王兆安第四版电力电子技术课后答案

第1章 电力电子器件

1. 使晶闸管导通的条件是什么？ uAK>0且uGK>0。

2. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？

答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：

答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。

要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近

3. 图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im，试

0?4?a)2?0?4?5?4b)2?0?2c)2?

图1-43 图1-43 晶闸管导电波形

1解：a) Id1=

2πI1=

???4Imsin?td(?t)=

??42Im?1)?0.2717 Im (

2π212??(Imsin?t)2d(?t)=

Im231??0.4767 Im 42?1b) Id2 =

πI2 =

???4Imsin?td(?t)=

?2Im?1)?0.5434 Im (2π1?2??(Imsin?t)d(?t)=4Im231??0.898 Im 22?1c) Id3=

2π??20Imd(?t)=0.25Im

?1I3 =

2??20Imd(?t)=0.5Im

24. 上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶闸管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少？这时，相应的电流最大值Im1、Im2、Im3各为多少?

解：额定电流I T(AV) =100A的晶闸管，允许的电流有效值I =157A，由上题计算结果知

I?329.35，

0.4767Ib) Im2??232.90,

0.6741a) Im1?

c) Im3=2 I = 314,

Id1?0.2717 Im1?89.48 Id2?0.5434 Im2?126.56

Id3=

1 Im3=78.5 45. GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？ 共基极电流增益?1和?2，由普通晶闸管的分析可得，?1+?2=1是器件临界导通的条件。?1+?2＞1，两个等效晶体管过饱和而导通；?1+?2＜1，不能维持饱和导通而关断。 面有以下几点不同：

1) GTO在设计时?2较大，这样晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断； GTO的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件； 区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。

6. 如何防止电力MOSFET因静电感应应起的损坏？

答：GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有

GTO之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO与普通晶闸管在设计和工艺方

2) GTO导通时的?1+?2更接近于1，普通晶闸管?1+?2?1.15，而GTO则为?1+?2?1.05，

3) 多元集成结构使每个GTO元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2极

答：电力MOSFET的栅极绝缘层很薄弱，容易被击穿而损坏。MOSFET的输入电容是低泄漏电应而引起的损坏，应注意以下几点：

① 一般在不用时将其三个电极短接；

② 装配时人体、工作台、电烙铁必须接地，测试时所有仪器外壳必须接地； ③ 电路中，栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高 ④ 漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。

7. IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？ 的驱动多采用专用的混合集成驱动器。

GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这并加反偏截止电压，以加速关断速度。

容，当栅极开路时极易受静电干扰而充上超过?20的击穿电压，所以为防止MOSFET因静电感

答：IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT

样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，

GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。

1

度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，

电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。

8. 全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？试分析RCD缓冲电路中各元件的作用。 件的开关损耗。

关断时，负载电流经VDs从Cs分流，使du/dt减小，抑制过电压。

9. 试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。 解：对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较如下表： 器 件 优 点 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉IGBT 冲电流冲击的能力，通态压降较低，开关速度低于电力MOSFET,电输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 电压、电流容量大，适用于大功率场GTO 合，具有电导调制效应，其通流能力很强 开关速度快，输入阻抗高，热稳定性电 力 MOSFET 好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 压，电流容量不及GTO 缺 点 答：全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压，du/dt或过电流和di/dt，减小器

RCD缓冲电路中，各元件的作用是：开通时，Cs经Rs放电，Rs起到限制放电电流的作用；

GTR 2

第2章 整流电路

载电流Id，并画出ud与id波形。

1. 单相半波可控整流电路对电感负载供电，L＝20mH，U2＝100V，求当α＝0?和60?时的负

解：α＝0?时，在电源电压u2的正半周期晶闸管导通时，负载电感L储能，在晶闸管开始导通时在电源电压u2的一个周期里，以下方程均成立：

刻，负载电流为零。在电源电压u2的负半周期，负载电感L释放能量，晶闸管继续导通。因此，

Ldid?2U2sin?t dt 考虑到初始条件：当?t＝0时id＝0可解方程得：

id?Id?12??=

2?02U2(1?cos?t) ?L2U2(1?cos?t)d(?t) ?L2U2

=2

?L

ud与id的波形如下图：

u20ud0id?2??2??t?t

当α＝60°时，在u2正半周期60?~180?期间晶闸管导通使电感L储能，电感L储藏的能量在u2负半周期180?~300?期间释放，因此在u2一个周期中60?~300?期间以下微分方程成立：

0?2??tLdid?2U2sin?t dt 考虑初始条件：当?t＝60?时id＝0可解方程得：

id?

2U21(?cos?t) ?L23

其平均值为

1Id?2???5?332U212U2

=11.25(A) (?cos?t)d(?t)=

2?L?L2 此时ud与id的波形如下图：

u2+0?ud+++?t?tid?t

吗？试说明：①晶闸管承受的最大反向电压为22U2；②当负载是电阻或电感时，其输出电压和电流的波形与单相全控桥时相同。

答：具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，该变压器没有直流磁化的问题。 波形对称，其一个周期内的平均电流为零，故不会有直流磁化的问题。

以下分析晶闸管承受最大反向电压及输出电压和电流波形的情况。 所以VT2承 …… 此处隐藏：1995字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……