纳米科技导论-7-纳米材料应用

纳米材料应用

目前IC行业硅表面超微图形加工技术光刻 技术紫外光(193nm) 掩模版 光致抗蚀剂 光刻SiO2膜 衬底硅 衬底硅 衬底硅

涂光致抗蚀剂

曝光

显影

SiO2 衬底硅 衬底硅

去胶

腐蚀

光刻技术——IC产业的关键技术当前的光刻技术，采用193nm曝光波长，可实现大于 100nm线宽的图形。 下一代光刻技术，*157nm曝光，小于50nm线宽图形。 再下一代光刻技术，**126nm曝光。* 157nm曝光技术研究单位: 德国的Carl Zeiss公司 美国的劳伦斯· 利弗莫尔国家实验室、SVGL公司 日本的尼康公司 荷兰的ASML公司 ** 126nm曝光技术研究单位: 德国的Carl Zeiss公司 美国的劳伦斯· 利弗莫尔国家实验室

纳米量级结构的制作是纳米技 术的关键技术之一。 我国SPM系统在Au-Pd合金膜 表面上机械刻画出的最小线宽为 25nm。 用AFM机械刻蚀原 理刻写的亚微米尺 0 寸的唐诗

2

4

6

8

10mm

STM 技术在Si(111)面 上形成的“中国”字样。

最邻近硅原子间的距离 为0.4nm。