吸收过程练习题(2)

[6]根据双膜模型，溶质从气相进入液相时，通过气液两虚拟膜层的阻力等效于吸收过程的总阻力。（对） [7]分子扩散的速率与扩散物质和介质的性质、传质面积、浓度差及扩散距离有关。（对 ）

8填料层高度计算中,对低浓度气体,当平衡线不为直线时,可用图解积分法或数值积分法求得(对)

[9]填料塔高度计算中,对低浓度气体,当平衡线为通过原点的直线时,可用对数平均推动力法或吸收因数法计算。(对 )

[10]当系统温度升高及总压强降低时,亨利常数E增大,而相平衡常数m不变。( 错 ) [11]当系统温度升高及总压强降低时,亨利常数E增大,相平衡常数m增大。( 对 ) [12]当系统温度升高及总压强降低时,亨利常数E减小,而相平衡常数m减小。( 错 ) [13]当系统温度升高及总压强降低时,溶解度常数H减小,相平衡常数m增大。( 对 ) [14]当系统温度降低及总压强增大时,溶解度常数H减小,相平衡常数m增大。( 错 ) [15]当系统温度升高及总压强降低时,溶解度常数H减小,相平衡常数m减小。( 错 )

[16]根据物料衡算可知,吸收操作线在X-Y图上为一条直线,直线的斜率即为吸收操作的液气比。(对 )

[17]填料塔中填放填料的目的是提供气液两相接触面积。吸收速率的大小与填料提供的比表面积大小有关，因此填料的比表面积越大,则吸收速率越大,吸收率也越高。( 错 )

[18]在填料吸收塔操作中,当在一定的气速下,增大单位吸收剂耗用量(即液气比)时,则出塔溶液的浓度就会下降,吸收的推动力也会减小,吸收率也随之降低。( 错 )

[19]在填料吸收塔的计算中,气相传质单元高度HOG为,气相传质单元数NOG为。( 对) [41]单位吸收剂耗用量(液气比)的大小对于吸收操作具有较大的影响。减小液气比虽提高了操作费用,并使塔底溶液浓度降低,但设备费用却随之减少;增大液气比则情况却正好相反。因此,最适宜的液气比应以操作费用和设备费用之和为最小进行优化选择。( 错 )

[42]根据双膜模型的基本假设,吸收过程的全部扩散阻力集中于气液界面两侧的虚拟静止膜层内,膜层之外的两相主体流体中不再存在任何扩散阻力,也就是说,虚拟膜层内的阻力等效于气液两相的全部扩散阻力。( 对 )

[43]吸收操作线方程在Y-X图中可标绘为一条直线,其斜率即为液气比FC/FB。FC/FB越大,吸收的推动力越大,出口溶液的浓度越低。 ( 对)

[44]在连续定常的吸收过程中,无论对溶解度小或对溶解度大的气体,吸收质通过气膜的传质速率必然等于吸收质通过液膜的传质速率 。( 对 )

[45]吸收过程中,对吸收质体积分数小于0.10的低浓度气体,x-y图中的操作线可近似用直线表示。(对) [46]吸收过程中,x-y图中的平衡线就是操作线。( 错)

[47]当平衡线为直线时,吸收塔的填料层高度计算,可以采用吸收因数法。此法不要求平衡线过原点,查图时准确性很高。(错 )

[48]吸收过程中,KG为总传质系数,它表征气相主体到气液界面的传质速率大小。( 错 )

[49]气体吸收过程的传质单元数由气、液两相的进出口浓度和相平衡方程所决定,而与吸收设备的型式和设备中气、液接触状况无关。(对 )

[50]单位吸收剂耗用量(液气比)的大小对于吸收操作具有较大的影响。最适宜的液气比应以操作费用和设备费用之和为最小进行优化选择。(对)

[51]一般填料塔的操作气流速度,应在载点气速和泛点气速范围内选择。对于一定型式的填料,载点气速和泛点气速将随喷淋密度的增大而变大。( 错 ) 二、选择(63小题,共126.0分)

[1]分子扩散系数D的单位是（ B ）

A、m·s-1 ; B、m2·s-1 ; C、kmol ; D、kmol·m-2·s-1 。 [2]如下列举各条中，哪一条不是双膜模型的基本假设？（ D ）

A、气、液界面两侧存在气膜层和液膜层; B、吸收质以分子扩散方式通过气膜层和液膜层; C、吸收质在两相界面上处于平衡状态;

D、易溶气体的溶解过程不存在液膜阻力，难溶气体的溶解过程不存在气膜阻力。 [3]根据双膜模型的基本假设，气液相之间的传质过程，其（ C ）

A、气相传质推动力为零; B、液相传质推动力为零;

C、相界面上的两相之间推动力为零; D、相界面上的两相之间推动力为大于零的常数。

[4]根据双膜模型的基本假设，固定相界面两侧的扩散阻力集中在两层虚拟的静止膜层之内，但对于易溶气体的吸收，则为（ A ）

A、气膜阻力远大于液膜阻力，属于气膜控制过程; B、气膜阻力远大于液膜阻力，属于液膜控制过程; C、气膜阻力远小于液膜阻力，属于气膜控制过程; D、气膜阻力远小于液膜阻力，属于液膜控制过程。 [5]根据双膜模型的基本假设，固定相界面两侧的扩散阻力全部集中在两层虚拟的静止膜层之内，但对于难溶气体的吸收，则为（ C ）

A、气膜阻力远大于液膜阻力，属于气膜控制过程; B、气膜阻力远大于液膜阻力，属于液膜控制过程; C、液膜阻力远大于气膜阻力，属于液膜控制过程; D、液膜阻力远大于气膜阻力，属于气膜控制过程。