半导体制造中常用化学品

半导体制造中常用化学品

半导体制造过程中常用的酸

名称 氢氟酸 盐酸 硫酸

缓冲氧化层蚀刻（BOE） 氢氟酸和氟化铵溶液

磷酸 硝酸

符号 HF HCl H2SO4 HF/ NH4F H3PO4 HNO3

用途

刻蚀二氧化硅（SiO2）以及清洗石英器皿 湿法清洗化学品，2号标准清洗液的一部分，

用来去除硅中的重金属元素 “piranha”溶液（7份H2SO4和3份30%的双氧水）

用来清洗硅片

刻蚀二氧化硅薄膜（SiO2） 刻蚀氮化硅（Si3N4） 用HF和HNO3的混合溶液来 刻蚀磷硅酸盐玻璃（PSG）

半导体制造过程中常用的碱

名称 氢氧化钠 氢氧化铵 氢氧化钾 氢氧化四甲基铵

符号 NaOH NH4OH KOH TMAH

用途 湿法刻蚀 清洗剂 正性光刻胶显影剂 正性光刻胶显影剂

半导体制造过程中常用的溶剂

名称 去离子水 异丙醇 三氯乙烯 丙酮 二甲苯

符号 DI water IPA TCE Acetone Xylene

用途

广泛用于漂洗硅片和稀释清洗剂

通用的清洗剂

用于硅片和一般用途的清洗溶剂 通用的清洗剂（比IPA更强）

强的清洗剂，也可以用来去除硅片边缘光刻胶

半导体制造过程中常用的通用气体

性质

名称/符号 氮气/N2

惰性

氩气/Ar 氦气/He

还原性 氧化性

氢气/H2 氧气/O2

用途

排出残留在气体配送系统和工艺腔中的湿气和残余气体，有时也作为某些淀积工艺的工艺气体

在硅片工艺过程中用在工艺腔体中 工艺腔气体，也用于真空室的漏气检查 外延层工艺的运载气体，也用在热氧化工艺中与

O2反应生成水蒸气等

工艺腔气体

半导体制造过程中常用的特种气体

性质

名称/符号 硅烷/SiH4 砷化氢/AsH3 磷化氢/PH3

氢化物

乙硼烷/B2H6

原硅酸四乙酯/

（TEOS）Si（OC2H5）4

用途

气相沉积工艺的硅源 n型硅片离子注入的砷源 n型硅片离子注入的磷源 p型硅片离子注入的硼源 气相沉积工艺的二氧化硅源 气相沉积工艺的硅源 等离子刻蚀工艺中的氟离子源

金属淀积工艺的钨源 等离子刻蚀工艺中的氟离子源 等离子刻蚀工艺中的氟离子源

工艺腔体清洁气体 p型硅片离子注入的硼源 金属刻蚀中所用氯的来源 p型硅片离子注入的硼源， 金属刻蚀中所用氯的来源 工艺腔体清洁气体和去污剂

工艺气体用来和SiH2Cl2反应生成淀积用的Si3N4

与硅反应生成二氧化硅的氧源

用在刻蚀工艺中

二氯硅烷/SiH2Cl2 三氟化氮/NF3 六氟化钨/WF6

氟化物

四氟甲烷/CF4 四氟化硅/SiF4 三氟化氯/ClF3 三氟化硼BF3

酸性气体

氯气/Cl2 三氯化硼/BCl3 氯化氢/HCl 氨气/NH3

其他

笑气（一氧化二氮）/N2O 一氧化碳/CO

硅片湿法清洗化学品

沾污

名称 piranha（SPW） SC-1（APW）

有机物

SC-1（APW）

配料

硫酸/过氧化氢/去离子水 氢氧化铵/过氧化氢

/去离子水 氢氧化铵/过氧化氢

/去离子水

分子式 H2SO4/H2O2/H2O NH4OH/H2O2/H2O NH4OH/H2O2/H2O HCl/H2O2/H2O H2SO4/H2O2/H2O

HF/H2O HF/H2O NH4F/ HF/H2O

颗粒

SC-2（HPW） 盐酸/过氧化氢/去离子水

金属（不含铜）

piranha（SPW） DHF DHF

自然氧化层

BHF

缓冲氢氟酸 硫酸/过氧化氢/去离子水

氢氟酸/水溶液 氢氟酸/水溶液

典型的硅片湿法清洗顺序

步骤 piranha清洗 UPW清洗（超纯水）

DHF清洗 UPW清洗 SC-1清洗 UPW清洗 DHF清洗 UPW清洗 SC-2清洗 UPW清洗 DHF清洗 UPW清洗 干燥

目的 有机物与金属

清洗 自然氧化层 清洗 颗粒 清洗 自然氧化层 清洗 金属 清洗 自然氧化层 清洗 干燥