实验7 SRAM 外部数据存储器扩展实验

实验7 SRAM 外部数据存储器扩展实验

一、实验目的

1.掌握89C51 单片机扩展外RAM 的方法

2.了解静态RAM 使用方法

二、实验说明

MCS-51 型单片机内有128B 的RAM，只能存放少量数据，对一般小型系统和无需存放大量数据的系统已能满足要求。对于大型应用系统和需要存放大量数据的系统，则需要进行片外扩展RAM。

MCS-51 型单片机在片外扩展RAM 的地址空间为0000H～FFFFH 共64KB。读写外RAM 时用MOVX指令，用RD 选通RAM OE 端，用WR 选能RAM WE 端。扩展外RAM 芯片一般采用静态RAM（SRAM），也可根据需要采用E2PROM 芯片或其他RAM 芯片。本实验使用SRAM 62256 芯片进行片外RAM 扩展。

62256 具有32KB 空间，因此它需要15 位地址（A0～A14），使用P0、P2.0～P2.6 作为地址线，P2.7作为片选线。62256 的全部地址空间为0000H～7FFFH。

62256 芯片管脚功能介绍：

D0～D7：数据线 A0～A14：地址线

WE：写允许，低电平有效 OE：读允许，低电平有效

CS1：片选端，CS1 低电平有效。

三、实验电路图

本实验需要用到80C51 MCU 模块（C 区），SRAM 模块（A2 区）。80C51 MCU 模块电路原理参考附录三， SRAM 接口电路原理参考图16.1。

四、实验步骤

1.用8P 数据线分别连接80C51 MCU 模块的 JD0C（P0 口）、JD5C（A0～7 口）、JD2C（P2 口） 到SRAM 模块的JD3A4（D0～7 口）、JD1A4（A0～7 口）、JD2A4（A8～12 口），用二号导线分别连接80C51 MCU 模块的RD、WR、P2.7 到SRAM 模块的OE、WE、CS。

2.将89S52 芯片插到80C51 MCU 模块的40P 锁紧插座中，请注意芯片的方向：缺口朝上。

3.将80C51 MCU 模块的电源扭子开关S1C 拨到上端，将SRAM 模块的电源短路帽J1A4 打到上 端，将静态数码显示模块的电源短路帽J1A6 打到上端。将直流稳压电源模块的直流控制开

关S1G1打到ON，本实验所用到的相关模块的电源指示灯VCC 亮。

4、编写程序实现把片内RAM40~49H单元中十个数据，传送到外部数据存储器7000~7009H单元中，然后翻读到片内RAM的50—59H单元中。

五：提示：

（1）通过程序在40H—49H单元中送入10个数。

（2）运行程序。通过Memory区域看存储器的内容.检查50H—59H单元的内容是否与40H—49H单元一致，如果一致则认为访问外部RAM成功。

六、实验报告

（1）画出试验中62256与单片机通讯的电路图，算出62256的地址空间

（2）给出程序及注释；