反相放大器如图1所示

反相放大器如图1所示

1、 反相放大器如图1所示，运放采用741，电源电压V+=+12V，V-=-12V，R1=10KΩ，R2=100KΩ。（1）当vi=0.5sin2π×50t（V）时，绘出输入电压vi、输出电压vo和输入电流ii 的波形；

（2）作出该电路的传输特性vo=f(vi)。

当vi=1.5sin2π×50t（V）时,绘出vi 、 vo 的波形；

R2VOFF = 0

VCC

图1

2、电路如图2所示，设电路中R1=12KΩ，R2=5KΩ，C=4uF，反相输入端与输出端之间并联一电阻R3=1MΩ，运放采用LF411。电容C的初始电压vc（0）=0，输入电压vI幅度为+5V～-5V，占空比为50%，频率为10Hz的方波，如图题2.4.13ｂ所示。试画出电压 vo 的波形；当R3=∞时，画出电压vo的。

反相放大器如图1所示

R2

C1V1 = -5V2 = 5TD = 0TR = 0.01uTF = 0.01uPW = 50mVCC

VCC1

图2

3、在室温(300K)情况下，若二极管的反向饱和电流为1nA，如图3所示，问他的正向电流

vD/nVT

-1)，其中为0.5mA时应加多大的电压？二极管采用指数模型iD=Is(e

-9

Is=10A,n=1,VT=26mA。

D1D1N4148

图3

4、求差电路如图4所示，运放选用741，电源电压V+=+V1=+15V，V-=-V2=-15V，R1=R2=10K，R4=R3=100K，输入信号电压vi1=0.1sin2×3.14 ×100t(v), vi2=-0.1sin2×3.14 ×100t(v)。（1）当输入信号电压vi1=0，加入 vi2 时，绘出 vi2 和输出电压vo1的波形；当输入信号电压 vi2= 0 ，加入vi1 时，绘出vi1 和输出电压vo2 的波形；当加入vi1、vi2 时，绘

（2）当vi1= -vi2=1.5sin2×3.14 ×100t(v), 绘出 出 （vi1-vi2 ） 和输出电压 vo3 的波形；

（vi1-vi2 ） 和输出电压 vo4 的波形 (3)作出该电路的传输特性vo=f(vi1-vi2)

反相放大器如图1所示

图4

5、 电路如图5所示。运放LF411的电源电压V+=+15V，V-=-15V，电容器C的初始电压Vc(0)=0.(1)当输入电压VI的幅度为1V，频率为1KHZ，占空比为50%的正方波时，求输出电压V0的波形；（2）去掉电阻R2，重复（1）的要求；（3）输入脉冲电压信号正向幅度为9V，宽度为10us，负向幅度为-1V。宽度为90us，周期T为100us，求输出电压V0的波形

反相放大器如图1所示

C1

V1 = 0V2 = 1TD = 0TR = 0.1uTF = 0.1uPW = 0.5m

图5

6、电路如图6所示，图中R=10kΩ，二极管选用1N4148,且Is=10nA，n=2。对于VDD=10v和VDD=1v两种情况下，求ID和VD的值，并与使用理想模型、恒降压模型和折线模型的手算结果进行比较。

D1N4148D2

图6

7、 一限幅电路如图7所示，R=1K，VREF=3V，二极管及参数仍与例3.6.1相同。（1）试绘出电路的电压传输特性V0=F(VI);（2）当vi=6sinwt(v)时，试绘出v0的波形，并与使用理想模型和恒压降模型分析结果相比较

反相放大器如图1所示

R1D2D1N4148

VOFF = 0VAMPL = 6FREQ = 1k

图7

8、共射极放大电路如图1所示。设两图中BJT均为NPN寻型硅管，型号为2N3904，β=50，Rc=3.3K，Re=1.3K,Rb1=33K,Rb2=10K,Rl=5.1K,Cb1=10uf,Cb2=10uf,Ce=50UF,Vcc=12v.试用

SPICE程序分析：（1）分别求两电路的Q点（2）作温度分析，观察当温度在-30到-70范围内变化时，比较两电路BJT的集电极电流Ic的相对变化。（3）.设信号源内阻Rs=0,BJT的型号为2N39.4,B=80,rbb`(rb)=100，.试分析电压增益的幅频响应和相频响应,并求fl和fH.。（4）试

（5）求电路的输入电阻Ri和输出分析Ce在1uF到100uF之间变化时,下限频率fL的变化范围。

电阻Ro。

反相放大器如图1所示

图8

9、仿真三极管Q2N2222的输出特性曲线。

10、电路如图10所示。设BJT的型号为2N2222，VCC=5V，Cb1=1uF，Rb=1MΩ，Rc=3.3kΩ，Rs=0及β=210。去掉Cb2和RL，负载电容CL=4F，直接接到BJT的集电极和地之间。当输入电压信号为-5mV～+5mV的正负方波，其周期分别为100ms和0.1ms时，求的vo波形。

反相放大器如图1所示

图10

11、电路如图11所示.设NMOS管T的参数为VT=0.8V,Kn=1mA/V2.电路其他参数为:VDD=VSS=5V,I=0.5 mA,Rd=7kΩ,Rg=200 kΩ,Cs=47uF输入信号采用振幅为10mV,频率为1KHz的正弦波.试用SPICE分析,研究沟道调制参数Υ对小信号电压增益的影响.

反相放大器如图1所示

VOFF = 0

Cs47u

图11

12、共栅极放大电路如图12所示,电路参数为IQ=1mA,VDD=VSS=5V,Rg=100kΩ,

Rd=4kΩ, RL=10KΩ.场效应管的T的参数为Vt=1v,Kn=1mA/V2,,Υ=0.(1)设输入电流为

3

100sin2∏×10t(uA),Rs=50k,求输出电压;(2)确定小信号电压增益、电流增益、输入电阻及输出电阻。

反相放大器如图1所示

Cb1Cb2RL

10K

IOFF = 0

FREQ = 1k

图12

13、CMOS共源放大电路如图13所示,将电流源IREF换成电阻RREF，设所有MOS管的│Vt│

-22

=0.8V,λ=0.01V1.NMOS管的Kn’=80μA／V,(W/L)T1=15;PMOS管的KP’=40μA／V, (W/L)T2,T3

=30,VDD=5V.试用SPICE分析(1)流过电阻RREF的电流为0.2mA时,确定电阻RREF阻值;(2)绘出电压传输特性曲线vo=f(vI),并求当vo位于中点时对应的vI值;(3)求小信号电压增益.

PARAMETERS:

Rval = 1k

图13

14、 场效应管共源极电路如图14所示,其中FET用JFET2N4393, VDD=20V,RG1=300KΩ, RG2=15K

反相放大器如图1所示

Ω, RG3=2MΩ, Rd=10KΩ, R=2KΩ, Cb1=1µF, Cb2=1µF,且外接负载RL=100KΩ(图中未画出).试运用SPICE进行如下分析计算:(1)求电路的静态工作点;(2)输入vi频率为1KHZ,幅值为10mV的正弦信号,观察vi和vo的波形;(3)求AV的幅频响应,频带宽度,输入电阻Ri和输出电阻Ro.

图14

15、 共源电路如图15所示,其中场效应管采用JFET2N3819.其他参数为: VDD=20V, RG1=500KΩ, RG2=20KΩ, RG3=5.1MΩ, Rd=30KΩ, R1=1KΩ, R2=10KΩ, C1=0.1µF, C2=4.7µF, C=100µF, 且外接负载RL=50KΩ(图中未画出). (1)求静态工作点;(2)设输入信号vi为f=1KHZ, 幅值Vim=10mV的正弦电压,试观测vi和vo的波形;(3) 求电压传输特性vo=f(vi).

反相放大器如图1所示

RL50k

图15

16、 差分式放大电路如图题16所示,电路参数为RC1=RC2=6.8KΩ,ro=100 KΩ,IO=2mA,VCC=VEE=12V,BJT选用2N3904,β=100,试用SPICE分析:(1)分别绘出Re1=Re2=0和Re1=Re2=10VT/IO=10×26mV／2mA=130Ω时,差分输入情况下vO1,vO2电压传输特性曲线;(2)

vO1单端输出的Ａvd1, ＡvC1和ＫCMR的值;(3)当IO=1 mA ,Re1=Re2=0.若β1=100,而βRe1=Re2=0时,

2=50,75,100,125,150时,求双端输出时差模电压增益和共模电压增益的变化;(4) 当IO=1 mA ,Re1=Re2=0,β1=β2=100, RC2不变,若RC1变化±20%时,求由T2集电极单端输出时Ａvd2和ＡVc2的变化.(注:仿真时Re1,Re2不能设为0值,可以用很小的值等效,如0.0001Ω)

反相放大器如图1所示

VCC

V2

图16 17、 带恒流负载的射极耦合差分示放大电路如图17所示,其中T1、T2、T5、T6采用2N3904，T3、T4采用2N390 …… 此处隐藏：3378字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……