高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器为高效率降压或升压型 DC-DC 转换

高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器为高效率降压或升压型 DC-DC 转换器提供 5A 电流

高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器为高效率降压或升压型 DC/DC 转换器提供 5A 电流
凌力尔特凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4443/-1，该器件用于驱动同步整流转换器拓扑中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器与功率 MOSFET 和凌力尔特公司凌力尔特公司众多 DC/DCDC/DC 控制器之一相结合，可形成一个完整的高效率同步稳压器，以用作降压或升压型 DC/DC 转换器。 这个强大的驱动器可以吸收高达 5A 的电流并提供高达 2.4A 的电流，从而非常适用于驱动大栅极电容、大电流 MOSFET。LTC4443/-1 还可以为较大电流应用驱动多个并联 MOSFET。当驱动 3000pF 负载时，快速 12ns 上升时间和 8ns 下降时间最大限度减小了开关损耗。该器件还集成了自适应贯通保护，以防止高端和低端 MOSFET 同时导通，并最大限度缩短死区时间。该器件含有集成的自举肖特基二极管，可简化电路。 LTC4443/-1 包括一个三态 PWM 输入以用于电源级停机，该输入与所有具三态输出功能的多相控制器兼容。另外，该器件还有一个单独的电源，供输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配，而且在驱动器和逻辑电源端都有欠压闭锁电路。此外，该器件在 6V 至 9.5V 范围驱动高端和低端 MOSFET 的栅极，并在电源电压电源电压高达 38V 时工作。“-1”版本具有较高的 6.2V VCC 欠压闭锁，而不是 3.2V，以用来驱动标准 5V 逻辑 N 沟道 MOSFET。 LTC4443EDD 和 LTC4443EDD-1 都采用 3mm x 3mm DFN-12 封装，以 1,000 片为单位批量购买，每片价格为 1.35 美元。LTC4443IDD 和 LTC4443IDD-1 经过测试，保证在 -40oC 至 85oC 的工作温度范围内工作，千片批购价为 1.50 美元。 照片说明：同步 MOSFET 驱动器用于 DC/DC 转换器 性能概要：LTC4443/-1 ·          同步 N 沟道 MOSFET 驱动器 ·          大驱动电流 ─ 提供 2.4A，吸收 5A ·          自适应贯通保护 ·          驱动 3000pF 负载时高端栅极下降时间为 8ns ·          驱动 3000pF 负载时高端栅极上升时间为 12ns ·          三态 PWM 输入用于电源级停机 ·          集成自举肖特基二极管 ·          最高电源电压为 38V ·          栅极驱动电压为 6V 至 9.5V ·          LTC4443 的 UVLO 为 3.2V ·          LTC4443-1 的 UVLO 为 6.2V  凌力尔特公司简介 凌力尔特公司 (Linear Techno
logy Corporation) 创建于 1981 年，是一家高性能高性能线性集成电路制造商。凌力尔特于 1986 年成为一家上市公司，并于 2000 年成为由主要上市公司组成的 S&P 500 指数的成员之一。凌力尔特的产品包括高性能放大器、比较器、电压基准、单片滤波器、线性

高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器为高效率降压或升压型 DC-DC 转换器提供 5A 电流

稳压器、DC/DC 变换器、电池充电器、数据转换器、通信接口电路、射频信号修整电路及其它众多模拟功能。凌力尔特公司的高性能电路可用于电信、蜂窝