微星880G主板BIOS设置详细解析(下)(2)

据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。参数范围1-15。

tRRD（RAS to RAS Delay）：行选通到行选通延迟，也称为Row to Row delay。这是表示“行单元到行单元的延时”。该值也表示在同一个内存模组连续的行选通动作或者预充电行数据命令的最小延迟时间。tRRD值越小延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。如果出现系统不稳定的情况，需将此值设定较高的时钟参数。参数范围1-7。

tWTR（Write to Read Delay）：写到读延时。这个参数表示在同一内存Bank区写命令和下一个读命令之间的延迟时间。也就是在同一个单元中，最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。tWTR值偏高，降低了读性能，但提高了系统稳定性。偏低则提高读写性能，但系统会不稳定。参数范围1-15。

tRFC（Refresh Cycle Time）：刷新周期时间，这个参数表示自动刷新“行”周期时间，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。参数范围30-110。

行刷新是按内存插槽进行的。所以tRFC参数有时又内存的DIMM槽细分为tRFC0（DIMM0的）/tRFC1（DIMM1的）/tRFC2（DIMM2的）/tRFC3（DIMM3的）。

tRWTTO（Timing of Read to Write）：数据从读到写转变时间。这是CAS读操作命令最后周期到下一个写操作命令之间的最小周期时间。这个参数也是越小越好，但太小也会不稳定。

tWRRD（Timing of Write to Read）：写到读时间。这是在不同的内存芯片或DIMM槽之间，第一个虚拟CAS写突发操作到跟着的一个读突发操作的最小周期时间。这个参数也是越小越好，但太小也会不稳定。

tWRWR（Timing of Write to write）：写到写时间。这是从第一个虚拟CAS写突发操作的最后一个周期到跟着的一个写突发操作（这个改变是终端器允许的）的最小周期时间。这个参数也是越小越好，但太小也会不稳定。

tRDRD（Timing of Read to Read）：读到读时间。这是在不同的内存芯片或DIMM槽之间，第一个虚拟CAS读突发操作到跟着的一个读突发操作的最小周期时间。这个参数也是越小越好，但太小也会不稳定。

以上介绍的17个参数值在DCT1和Both的参数设置中也是相同的。

第3页：微星880G主板BIOS设置详解（下）[3]

微星880 BIOS 设置 很详细。

2-2、DRAM Drive Strength DRAM驱动强度

这里是设置内存驱动强度，有4个参数，Auto是BIOS自动依据内存SPD设置。其他是用户自己设置，DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。下面以DCT0为例，看看驱动强度各项目的设置。

每个通道的信号驱动强度有7项：

CKE Drive Strength：时钟允许（Clock enable）信号驱动强度

设置值有Auto、1.0x/1.25x/1.5x/2.0x

CS/ODT Drive Strength：片选/内建终端电阻驱动强度

设置值有Auto、1.0x/1.25x/1.5x/2.0x

Addr/Cmd Drive Strength：地址/命令驱动强度

设置值有Auto、1.0x/1.25x/1.5x/2.0x

Clock Drive Strength：时钟信号驱动强度

设置值有Auto、0.75/1.0x/1.25x/1.5x

Data Drive Strength：数据信号驱动强度

设置值有Auto、0.75/1.0x/1.25x/1.5x

DQS Drive Strebgth：数据请求信号驱动强度

设置值有Auto、0.75/1.0x/1.25x/1.5x

ProcOdt：CPU内建终端电阻

设置值有Auto、240ohms/120ohms/60ohms

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2-3、DRAM Advance Control DRAM高级管理

DRAM高级管理有4个参数，Auto是BIOS自动依据内存SPD设置。其他是用户自己设置，DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。下面以DCT0为例，看看高级管理各项目的设置。

每个通道的高级管理有6项。

DRAM Termination：内存芯片的片内终端电阻。从DDR2开始内存防止信号干扰的终端电阻放在芯片内。DDR3也是这样。这项是设置终端电阻的参数，设置参数有Auto、Disabled、75 ohms、150 ohms、50 ohms。默认是Auto。

DRAM Drive Weak：减弱DRAM驱动强度。设置参数有Auto、Normal、Reduced。Auto是让BIOS依据内存条自动设置。Normal是默认强度，Reduced是减弱驱动强度。

DRAM Parity Enable：允许DRAM 奇偶校验。奇偶校验是对内存读写是防止数据错误的一种方法。但允许奇偶校验会影响内存读写速度。设置参数有Auto、Enabled、Disabled。默认设置是Auto。

DRAM Self Refresh Rate Enable：允许DRAM自刷新速率。DRAM刷新就是充电，通过充电保持数据信号。自刷新是关闭系统时钟CKE，DRAM采用自己的内部时钟确定刷新速率。设置参数有Auto、Enabled、Disabled。默认设置是Auto。

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DRAM Burst Length 32：DRAM突发模式的长度32。突发模式是系统对内存读写时一次连续读写。连续读写的长度有32字节和64字节。这项设置就是选择32字节，还是64字节。设置参数有Auto、64字节、32字节。默认是Auto。Auto就是由系统依据数据分布自动采用突发模式的长度。

Bank Swizzle Mode：Bank搅和模式。内存芯片内的存储单元是按矩阵排列的，每一矩阵组成一个Bank，芯片内的Bank有4 Bank、8 Bank等，一般中文称之为逻辑Bank。 内存芯片组成内存条后，也有Bank，一般以64位为一个Bank。通常一面内存的8颗芯片构成一个Bank。双面就是2个Bank。CPU和内存进行数据交换时以Bank为单位，一次交换64位数据，也就是通常说的“带宽”，双通道就是128位。这种Bank称之为物理Bank。CPU访问内存时先定位物理Bank，然后通过片选（信号）定位芯片内的逻辑Bank。

插在DIMM槽的内存条有1个或2个片选Bank，访问命令不管实际有几个片选Bank，都是覆盖2个。Bank Swizzle模式就是通过异或（XOR）逻辑运算，判定实际的片选Bank。设置参数有Auto、Disabled、Enabled。Auto就是交给BIOS和系统处理。Disabled就是禁止Swizzle模式，Enabled就是允许。Swizzle模式可以提高CPU的性能，但是会影响显卡性能。一般还是设置Auto为好。

2-4、1T/2T Memory Timing 命令周期1T/2T

这个选项也叫做“命令速度”，就是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。1T当然比2T快。但是要依据内存条的性能。性能低的设置1T后肯定要蓝屏死机。一般保持Auto就是依据SPD设置。

2-5、DCT Unganged Mode

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内存通道控制模式。选择内存通道的控制模式，Ganged是一个双通道，128位带宽。Unganged是2个单通道，64位x2带宽。设置选项是Disabled（Ganged）和Enabled（Unganged）。默认是Enabled。Unganged模式和Ganged模式比较，Unganged模式比较好。

2-6、Bank Inter leaving

Bank交错存取。内存bank 交错存取可以让系统对内存的不同bank同时存取，可以提升内存速度及稳定性。设置值有Auto和Disabled，默认值是Auto(开启交错存取)。 2-7、Power Down Enable

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开启或关闭DRAM Power Down。内存掉电设置，选项有Disabled和Enabled。默认是Disabled。

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