传感器与检测技术复习资料(2)

C 、带相敏整流的交流电桥 D 、运算放大器电路

20、光敏三极管的结构，可以看成普通三极管的（C）用光敏二极管代替。

A、集电极 B、发射极

C、集电结 D、发射结

二、填空题

1、按能量角度分析，典型的传感器构成方法有三种，即以及型 ，前两者属于能量 转换型 ，后者是能量 控制型 。

2、将温度转换为电势大小的热电式传感器是而将温度变化转换为电阻大小的热电式传感器是 热电阻 （金属材料）或 热敏电阻 （半导体材料）。

3、光纤传感器由、和两大类，即 传光型 光纤传感器，也称为 非功能性 光纤传感器，另一类是 传感性 光纤传感器，也称为 功能型 光纤传感器，前者多使用 多模 光纤 ，而后者只能用 单模 光纤。

4、实际使用中的传感器，其特性要受到环境变化的影响，为消除环境干扰的影响，广泛采

用的线路补偿法包括 相同传感器 补偿型、 不同传感器 补偿型、 差动结构 补偿型。

5、电感式传感器也称为它是利用成线圈 自感系数 和 互感系数 的变化，再由测量电路转换为电压或电流的变化，从而实现非电量到电量的转换。

6、容栅传感器实际上是多个型电容传感器的并联，它具有均 效应，测量精度很高。

7、热电偶传感器的工作基础是，其产生的热电势包括电势和势两部分。热电偶的 连接导体 定律是工业上运用补偿导线法进行温度补偿的理论基础； 中间温度 定律为制定分度表奠定了理论基础；根据 中间导体 定律，可允许采用任意的焊接方式来焊接热电偶。

8、用于制作压电传感器的常用压电材料是和。

9、 在磁敏式传感器中，二极管 和 磁敏三极管 属于结型磁敏传感器。

10、为克服电容式传感器的边缘效应，可采用 减小极板厚度 方法和结构。

为消灭寄生电容的影响可采用 驱动电缆法 、 整体屏蔽法 以及采用 组合式与集成技术 方法。

11、基于外光电效应的器件有基于内光电效应的器件有敏电阻 、 光电池 、 光敏二极管 和 光敏晶体管 等。

12、传感器的输入输出特性指标可分为__静态_____和动态指标两大类，线性度和灵敏度是

传感器的___静态________指标，而频率响应特性是传感器的 动态 指标。

13．对传感器进行动态

14．传感器的过载能力是指传感器在不致引起规定性能指标永久改变的条件下，允许

超过 测量范围 的能力。

15．传感检测系统目前正迅速地由模拟式、数字式，向 智能化 方向发展。

16．已知某传感器的灵敏度为K0，且灵敏度变化量为△K0，则该传感器的灵敏度误差计算

公式为rs (△K0/K0)×100%

17．为了测得比栅距W更小的位移量，光栅传感器要采用 细分技术。

18．在用带孔圆盘所做的光电扭矩测量仪中，利用孔的透光面积表示扭矩大小，透光面积减

小，则表明扭矩 增大 。

19．电容式压力传感器是变极距(或间隙

20．一个半导体应变片的灵敏系数为180，半导体材料的弹性模量为1.8×105Mpa,其中压阻

－系数πL为 20.1×109Pa-1。

21．图像处理过程中直接检测图像灰度变化点的处理方法称为微分法

22．热敏电阻常数B大于零的是温度系数的热敏电阻。

23．若测量系统无接地点时，屏蔽导体应连接到信号源的对地低阻抗端(或接地端) 。

24．交流电桥各桥臂的复阻抗分别为Z1，Z2，Z3，Z4，各阻抗的相位角分别为

1、 2、 3、 4，若电桥平衡条件为Z1/Z4=Z2/Z3，那么相位平衡条件应为 1 3 2 4

25、导电丝材的截面尺寸发生变化后其电阻会发生变化，用这一原理可制成的传感器 称为_电阻应变式_______式传感器，利用有料具有磁致伸缩效应可制成的__压磁式________传感器也可用以测量力，而压电式传感器则利用了一些具有离子型晶体电介质的____压电_______效应，它敏感的最基本的物理量也是力。

26、热电式传感器中，能将温度变化转换为___电阻_______变化的一类称为热电阻，而能将温度变化转换为电势的称为__热电偶______，其中__热电偶_____式传感器在应用时需要做温度补偿(冷端补偿)。

27、旋转式编码器用以测量转轴的角位移，其中__绝对式编码器________在任意位置都有固定的数字编码与位置对应，线数为360线的增量式编码器分辨力为___1_________（角）度。

28、光电效应分为 和 两大类。

29、光纤的核心是由折射率 较大的纤芯 和折射率 较小的包层 构成的双层同心圆柱结构。

30、如果仅仅检测是否与对象物体接触，可使用作为传感器。

31、红外图像传感器由红外敏感元件和_电子扫描______电路组成。

dR32、在电阻应变片公式，=(1+2μ)ε+λEε中，λ代表_材料压阻系数______。 R

33、利用电涡流位移传感器测量转速时，被测轴齿盘的材料必须是_。

34、当磁头相对于磁尺不动时，仍有感应电动势输出的是静态磁头，且输出电势的幅值由_磁头所处的位置______所决定。

35、动态标定的目的，是检验测试传感器的_______指标。

36、确定静态标定系统的关键是选用被测非电量(或电量)的标准信号发生器和_标准测试系统______。

37、传感器的频率响应特性，必须在所测信号频率范围内，保持_______条件。

38、热电偶电动势由_电动势和接触电动势两部分组成。

39、SnO2型半导体气敏器件非常适宜检测浓度较_低______的微量气体。

40、有源滤波器由集成运放和组成。

41、采用_电源供电的电桥称为交流电桥。

42、多路模拟开关由__和多路双向模拟开关组成。

43、为了提高检测系统的分辨率，需要对磁栅、容栅等大位移测量传感器输出信号进行_分______。

44、若随机信号x(t)、y(t)的均值都为零，当τ→∞时，它们的互相关函数Rxy(τ)=___ 0____。

45、通常传感器由敏感元件、转换元件、基本转换电路三部分组成， 是能把外界非电量转换成电量的器件和装置。

46、金属丝在外力作用下发生机械形变时它的电阻值将发生变化，这种现象称应变效应；固体受到作用力后电阻率要发生变化，这种现象称压阻效应。直线的电阻丝绕成敏感栅后长度相同但应变不同，圆弧部分使灵敏度K下降了，这种现象称为横向效应。

47、差动变压器式传感器理论上讲，衔铁位于中心位置时输出电压为零，而实际上差动变压器输出电压不为零，我们把这个不为零的电压称为零点残余电压；利用差动变压器测量位移时，如果要求区别位移方向（或正负）可采用相敏检波电路。

48、把一导体（或半导体）两端通以控制电流I，在垂直方向施加磁场B，在另外两侧会产生一个与控制电流和磁场成比例的电动势，这种现象称霍尔效应，这个电动势称为霍尔电势。外加磁场使半导体（导体）的电阻值随磁场变化的现象成磁阻效应。

49、某些电介质当沿一定方向对其施力而变形时内部产生极化现象，同时在它的表面产生符号相反的电荷，当外力去掉后又恢复不带电的状态，这种现象称为正压电效应；在介质极化方向施加电场时电介质会产生形变，这种效应又称逆压电效应。

50、在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；入射光强改变物质导电率的现象称光电导效应；半导体材料吸收光能后在PN结 …… 此处隐藏：2534字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……