2022年重庆理工大学光电信息学院804电子技术[专业硕士]之电子技

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2018年重庆理工大学光电信息学院804电子技术[专业硕士]之电子技术基础-模拟部分考研核心

题库（一）.......................................................................................................................... 2 2018年重庆理工大学光电信息学院804电子技术[专业硕士]之电子技术基础-模拟部分考研核心

题库（二）........................................................................................................................ 22 2018年重庆理工大学光电信息学院804电子技术[专业硕士]之电子技术基础-模拟部分考研核心

题库（三）........................................................................................................................ 40 2018年重庆理工大学光电信息学院804电子技术[专业硕士]之电子技术基础-模拟部分考研核心

题库（四）........................................................................................................................ 61 2018年重庆理工大学光电信息学院804电子技术[专业硕士]之电子技术基础-模拟部分考研核心

题库（五） (78)

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第 2 页，共 94 页 2018年重庆理工大学光电信息学院804电子技术[专业硕士]之电子技术基础-模拟部

分考研核心题库（一）

说明：本套核心题库按照考试大纲、历年真题、指定参考书等结合考试侧重点和难度，精心整理编写。核心题库更突出针对性和实战性，考研冲刺必备资料。

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一、填空题

1． BJT 晶体管电流放大作用是用较小的_____电流控制较大的_____电流，所以晶体管是一种_____控制器件。

【答案】基极，集电极，电流。

【解析】晶体管的放大作用表现为小的基极(b)电流可以控制大的集电极电流。并且晶体管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。

2． 场效应晶体管常用的分为_____和_____两大类,它们与普通双极型管相比较,最重要特点是_____。

【答案】结型,MOS 型,双极型管有两种载流子同时参与导电而场效应管只有一种载流子参与导电。

3． 利用PN 结的_____电容随外加电压变化的特性可制成变容二极管，它工作时需要加_____偏压。

【答案】势垒、反向

【解析】PN 结中电容由势垒电容和扩散电容组成，正偏时以扩散电容为主，随正向电流增加而增加；反偏时以势垒电容为主，随反向电压的增加而减小。考虑到功耗特性，PN 结电容多采用其反偏电容。

4． 共模抑制比是_____之比,因此越大,表明电路的_____性能越好。

【答案】差模增益与共模增益,对共模信号(如噪声)的抑制

5． 对于下列要求分别应选用何种类型的反馈:

(1)某仪表放大电路要求输入电阻大、输出电流稳定，应选_____;

(2)某传感器产生的电压信号(无电流驱动能力)，经过放大后希望输出电压与信号电压成正比，应选用_____;

(3)要得到一个电流控制的电流源，应选用_____；

(4)要构成一个电路，其输入电阻小、输出电压稳定，应选_____。

【答案】(1)电流串联负反馈(2)电压串联负反馈(3)电流并联负反馈(4)电压并联负反馈

【解析】电流负反馈、电压负反馈能稳定输出的电流电压，其中电流负反馈减小输出电阻，电压负反馈增加。串联反馈可以增大输入电阻，并联反馈减小输入电阻。

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第 3 页，共 94 页 二、简答题

6． 电路如图1所示。

(1)试求

的表达式； (2)试求电路的通频带，允许做合理近似； (3)定性画出

的幅频特性曲线，并在频率轴(横轴)上标明和的值； (4)在的幅频特性曲线上标明

之最大值及其在横轴上对应的频率值f 。

图1

【答案】(1)在运算放大器的输入端运用虚短虚断特性有:

输出端满足:

联立①②③④得:

所以

(2)令，，则

则通频带

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(3)定性画出

的幅频特性曲线，并在频率轴(横轴)上标明和的值，如图

2所示:

图 2

(4)如幅频特性图标注。

7． 某两级放大器的框图如图(a)所示.

(1)设第一级是NPN 共射放大电路,第二级是NPN 共集放大电路.如果由于第一级的值过大

而使

和产生削波失真:试画出为正弦信号时的和的波形

.

(2)如将(1)中的NPN 管改成

PNP 管,重复(1).

(3)如图(a)中是两级NPN

管共射电路级联,当

为正弦信号时,测得

为

,

即产生了

顶部失真,而且已知是由于第二级的工作点不合适产生的,试问第二级产生了什么失真？

图(a)

【答案】(1)第一级过大,饱和失真(的正半周要失真),第一级是共射电路与

反相；

第二级是共集电路,

跟随

同相

,

和

的波形如图(b)和(c)所示.

图

(2)第一级过大,则产生饱和失真,对PNP 管而言,是的负半周产生失真,与反相,得

如图(d)所示,跟随

,如图(e)所示.

(3)V 为正弦信号,经放大反相后得,第二级工作点太低产生了截止失真而得所给

.