模拟电子技术基础(第四版)第7章(2)

β0

所以： 所以： fT ≈ β 0 f β

可以求解C 由fT可以求解 π

2011-6-28

模拟电子技术基础(第四版)华成英 上课ppt课件

第18讲 讲

5.3 FET的高频等效模型 的高频等效模型由于FET各电极间存在极间电容：Cgs、Cgd和Cds,其中Cds最小。 各电极间存在极间电容： 最小。 由于 各电极间存在极间电容 同时FET也存在：rgs和rds。 也存在： 同时 也存在 FET的高频模型 的高频模型 忽略： 忽略：rgs和rds, Cds 密勒定理” 用“密勒定理”将Cgd单向 化。 忽略： 忽略： C ′′dg FET的简化高频模型 的简化高频模型

′ 其中： ′ 其中： C gs = C gs + C gd ′ ′ C gd = (1 + gm RL )

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5.4 单管电路的频率响应分频段法： 为了简化运算，将频率分成三个频段进行分 分频段法： 为了简化运算， 低频段、 析—低频段、中频段和高频段。 低频段 中频段和高频段。 电容在各频段所起的作用： 电容在各频段所起的作用： 高频段：只有C 起作用， 等耦合旁路电容视为短路。 高频段：只有 ′π、C ′gs起作用，C1、C2、Ce等耦合旁路电容视为短路。 中频段：电容C 视为开路， 等均视为短路。 中频段：电容 ′π、C ′gs视为开路， C1、C2、Ce等均视为短路。 低频段：只有电容C 起作用， 等视为开路。 低频段：只有电容 1、C2、Ce起作用， C ′π、C ′gs等视为开路。

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