电子元器件电应力失效分析[论文]

电子元器件电应力失效分析

【摘要】 为了对电应力失效现象进行深层次的认识和理解,本文对电应力失效的现象特征、失效机理、检测方法和分析结论进行了总结,总结出了电应力的失效分析结论共有三类5种情况。通过详细的分析对比,可以分析出电子器件电应力失效的根本原因及形成过程。

【关键词】 静电损伤过电应力电迁移失效机理失效分析

随着现代社会科技化程度的不断提高,电子器件的使用范围不断扩大,电子器件在我们的生活和工作中随处可见。由于电子器件应用范围的广泛,电子器件的失效现象也是多种多样,随处可见。电应力失效作为电子器件失效的重要方面,电气器件电应力失效的分析与研究,对电子器件的生产、使用和研发等具有深远的意义。 1 电应力的失效现象特征

(1)电应力失效是指由于使用了超出或违背了器件规范规定的电压和电流的电应力,造成封装器件的失效。电应力失效的主要表现形式有:esd静电损伤、eos过电损伤、电迁移。

(2)静电(esd)损伤的主要特征有:晶格熔化或金属与硅共熔,使p-n结受损短路;氧化层汽化产生空洞使器件短路、开路;金属联线挥发造成器件之间短路、开路。

过电应力(eos)失效的主要特征:在失效分析的实践中,过电应力损伤还经常指有明显可见熔蚀痕迹的损伤,特别是封装材料有碳化现象:一般表现为键合丝熔断,造成开路;芯片表面金属布线熔融蒸