CBM2090方案的培训资料

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一、CBM2090方案的基本介绍 CBM2090方案的基本介绍 二、CBM2090Flash兼容表 CBM2090Flash兼容表 三、CBM2090方案原理图 CBM2090方案原理图 四、CBM2090量产工具说明 CBM2090量产工具说明 五、CBM2090方案PCB Layout注意事项 CBM2090方案PCB Layout注意事项 方案 六、闪存盘的测试 六、CBM2090方案生产问题的分析 CBM2090方案生产问题的分析

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一、CBM2090方案的基本特点 CBM2090方案的基本特点CBM2090是在一款兼容USB2.0协议的，采用CISC 32位处理器，采用 0.18um工艺的Flash Disk Controller,它在原有CBM2080的基础上 对硬件架构和软件架构上都进行了改进，主要有以下特点： 1、有两种封装：48PIN TQPF封装(CBM2090)和64PIN LQFP封 装(CBM2090L),CBM2090最多可支持4片单DIE的FLASH; CBM2090L最多可支持8片单DIE的FLASH。 2、CBM2090与CBM1190(USB1.1芯片)PIN对PIN兼容。 3、内置5V转3.3V的LDO,并内置了Reset复位电路，一定程度上降 低了生产闪存盘的成本。 4、有两个FECN管脚，可以不用加反向器直接支持双DIE的FLASH, 另外还可以通过固件的方式引出两个片选信号来支持三星和HY 32Gbit的FLASH(含4个片选) 5、对于上电复位电路上增加了相关的检测电路，有效了改善了在 上盘过程中出现不能上盘的现象。上一页 下一页 回首页

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一、CBM2090方案的基本特点 CBM2090方案的基本特点6、可以支持同时支持8BIT和16BIT的NAND SLC和MLC,Renesas AG-AND和AND FLASH 7、已经通过USBIF认证，并且能够很好的支持EMI和眼图信号测试。 8、针对MLC速度慢的问题，有效的提高的拷贝文件的速度，在WINXP 下针对拷小文件速度慢的问题，只要打开磁盘优化功能，可以提高 很快的拷文件速度。 9、具有内部的UNIQUE ID号，有效的提高了数据加密在能力 10、具有4BYTE的ECC纠错能力，可以更好的支持DOWNGRADE的FLASH 11、不需要增加EEPROM就可以支持64MB以下的NOR FLASH。 12、对闪存盘可以进行写保护，防止闪存盘的数据被删除和格式化 除了以上比CBM2080有改进的地方外，CBM2090同样具有做加密盘、 分区盘、启动盘、AUTORUN盘的功能上一页 下一页 回首页

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Chipsbank U盘方案 盘方案Flash兼容性 盘方案 兼容性

*以软件升级方式灵活支持各类新闪存上一页 下一页 回首页

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兼容表及Flash的相关参数 二、Chipsbank Flash兼容表及 兼容表及 的相关参数注意事项： 注意事项：型号的FLASH; Toshiba的所 1、当使用Samsung K9F2808U0C_16MB、KM29U128(I)T_16MB型号的FLASH; Toshiba的所 当使用Samsung K9F2808U0C_16MB、KM29U128(I)T_16MB

型号的 有型号的FLASH 以及Hynix HY27US08561M_32MB; FLASH, SDTNFCH-512、 有型号的FLASH,以及Hynix HY27US08561M_32MB;SanDisk SDTNFCH-512、 SDTNGCHE0-1024、SDTNGCHE0-2048、SDTNGCHE0-4096等型号的FLASH时 等型号的FLASH PCB板上 SDTNGCHE0-1024、SDTNGCHE0-2048、SDTNGCHE0-4096等型号的FLASH时，在PCB板上 FLASH的第 脚需要接地。 的第6 FLASH的第6脚需要接地。 2、当使用Samsung K9W4G08U1_512MB、K9W8G08U1_1G、K9WAG08U1_2G、K9HAG08U1_2G以 当使用Samsung K9W4G08U1_512MB、K9W8G08U1_1G、K9WAG08U1_2G、K9HAG08U1_2G以 及Hynix HY27UB082G4M_256MB、HY27UU088G5M、HY27UV08AG5M等双片选(一个 HY27UB082G4M_256MB、HY27UU088G5M、HY27UV08AG5M等双片选( 等双片选 FLASH有两个CE脚 型的FLASH 有两个CE FLASH时 FLASH的第 的第6 脚需要短接) FLASH有两个CE脚)型的FLASH时，FLASH的第6、7脚需要短接)。 HN29V2G74WT-30_256MB、 PCB板需要重新 3、对于Renesas AG-AND HN29V2G74WT-30_256MB、AD512MQ_64MB ,PCB板需要重新 对于Renesas AGLAYOUT,不能与一般的NAND FLASH共用PCB板 共用PCB LAYOUT,不能与一般的NAND FLASH共用PCB板。 4、对于所有MLC 对于所有MLC 板。 FLASH如果要支持双贴时， FLASH如果要支持双贴时，都需要重新 如果要支持双贴时 LAYOUT,不能与SLC双贴的共 LAYOUT,不能与SLC双贴的共 SLC

5、除上述1,2,3,项以外型号的FLASH时，在PCB板上的第6脚和7脚的跳线不用接，具 除上述1 项以外型号的FLASH时 FLASH PCB板上的第6脚和7脚的跳线不用接， 板上的第 体的请参照芯邦方案的原理图。 体的请参照芯邦方案的原理图。 CBM2090对FLASH的兼容性，具体的请参考CBM2090 CBM2090对FLASH的兼容性，具体的请参考CBM2090 的兼容性 list。 Flash Support list。

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CBM2090方案应用原理图分类 方案应用原理图分类通用8Bit NAND( Die、 Die、 脚接地)、 )、单 AG★ 通用8Bit NAND(单Die、双Die、第6脚接地)、单Die AG-AND FLASH原理图 ★ 16Bit NAND FLASH原理图 ★ MLC 双贴串联原理图 ★ AG-AND双DIE原理图 AG-AND双DIE原理图 ★ WEBKEY 原理图 FLASH原理图 ★ NOR FLASH原理图

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CBM2090外围硬件电路的构成 外围硬件电路的构成SW1 SMD_SLIDE_SWRST_OUT FDATA0_7 FDATA0_6 FDATA0_5 FDATA0_4 FDATA0_3 FDATA0_2 FDATA0_1 FDATA0_0 FRB0 VDD50 U2 VDD33 1 2 3 4 330R 5 6 DP 7 DM 8 9 XI 10 XO 11 12 VDD50 VDD33 VDD18 VPP REXT VD33 DP DM VSS XI XO VSSU VSS RESET RST_OUT FDATA7 FDATA6 FDATA5 FDATA4 FDATA3 FDATA2 FDATA1 FDATA0 FRB0 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37

1 R15 WP 1K

2 3

VDD33

写保护开关： 写保护开关： 当WP=0时，写保护模式； 时 写保护模式； 当WP=1,正常模式。 ,正常模式。C2 100nF

VDD18

VDD33

R2

C3 1uF

C1 100nF

13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24

VDDU TEST_MODE FDATA15 FDATA14 VSS FDATA13 FDATA12 FDATA11 FDATA10 FDATA9 F

DATA8 LED

CLK_OUT RXD TXD INTR FRND FCEN0 CLKOFF VDD33 FCLE WP FALE FWRN

36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25

FCEN# FRB0 FRDN FCEN FCLE WP FALE FWRN

VDD33

2

1

CBM2090_48

VDD18 LED FDATA1_7 FDATA1_6 C8 C9 0.01uF

内置LDO、复位电路， 内置LDO、复位电路， LDO 提供两个片选FCEN、 提供两个片选FCEN、 FCEN FCEN#信号。 FCEN#信号。 信号

100nF

CBM2090/1190主控 主控IC 主控回首页

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FDATA1_5 FDATA1_4 FDATA1_3 FDATA1_2 FDATA1_1 FDATA1_0

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晶振、LED电路 晶振、LED电路

FB2、R11为提 、 为提

8Bit NAND Flash

USB接口部分 USB接口部分上一页 下一页 回首页

高抗EMI、ESD性能 、 高抗 性能 特别增加。 特别增加。

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16Bit NAND Flash

Flash,两片Flash Flash是 16Bit NAND Flash,两片Flash是 采用串联的方式 …… 此处隐藏：4022字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……