氧化铝陶瓷基片水基凝胶法低成本制备技术

14

材料导报

20 00

年

6月

第

14

卷第

6

期

氧化铝陶瓷基片水基凝胶法低成本制备技术陈大明(北京航空材料研究院.

北京

10 009 5 )

摘要,

研究成功了氧化铝陶瓷基片的水基凝胶法工业化生产技术其使用权价值经评枯为1 72 7.,

.

9 6

万元

.

以该

技术为基础组建成了淄博博航电子陶先有限责任公司汪册资。

金4 35 0万

元

,

现已正式投入生产

。

3年

内将达到年产 2 0列为

万平方米陶瓷基片的生产能力获得我国 1 9 9 9年度科技型中小企业创新基金第三批支持项目 1

0

万元无偿资助

即将启

动的50项

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计划重大产业化项目陶瓷丛片

之一

。

关键词

氧化铝

水丛凝胶法

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当前电子元器件的微型化集成化低噪声和多功能化

,

、

、

进} 1解决国际市场何年贸易额高达数十亿美元市场前景非_,

.

的发展

趋势进一步加速导致许多新型封装技术的相继问世、

,

。

常广阔

。

它们的主要特点是无引线 (或短引线 )片式化细节距和多引、

陶瓷基片生产的核心技术是高质量基片坏体的成型日

。

脚新型封装技术与片式兀件表面组装技术相结合开创 r新,

。

前国内外氧化铝陶瓷基片坯体的成型方法主要有两种轧膜法,

:

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代微组装技术作为微组装所用的陶瓷基片产业也因此迅。,、

,

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是流延法轧膜法生产效率很低且慕片坏体中环.

。

,

速发展起来在芯片封装和布线基片中已有氧化铝氧化被碳化硅氮化硅等陶瓷基片氧化被陶瓷热导率高 (一 2。、,,,、。

、

料和粘结剂不可避免地会出现定向排列烧结时单方向特别

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是横向收缩大易出现变形和开裂性能也会出现各向异性。.

,

.

,

口K )但其粉末毒性大生产成本高限制 r它的发展和应用国外,

这是轧膜法无法消除的问题国内曾有不少中位采用此法生

如日本等国已不生产

般也不用氧化被陶瓷基片碳化硅陶瓷基片(~ 2,

。

产陶瓷基片但因质量难以保证效果均不佳目前已不多用、

,

.

,

。

e I是在 S C粉末中添加少量 B O。

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以卜温热压制高,

流延法又称带式浇注法刮刀法等是关国切年代中期发明的

,

1 0成其热导率可达 2 7 W/口 K热膨胀系数与单晶硅匹配好但 n

技术于 194 7年获得第,

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个相关专利 (Gtr le

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其介电常数高 (~切 )介电损耗大 (一 0 0 5,

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击穿电压低 (一

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不适于高频高压下使用氮化铝陶瓷基片热导,

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该专利覆盖了成型平板陶瓷材料特别”。

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率高热膨胀系数与单晶硅匹配令人满意同时具有良好的机械性能和电学性能被认为是最有发展应用前景的基片材料.,,。,,,,

,

是用于电子和无线电领域一

19 67

年

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