LED相关专利简介

中国照明电器

2011年第1期

CHINALIGHT＆LIGHTING

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LED相关专利简介

谢

菡摘编

BriefIntroductionofPatentsaboutLED

XieHan（extract）

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光子晶体LED

公开（公告）号：CN101904020A

摘要：一种半导体发光二极管（LED），包括用于跨产生光的活性区施加电压的第一和第二电极、发光表面以及多个光子晶体。此外，至少两个第一和第二类型的光子晶体适于从活性区提取光并且在至少一个晶格参数方面彼此不同。所述至少两个光子晶体中的每一个与对应的远场模式关联，

其中提供所述多个光子晶体的布置以便设置所述至少两个光子晶体。通过这种方式，通过组合与所述至少两个光子晶体中的每一个关联的所述对应的远场模式形成远场模式。2

利用氧化锌提高LED光提取效率的方法

公开（公告）号：CN101894890A

摘要：一种利用氧化锌提高LED光提取效率的方法，包括以下步骤：步骤1：取一GaN基发光二极管外延片；步骤2：在GaN基发光二极管外延片的出光面上生长一层ZnO单晶薄膜；步骤3：利用湿法化学腐蚀的方法，腐蚀ZnO单晶薄膜的表面，使ZnO单晶薄膜的表面在位错处出现腐蚀坑；步骤4：光刻生长有ZnO单晶薄膜的GaN基发光二极管外延片，在GaN基LED外延片上形成重复的LED基本结构单元，刻蚀LED基本结构单元的一侧形成一台面，制作出LED的基本芯片结构；步骤5：在LED的基本芯片结构的台面上制作N电极，在ZnO单晶薄膜的表面上或出光面上制作P电极，完成器件的制作。3

一种光子晶体结构GaN基LED的制作方法

公开（公告）号：CN101740704A

摘要：本发明公开了一种光子晶体结构GaN基LED

的制作方法，包括以下步骤：（1）在衬底上依次外延生长N-GaN层、多量子阱有源区和P-GaN层；（2）在P-GaN外延层上生长沉积ITO薄膜层；（3）将ITO靶材溶于盐酸溶液并稀释至合适浓度作为ITO的前驱体；（4）在生长沉积了ITO薄膜的外延片上铺一层单层的PS球，然后在PS球单层膜和ITO层之间的空隙填充ITO的前驱体溶液；（5）将带ITO前驱体溶液的外延片120℃干燥1h，在500℃煅烧30min，自然降至室温；（6）经光刻、腐蚀ITO和ICP干法刻蚀，使N-GaN层暴露；（7）制作出P电极和N电极；（8）将衬底减薄，解理后形成单个芯片。本发明制备的LED出光率能提高50%左右，具有成本低、工艺简单的特点，适合规模化生产。4

一种基于无掩模转移光子晶体结构的GaN基薄膜LED的制造方法公开（公告）号：CN101673792

摘要：本发明公开的一种基于无掩模转移光子晶体结构的GaN基薄膜LED的制造方法，在蓝宝石衬底上制作二维光子晶体，改善蓝宝石衬底上GaN基外延的晶格质量，

提高GaN基LED外延的内量子效率，将GaN基薄膜转移到热沉体材上后，利用GaN材料与SiO2掩模不同的蚀刻比，将二维光子晶体结构无掩模转移到GaN基薄膜的出光面上，提高GaN基LED的取光效率，即本发明的GaN基薄膜LED具有较高的光效及良好的热沉。5

一种LED共晶焊接的方法

公开（公告）号：CN101789484A

摘要：本发明揭示一种LED共晶焊接的方法，将支架的热沉插件放置于一金属夹具上，所述热沉插件为

36中国照明电器2011年第1期

Cu柱；通过等离子体处理Cu柱镀层表面，去除油污、表面氧化层；调节自动共晶焊机器加热温度至设定值，把芯片和Cu柱进行共晶焊接；把金属夹具与支架合模，

通过冲床把焊接好的芯片，热沉冲压进低温塑胶支架，完成共晶焊接。本发明相比较银胶固晶或锡膏固晶，

封装热阻大大降低，在相同的功率下，其结温低，一方面可以增加发光效率，另外一方面可以增加LED的可靠性。在耐受相同结温的芯片而言，其工作电流显著增加，这将增加单管封装的功率和单位流明的成本。6

一种新型铝制固晶板LED技术

公开（公告）号：CN101882655A

摘要：本发明公开了一种新型铝制固晶板LED技术，包括晶元、晶元座、引线、晶元副座及基板，所述晶元座为铝质材料，晶元直接与铝质材料相接触，从而相对现有技术来说，该发明具有工艺简便且散热效果好的特点。7

一种提高LED出光效率的固晶方法

公开（公告）号：CN101692476A

摘要：本发明涉及一种提高LED出光效率的固晶方法，

包括如下步骤：在金属基座上带有反光层的LED晶粒固定凹坑的底部固晶面上首先涂布一层适当范围的接着材料；完成后再将底面具有金属层的LED晶粒置于基座点有接着材料的固晶位置处，压实后升温到共晶温度，使LED晶粒底面的金属与基座通过锡膏实现共晶焊接；本发明接着材料只涂抹于LED晶粒与金属基座接触面，不影响LED立体发光，其周边发出的光通过固定凹坑反射出来，提高出光效率。8

一种LED的固晶方法

公开（公告）号：CN101740712A

摘要：本发明属于LED封装技术领域，具体涉及了一种LED的固晶方法。步骤为：将锡、银和铜按比例混合制成合金，

所得合金可直接在PCB基板电极上制作成合金薄层或与助焊剂按比例混合制备成锡膏，将助焊剂或锡膏点到PCB基板电极上，再将LED芯片放置于助焊剂或锡膏上，

并施加压力使LED芯片下助焊剂或锡膏形成一层薄层，采用加热设备按照优化的温度曲线对所述的混合层加热至合金锡膏熔化，助焊剂挥发，冷却，即完成LED的固晶；锡、银和铜三者的比例为95.5∶3.8∶0.7或96.5∶3∶0.5，

合金与助焊剂的比例为84∶16到90∶10。本发明采用成分为锡银铜的合金作为固晶材料，

相比银浆具有更大的热导率，相比其他锡的合金具有合适的固晶温度，而合金固晶的整个加热过程只需要几分钟，

因此这种方法能够减小产品热阻，降低工艺成本，提高生产效率。9

一种新型LED固晶方法

公开（公告）号：CN101694860A

摘要：本发明涉及一种新型LED固晶方法，在金属基座上带有反光层的LED晶粒固定凹坑的底部固晶面上首先涂布一薄层固晶胶；完成后再将LED晶粒置于基座点有固晶胶的固晶面处，压实便完成初步固晶，然后焊接金线、涂布荧光粉，最后再硅胶灌封将LED晶粒整体包裹在硅胶内完成最终固晶；传统LED通过固晶胶固晶，而本发明固晶胶只涂抹一薄层，起到初步固晶的作用，而最终通过封装硅胶进行固晶保护，本发明不影响LED立体发光，其周边发出的光通过固定凹坑反射出来，提高取光效率。10

LED多晶集成照明单元

公开（公告）号：CN101832487A

摘要：本发明涉及一种LED多晶集成照明单元，其特征是：主要由导热器与其固接的导光导热基板及LED集成单元构成，所述LED集成单元由若干只串联的小功率蓝光LED晶片组成，所述若干只小功率蓝光LED晶片呈矩阵排列并封装成带有电源引线的LED集成照明单元。有益效果：对封装材料、封装结构、导光结构、散热结构、电路结构、供电结构、锁定结构进行综合的技术路线改进，实现高光效、低发热、大功率、可锁定、易拆卸、长寿命、高可靠的LED集成晶片的照明，可方便地应用在路灯照明、景观照明、家庭照明、

航空照明、汽车照明等场所。单位成本明显降低，成本在2.5～7元/W之间。较之于同等光效（80～125lm/W）15～30元/W的价格，降低了数倍。经济效益预期良好。