开关稳压电源(E题)设计报告 国赛一等奖 大学生电子设计竞赛

电子设计大赛开关稳压电源(E题)设计报告 国赛一等奖 大学生电子设计竞赛

开关稳压电源（E题）

摘

要

本系统以Boost升压斩波电路为核心，以MSP430单片机为主控制器和PWM信号发生器，根据反馈信号对PWM信号做出调整，进行可靠的闭环控制，从而实现稳压输出。系统输出直流电压30V～36V可调，可以通过键盘设定和步进调整，最大输出电流达到2A，电压调整率和负载调整率低，DC-DC变换器的效率达到93.97%。能对输入电压、输出电压和输出电流进行测量和显示。

系统特色：1）输出电压反馈采用“同步采样”方式，能有效避免电压尖峰对信号检测的影响。2）采用多种有效措施降低系统的电磁干扰（EMI），增强电磁兼容性（EMC）。3）具有完善、可靠的保护功能，如：过流保护、反接保护、欠压保护、过温保护、防开机“浪涌”电流保护等，保证了系统的可靠性。

1方案论证

1.1DC-DC主回路拓扑

方案一间接直流变流电路：结构如图1-1所示，可以实现输出端与输入端的隔离，适合于输入电压与输出电压之比远小于或远大于1的情形，但由于采用多次变换，电路中的损耗较大，效率较低，而且结构较为复杂。

图1-1间接直流变流电路

方案二Boost升压斩波电路：拓扑结构如图1-2所示。开关的开通和关断受外部PWM信号控制，电感L将交替地存储和释放能量，电感L储能后使电压泵升，而电容C可将输出电压保持住，输出电压与输入电压的关系为UO=(ton+toff)，通过改变PWM控制信号的占空比可以相应实现输出电压的变化。该电路采取直接直流变流的方式实现升压，电路结构较为简单，损耗较小，效率较高。

综合比较，我们选择方案二。

1.2控制方法及实现方案

方案一利用PWM专用芯片产生PWM控制信号。此法较易实现，工作较稳定，

但不易实现输出电压的键盘设定和步进调整。

方案二利用单片机产生PWM控制信号。让单片机根据反馈信号对PWM信号做出相应调整以实现稳压输出。这种方案实现起来较为灵活，可以通过调试针对本身系统做出配套的优化。但是系统调试比较复杂。

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在这里我们选择方案二。

1.3

系统总体框图

1）Boost升压斩波电路中开关管的选取：电力晶体管（GTR）耐压高、工作频率较低、开关损耗大；电力场效应管（PowerMOSFET）开关损耗小、工作频率较高。从工作频率和降低损耗的角度考虑，选择电力场效应管作为开关管。

2）选择合适的开关工作频率：为降低开关损耗，应尽量降低工作频率；为避免产生噪声，工作频率不应在音频内。综合考虑后，我们把开关频率设定为20kHz。3）Boost升压电路中二极管的选取：开关电源对于二极管的开关速度要求较高，可从快速恢复二极管和肖特基二极管中加以选择。与快速恢复二极管相比，肖特基二极管具有正向压降很小、恢复时间更短的优点，但反向耐压较低，多用于低压场合。考虑到降低损耗和低压应用的实际，选择肖特基二极管。

4）控制电路及保护电路的措施：控制电路采取超低功耗单片机MSP430，其工作电流仅280μA；显示采取低功耗LCD；控制及保护电路的电源采取了降低功耗的方式，具体实现见附录图2，单片机由低功耗稳压芯片HT7133单独供电。

2电路设计与参数计算

2.1Boost升压电路器件的选择及参数计算

Boost升压电路包括驱动电路和Boost升压基本电路，如图2-1所示。

Clogic110uFGND

Llp

GND

SD+12VGND

Cout1Cout2Cout3Cout4

1000uF470uF104CBB104CBB

Uo+2

Clogic20.1uF

GND

(a)

图2-1

(b)

Boost升压电路

(a)PWM驱动电路（b）Boost升压基本电路

2.1.1开关场效应管的选择

选择导通电阻小的IRF540作为开关管，其导通电阻仅为77mΩ（VGS=10V,ID=17A）。IRF540击穿电压VDSS为55V，漏极电流最大值为28A（VGS=10V，25°C），允许最大管耗PCM可达50W，完全满足电路要求。

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2.1.2PWM驱动电路器件的选择

单片机I/O口输出电压较低、驱动能力不强，我们使用专用驱动芯片IR2302。其导通上升时间和关断下降时间分别为130ns和50ns，可以实现电力场效应管的高速开通和关断。IR2302还具有欠压保护功能。2.1.3肖特基二极管的选择

选择ESAD85M-009型肖特基二极管，其导通压降小，通过1A电流时仅为0.35V，并且恢复时间短。实际使用时为降低导通压降将两个肖特基二极管并联。2.1.4电感的参数计算

2U(UO UIN)IN1）电感值的计算：LB=mIOfUO

其中，m是脉动电流与平均电流之比取为0.25，开关频率f=20kHz,输出电压为36V时，LB=527.48μH，取530μH。

2

2）电感线径的计算：最大电流IL为2.5A，电流密度J取4A/mm，线径为d,则

d2

由J*π（=IL得d=0.892mm,工作频率为20kHz,需考虑趋肤效应，制作中采

2

取多线并绕方式，既不过流使用，又避免了趋肤效应导致漆包线有效面积的减小。2.1.5

电容的参数计算

CB=

I（OUO UIN）

UOf UO

其中，ΔUO为负载电压变化量，取20mV,f=20kHz,UO=36V时,CB=1465μF,取为2000μF，实际电路中用多只电容并联实现，减小电容的串联等效电阻（ESR），起到减小输出电压纹波的作用，更好地实现稳压。

2.2输出滤波电路的设计与参数计算（见附录）2.3控制电路的设计与参数计算

单片机根据电压的设定值和电压反馈信号调整PWM控制信号的占空比，实现稳压输出，同时，单片机与采样电路相结合，将为系统提供过流保护、过热保护、过压保护等措施，并实现输出电压、输出电流和输入电压的测量和显示。

PWM信号占空比D≈1 UIN

UO

当U2=15V，UO=36V时，UIN=1.2*U2-2V=16V，最大值DMAX=0.556；当U2=21V，UO=30V时，UIN=1.4*U2-2V=27.4V，最小值DMIN=0.087

系统对于单片机A/D采样精度的要求：题目中最高的精度要求为0.2%，欲达到这一精度，A/D精度要达到1/500，即至少为9位A/D，MP430内置A/D为12位，只要合理设定测量范围，完全可以达到题目的精度要求。

2.4保护电路的设计与参数计算

2.4.1过流保护(共三级)共三级)1）输入过流保护

在直流输入端串联一支保险丝（250V，5A），从而实现过流保护。2）输出过流保护

输出端串接电流采样电阻RTEST2，材料选用温漂小的康铜丝。电压信号需放大后送给单片机进行A/D采样。过流故障解除后，系统将自动恢复正常供电状态。3）逐波过流保护

逐波过流保护在每个开关周期内对电流进行检测，过流时强行关断，防止场

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效应管烧坏。具体实现电路见附录图5（a）。考虑到MOS管开通时的尖锋电流可能使逐波过流保护电路误动作，加入如附录图5（b）所示电路。2.4.2反接保护

反接保护功能由二极管和保险丝实现，电路如附录图3（a）。2.4.3过热保护

通过热敏电阻检测场效应管的温度，温度过高时关断场效应管。

“浪涌”保护2.4.4防开机防开机“浪涌”

用NTC电阻实现了对开机浪涌电流的抑制，见附录图3（a）。2.4.5场效应管欠压保护

利用IR2302的欠压保护功能，对其电源电压进行检测，使场效应管 …… 此处隐藏：5611字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……