体和气体。压力定义为施加在容器表面上单位面积的力。 气缸中的气压迫使气体进入工艺反应室。所有的工艺机器都用量表表来测量和控制气压。

气压表示为英镑每平方英寸(psia),大气压或托。一个大气压就是在特定温度下包围地球的大气压力。这样高压氧化系统在5个大气压下工作,其压力是大气压的5倍。

空气的大气压为14.7psia,在气缸中气压要用psig或英镑每平方英寸的表。这意味着表的读数是绝对的,它并不包括外界的大气压。

真空(vacuum)也是在半导体工艺中要遇到的术语和情况,它实际上是低压的情况。一般来说,压力低于标准大气压就认为是真空。真空条件是用压力单位来衡量的。

低压倾向于用托来表示。这个单位是以意大利科学家托里切利,他在气体和其性质领域做出了很多重要发现。1托就是压力计中一毫米汞柱(manometer)所对应的压力。

如图2.18a所示的,想象当压力超过大气压时对压力计中水银柱的影响。当压力升高,在盘子里的水银受压而使水银柱升高。现在想象当气体从系统中抽走形成真空时会怎样(图2.18b)。只要有任何气体分子或原子在压力计中,施加在盘中的水银上的压力就会很小,从而水银柱就会升高一点点但很有限。水银柱变化是毫米级的,是与压力相关,或者在这种情况下是与真空有关。

蒸发,溅射和离子都工作在10-6到10-9托的真空(压力)。如果将其转换为只有一个简单压力计的真空系统,这就意味着水银柱才0.000000001(1x10-9)到0.000001(1x10-6)毫米高,非常小的长度。在实践中,水银压力计是不能测量这么低的压力的,而是使用其它更灵敏的压力表。

#1 第二章 半导体材料和工艺化学品---5 第二章 半导体材料和工艺化学品---5

by r53858

酸,碱和溶剂 酸和碱

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