第1章1.3 微电子技术

第1章信技息术概章述1. 3微电子术技简介

1.微3子电术技简介(1微)子技电与术成集电路( 2集)成电路的造 (3制)集电路成发的展趋 (4)势C卡I

21第章信息术技述概

()微电子技1与术集电成路1()电微子技术与集成电

路电子微术是信息技技术域中领的关键术，技键术技，是展发电信子息产业各和项高技的术础基 电微子技术核心的集是成路电技术

什是么电电子路？么是电什子电？路电子电路电由阻，容电，子电路电电阻，由容，电感和电极二管、晶体管元器件组成等，管极晶、管等元体件组器，成们它过通导线接连起来，通过线导连接来起，使电流在中其流动，完信成的号生成放大、流动，完、成号的生信、放大成变换、或传等输能功过,去去过，路由电单元器件(分个元立件元器)件分(立元)件电线和连而成，接电和线接而成连现，则大多在作成制集成路形式

电电板4路1第信息技章概术述

子电电中路元件的发器演变展电子 (19管04)晶体管(9148)规模小中/小模规成电路 (集150’9) s大模规/大超模规集成电(路9107’)s集成路电微子电技是以集成术路电成集电为核心路的电子技 微电子术是技集以电路为核成的电心子技它在是电子器元件小化、型术，它是电在子器件元型化、小微化型过的程中发起来的。展中展起来的发5。1章第息信技概述术

什么集成是路？电什是集么成电路?成集电路(In tgeratd eircuiC,t称I简):采用C面工艺平，以半导体晶片单为作片,基采平面用工，艺将晶管体、电、将晶体管阻电阻、电容、元器件及其连线等构成所的路电制在基作上片所成的构个微一化的型电路系或统集成电的优路：集成点路的优点电：体积小、积体小、重轻量耗小、功功耗小成、低本超大规集模成电路小规模成电集路速快度、速度、可快性靠高

6第1章息技术概述信

各各样种的集成路电7第章1息信术技述

IC概所是有子产电品的心是所核电有产子品的心

核8第1章信息术技概述

集

电成路分的类按用分途：按用分途

:成电路集规通用模集成电路用集成电专路 (专集成用路电AS(C) I

元器件)数<100目 01~00030万 300~10万0几万亿十10~万十亿万几 1>00

按万电的功路能：分电路的功能按：数字分集成电模拟路集成路

电规小集成模电路 (SI) )S中模集规成电(路MS)I)大模集成规电路LS(I )超)规大集成模电路(电 (V路LI) S)极规模大集成电路(路电ULSI) ()

按体晶结构管、路和电艺工：分按晶管体构、结路和工艺电：双分型(极)双型极(Bpiola)电r

路金属化氧物导半(体MS)O电路金氧属物半导化电体·路·····按集成度 (集成度按片中包芯的含器元数件)数目目分

:9

1章第信息技术述概(

)集2电路成制造的选()学 2(集成)路电制造的(学选 )集电路的制造成 成集电的制路造序繁多工从，原料炼熔开到最始集成路电制的造工序繁多终，产包装品约大要需40多0道序工，400多道工序终产品包大装约要需400道工序多工，艺杂复技且术难非常度，有一系列的关高技键术。难术非度常，高一有系的关列键术。技多工序许须在必温、恒恒、超洁净的无湿尘厂内完房成。须恒温在、恒湿超洁净的无尘、房内厂完。成 兴一建有两个生产线能条加工8英晶寸圆集的电兴建成一个有两生产条线加能工8工厂需投资人路民1币0亿以元上。路厂工投资人需民币10元亿上以。1亿0以上元

—制造业—

集成电的路制过造程11第1章信技息术概

集述成电的路造制程过硅光抛片硅面平艺工

测检晶、检圆、分测类芯片装封成电路成集品试成测品单晶硅锭单晶硅经锭切、研割和抛磨光后成制镜面样光一的圆形薄滑片，薄形，称为硅抛片光”“片硅光抛片”21硅面平工艺括氧化包、刻、光平面工艺包硅氧括化、光刻、掺杂和连互工等序掺杂和，互等连序，工最终硅片上制在包含多层电路成及子元电件集的成电。路子元电的件集电成。路通常一硅抛光片每可制作上成上百个千立的集成独路，电千上独立的集成电路个这，种整齐整齐排了满集成路电的片硅称作“晶”圆硅片称作的“晶圆”晶圆对上每的电路个行检测进电，进行检测，路后然晶将切开圆成小片，成小片，合把的电路格类，的分电分路，再类封装成个个一独立的集成电路

行成进测品试按其，能性参数分不同等级，为级等，贴上规格型号出及厂日等期标，日签等期签，成标即可品厂出第1章信息技术概述

成电集路生线产

集电路成业产发迅展速，新创能力断增不。强集电成路业产发展迅，创新能力速断不增。强图我为国芯国中集成电际有限公路12英寸超司规大模成集电生路线产13第1章息技信术述

概集成

电路封装集成电的的封装路集成路电封装目 集的电路封成目装：的集电路成装封目的:电功、能热功能散、功能、散热功能、机电与械化保学功能护FCP-AG2封方装式理处器 ()ePnitmu处4理)器集成路电插座14

第章 1信技息概术述

(3

)成电路的发集展趋 (3势)成集电路发展的势趋 成集电路工作的度速要主决于晶取管的尺寸体。集电路的工成速度作要主决于取晶体的管尺寸。体晶的管尺

寸越，小极限工其频率作越高，晶体的管寸越小，尺其限工作频极越率，高门电路开关速度就的越，快开的速度就越快关相同，面的晶片可积纳容的晶体数目管就越。多管数就目越多 。以所从成电集路世问以，来们就人直在一小缩晶所从以集电成路世以来问体，、电管阻、电容连接线、尺的寸下上功夫体管、电阻、。容、电连接的尺线寸上下夫。功

IC成度提集高的律规集成度提高的规律定律：律定块单集电成的集成路度平每18个均翻月ooreM定律：单集块成路电集成的平均度每个月翻年一番 (oGrodn E.Moor,1965e年):I例netl处理微集成器度的展发处理器微集成度的展发酷2睿核双(0026) 291~10M晶4体管酷睿四核 2睿酷核四( 200) 728M0晶体 )管六核( ore C7i六核 2(100)>0亿1体晶管8048 60883680 2688 80 60808 ePntium

晶体管数COERi 7 OCER 2Q uda ORE 2CD uoP ntium 4 eentiuPm II IPneitm IIu

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161第1章信技术概述

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