Cfwtcpe集成电路制造工艺原理(6)

Cfwtcpe集成电路制造工艺原理

测定；清楚的知道分离器件制造和集成电路制造对层错密度的要求有什么不同，而为什么集成电路制造对层错密度的要求更高。清楚外延层层错产生的原因及外延层层错的存在对器件性能的影响。知道凡是能产生一个错排原子的因素都是外延层层错产生的原因，能够列举导致外延层层错产生的所有因素，比如衬底表面的质量不合格、外延用的气体纯度不合格、外延时工艺条件控制出现失当以及外延系统的清洁度达不到器件生产要求等引起的外延层的层错产生；知道外延层层错的存在对器件性能的影响，了解外延层层错在工艺制造中可能产生影响原因，诸如杂质沿层错有增强扩散的作用，这对外延层层错穿过结的情况，将导致结的伏安特性曲线变软、导致浅结器件的集电区与发射区的穿通；了解由于层错处易吸附杂质的作用而导致电阻率的局部降落的原因；还必须知道由于外延层层错存在的随机性，将导致影响器件制造的稳定性和工艺质量的稳定性的事实与原因。

第二章 外延工艺原理作业：

思考题5个，习题5个

第三章： 氧化工艺 （7学时）

§3.1 二氧化硅膜的结构及其性质 3学时

课程内容：

§3.1.1 二氧化硅膜的结构

1 二氧化硅膜的基本结构单元

2 基本结构单元的连接形式

3 二氧化硅的结构形式分类

3.1 结晶形二氧化硅

3.2 无定形二氧化硅

§3.1.2 无定形二氧化硅的结构及特征

1 无定形二氧化硅的结构

1.1 结构松散、存在不均匀不规则的结构空隙

1.2 无定形二氧化硅中存在大量非桥联氧原子

2 无定形二氧化硅的特征

2.1 无定形二氧化硅的密度小

2.2 无定形二氧化硅无固定熔点

2.3 无定形二氧化硅的网络结合强度弱

2.4 无定形二氧化硅中极易引入杂质

2.4.1 本征无定形二氧化硅

2.4.2 非本征无定形二氧化硅

3 杂质在二氧化硅中的作用

3.1 两类杂质的定义

3.1.1 网络形成剂

3.1.2网络改变剂

3.2 网络改变剂在二氧化硅中的作用

3.2.1 使非桥联氧原子数目增加

3.2.2 影响器件电性能的可靠性及稳定性

3.3 网络形成剂在二氧化硅中的作用