芯片制造-半导体工艺教程

芯片制造-半导体工艺教程

芯片制造-半导体工艺教程 Microchip Fabrication

----A Practical Guide to Semicondutor Processing

目录:

第一章:半导体工业[1] [2] [3]

第二章:半导体材料和工艺化学品[1] [2] [3]

第三章:晶圆制备[1] [2] [3]

第四章:芯片制造概述[1] [2] [3]

第五章:污染控制[1] [2] [3] [4] [5] [6]

第六章:工艺良品率[1] [2]

第七章:氧化

第八章:基本光刻工艺流程-从表面准备到曝光

第九章:基本光刻工艺流程-从曝光到最终检验

第十章:高级光刻工艺

第十一章:掺杂

第十二章:淀积

第十三章:金属淀积

第十四章:工艺和器件评估

第十五章:晶圆加工中的商务因素

第十六章:半导体器件和集成电路的形成

第十七章:集成电路的类型

第十八章:封装

附录:术语表

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芯片制造-半导体工艺教程

#1 第一章 半导体工业--1

芯片制造-半导体工艺教程 点击查看 章节目录 by r53858 概述

本章通过历史简介，在世界经济中的重要性以及纵览重大技术的发展和其成为世界领导工业的发展趋势来介绍半导体工业。并将按照产品类型介绍主要生产阶段和解释晶体管结构与集成度水平。

目的

完成本章后您将能够：

1. 描述分立器件和集成电路的区别。

2. 说明术语 ―固态，‖ ―平面工艺‖，――N‖‖型和―P‖型半导体材料。 3. 列举出四个主要半导体工艺步骤。

4. 解释集成度和不同集成水平电路的工艺的含义。 5. 列举出半导体制造的主要工艺和器件发展趋势。

一个工业的诞生

电信号处理工业始于由Lee Deforest 在1906年发现的真空三极管。1真空三极管使得收音机, 电视和其它消费电子产品成为可能。它也是世界上第一台电子计算机的大脑，这台被称为电子数字集成器和计算器（ENIAC）的计算机于1947年在宾西法尼亚的摩尔工程学院进行首次演示。

这台电子计算机和现代的计算机大相径庭。它占据约1500平方英尺，重30吨，工作时产生大量的热，并需要一个小型发电站来供电，花费了1940年时的400, 000美元。ENIAC的制造用了19000个真空管和数千个电阻及电容器。 真空管有三个元件，由一个栅极和两个被其栅极分开的电极在玻璃密封的空间中构成(图1.2)。密封空间内部为真空，以防止元件烧毁并易于电子的====移动。

真空管有两个重要的电子功能，开关和放大。 开关是指电子器件可接通和切断电流； 放大则较为复杂，它是指电子器件可把接收到的信号放大，并保持信号原有特征的功能。

真空管有一系列的缺点。体积大，连接处易于变松导致真空泄漏、易碎、要求相对较多的电能来运行，并且元件老化很快。ENIAC 和其它基于真空管的计算机的主要缺点是由于真空管的烧毁而导致运行时间有限。

这些问题成为许多实验室寻找真空管替代品的动力，这个努力在1947年12月23曰得以实现。贝尔实验室的三位科学家演示了由半导体材料锗制成的电子放大器。

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这种器件不但有真空管的功能，而且具有固态（无真空）、体积小、重量轻,、耗电低并且寿命长的优点，起初命名为 ―传输电阻器‖而后很快更名为晶体管（transistor）。

John Barden, Walter Brattin 和William Shockley, 这三位科学家因他们的这一发明而被授予1956年的诺贝尔物理奖。

固态时代

第一个晶体管和今天的高密度集成电路相去甚远，但它和它的许多著名的后裔赋予了固态电子时代的诞生。除晶体管之外, 固态技术还用于制造二极管、电阻器和电容器。二极管为两个元件的器件在电路中起到开关的作用；电阻器是单元件的器件承担限制电流的作用.；电容器为两个元件的器件在电路中起存储电荷的作用，在有些电路中应用这种技术制造保险丝。有关这些概念和器件工作原理的解释请参见第14章。

这些每个芯片中只含有一个器件的器件称为分立器件（图1.4）。大多数的分立器件在功能和制造上比集成电路有较少的要求。大体上，分立器件不被认为是尖端产品，然而它们却用于最精密复杂的电子系统中。在1998年它们的销售额占全部半导体器件销售额的12%。2到20世纪50年代的早期半导体工业进入了一个非常活跃的时期，为晶体管收音机和晶体管计算机提供器件。

集成电路

分立器件的统治地位在1959年走到了尽头。那一年，在得州仪器公司工作的新工程师 Jacky Kilby 在一块锗半导体材料上制成了一个完整的电路。他的发明由几个晶体管、二极管、电容器和利用锗芯片天然电阻的电阻器组成。这个发明就是集成电路（integrated circuit），第一次成功地在一块半导体基材上做出完整的电路。

Kilby的电路并不是现今所普遍应用的形式，它是经Robert Noyce，然后最终在Fairchild Camera完成的。图1.5是Kilby的电路，我们可以注意到器件是用单独的线连接起来的。

早些时候在Fairchild Camera的Jean Horni 就已经开发出一种在芯片表面上形成电子结来制做晶体管的平面制作工艺（图1.6）。平面形式是利用了硅易于形成氧化硅并且为非导体（电绝缘体）的优点。Horni的晶体管使用了铝蒸汽镀膜并使之形成适当的形状来作器件的连线，这种技术称为平面技术（planar technology）。

Horni应用这种技术把预先在硅表面上形成的器件连接起来。

Kilby和Horni的集成电路成为所有集成电路的模式，这种技术不仅符合当时的需要，而且也是小型化和推动工业发展的生产有效成本制造业的根源。Kilby和Horni共同享有集成电路的专利。

图1.5 Kibly书中记载的集成电路

工艺和产品趋势

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从1947年开始，半导体工业就已经呈现出在新工艺和工艺提高上的持续发展。工艺的提高导致了具有更高集成度和可靠性的集成电路的产生，从而推动了电子工业的革命。这些工艺的改进归为两大类：工艺和结构。工艺的改进是指以更小尺寸来制造器件和电路，并使之具有有更高的密度，更多数量和更高的可靠性。结构的改进是指新器件设计上的发明使电路的性能更好，实现更佳的能耗控制和更高的可靠性。

集成电路中器件的尺寸和数量是IC发展的两个共同标志。器件的尺寸是以设计中最小尺寸来表示的，叫做特征图形尺寸, 通常用微米来表示。一微米为1/10,000厘米或约为人头发的1/100。

英特尔公司的创始人之一Gordon Moore在1964年预言集成电路的密度会每十八个月翻一番，这个预言后来成为著名的摩尔定律并被证明十分准确（图1.7）。 集成度水平表示电路的密度，也就是电路中器件的数量。集成度水平（integration level）（图1.8）的范围从小规模集成（SSI）到超大规模（ULSI）集成电路，ULSI集成电路有时称为甚大规模集成电路(VVLSI). 大众刊物上称最新的产品为百万芯片（megachips）。 除集成规模外，存储器电路还由其存储比特的数量来衡量（一个4兆的存储器可存储四百万比特），逻辑电路的规模经常用栅极（栅极是逻辑电路中基本的功能元件）的数量来 …… 此处隐藏：2666字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……