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multisim电路仿真实验报告

来源:网络收集 时间:2026-09-10
导读: multisim电路仿真实验报告 模拟电子技术课程 multisim仿真 一、目的 2.19 利用multisim分析图P2.5所示电路中Rb、Rc和晶体管参数变化对Q点、Au、Ri、Ro和Uom的影响。 二、仿真电路 晶体管采用虚拟晶体管,VCC 12V。 1、当Rc 5k , Rb 510k 和Rb 1M 时电路图如

multisim电路仿真实验报告

模拟电子技术课程

multisim仿真

一、目的

2.19 利用multisim分析图P2.5所示电路中Rb、Rc和晶体管参数变化对Q点、Au、Ri、Ro和Uom的影响。

二、仿真电路

晶体管采用虚拟晶体管,VCC 12V。

1、当Rc 5k , Rb 510k 和Rb 1M 时电路图如下(图1):

图 1

2、当Rb 510k ,Rc 5k 和Rc 10k 时电路图如下(图2)

multisim电路仿真实验报告

图 2

3、当Rb 1M 时, Rc 5k 和Rc 10k 时的电路图如下(图3)

图 3

4、当Rb 510k ,Rc 5k 时, =80,和 =100时的电路图如下(图4)

multisim电路仿真实验报告

图 4

三、仿真内容

1.

当Rc 5k 时,分别测量Rb 510k 和Rb 1M 时的UCEQ和Au。由于输出电压很小,为1mV,输出电压不失真,故可从万用表直流电压(为平均值)档读出静态管压降UCEQ。从示波器可读出输出电压的峰值。

2. 当Rb 510k 时,分别测量Rc 5k 和Rc 10k 时的UCEQ和Au。

3. 当Rb 1M 时,分别测量Rc 5k 和Rc 10k 时的UCEQ和Au。

4. 当Rb 510k ,Rc 5k 时,分别测量β=80,和β=100时的UCEQ和Au。

四、仿真结果

1、当Rc 5k ,Rb 510k 和Rb 1M 时的UCEQ和Au仿真结果如下表(表1 仿真数据)

multisim电路仿真实验报告

表格 1 仿真数据

2、当Rb 510k 时, Rc 5k 和Rc 10k 时的UCEQ和Au仿真结果如下表(表2 仿真数据)

表格 2 仿真数据

3、当Rb 1M 时, Rc 5k 和Rc 10k 时的UCEQ和Au仿真结果如下表(表3 仿真数据)

表格 3 仿真数据

4、当Rb 510k ,Rc 5k 时,分别测量 =80,和 =100时的UCEQ和Au的仿真结果如下表(表

4 仿真数据)。

表格 4 仿真数据

五、结论及体会

1. 当Rc为定值时,Rb增大,ICQ减小,UCEQ增大,Au减小。

2. 当Rb为定值时,若Rb的阻值过小,则电路容易产生饱和失真,此时当Rc增大, 电路

multisim电路仿真实验报告

的放大倍数不会增大,电路没有放大作用。

3. 当Rb、Rc为定值时,当 增大时,Au的值也增大。

4. 实验心得:本次仿真实验用到了以前没有用过的元件,元器件参数复杂,由于以前没有

接触过这些参数,很多都看不懂,这给实验带来了很大困难。但是通过查阅各种资料,

我终于将各参数的意思大致弄清楚了。通过本次试验,使我的自学能力得到了进一步提高。同时我也感受到了计算机在科技发展过程中的巨大作用,它使研究的效率得到了大大提高。这也进一步激发了我对专业学习的兴趣。

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