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基本测试题标准答案

来源:网络收集 时间:2026-09-28
导读: 電子基礎測試題目 姓名: 標准答案 評分: 一、元件知識{注:以下問題做重點描述即可}(20分): 電容特性: 隔直通交 ,二極管特性: 單向導電性 ; 電阻特性: ,MOSFET為何器件: 金屬氧化物半導體場效應管 ; 三極管作用: 交流放大 ﹔什麼是三極管的

電子基礎測試題目

姓名: 標准答案 評分: 一、元件知識{注:以下問題做重點描述即可}(20分):

電容特性: 隔直通交 ,二極管特性: 單向導電性 ;

電阻特性: ,MOSFET為何器件: 金屬氧化物半導體場效應管 ; 三極管作用: 交流放大 ﹔什麼是三極管的輸出特性曲線﹖是以基極電流Ib為參變量集電極電流ic隨集電極電壓VCE變化的曲線 ﹔三極管工作三個區為﹕ 飽和﹑放大﹑截止 MOSFET與三極管特性上有何不同﹕﹔ 光電耦合器為何器件﹕ 以光為媒介來傳輸電信號的器件 ﹔

二、換算(20分):

1、1NF= PF PF;

NF; 誤差J﹑K﹑M分別表示誤差為﹕ 2、識色環(並標出誤差)﹕棕橙橙金歐 歐; 棕黑銀銀 歐;灰黑紅金 棕紅紅棕棕 歐 三、畫出三種基本放大電路?(15分)

半波整流 全波整流 橋式整流

五、畫出AC-DC PWM開關電源電路方框圖?(10分)

六﹑電路分析﹕(10分)

T1

原理分析﹕

R2為Q1啟動電阻,通電瞬間使

Q1導通,IC電流上升,P產生上

正下負之電壓,因P和P1為相同

繞阻,固P1亦為上正下負之電

壓,此電壓經R3、C2使Q1迅速 飽和,P儲能達到β*Ib,此時P產

( RCC方式原理圖 ) 生反向電勢,瞬間變為上負下

正,P1亦為上負下正,此負電壓

經R3、C2使Q1迅速截止,截止同時R2經C2充電,U6上升,使Q1雙進入飽和狀態,如此循環,形成振蕩,在Q1截止期間P初級向S次級傳輸能量,S為上正下負之電壓,此電壓經D3整流C7濾波後,傳是給後級。

七﹑計算題﹕無源電子恆流負載(10分)

求:(VR1調到最大和最小時流過R7的電流Iomax=?A ﹑

Iomin=?A) 1﹑當VR1=0R Iomin=U/R=1.25V/3.3R

Iomin=0.379A

2﹑當VR1=30K

Iomax=U/R=UR7/R7

∵I1=IR6=I(IR6+IVR1)=1.25V/R6 ∴UR7=1.25/R6*(R6+VR1) Iomax=1.25/R6*(R6+VR1)/R7 Iomax=1.25/10K*(10K+30K)/3.3 Iomax=1.515A

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