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电子密码锁课程设计 - 图文(2)

来源:网络收集 时间:2026-07-10
导读: 华北科技学院课程设计报告 图3.1.1 编码电路电路图 由于74LS147为低电平有效,所以开关在开始时是置于高电平的,状态转换采用单刀双掷开关,A、B、C、D为输出端。 4.1.2 元器件功能介绍 本电路使用了一个74LS147芯

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图3.1.1 编码电路电路图

由于74LS147为低电平有效,所以开关在开始时是置于高电平的,状态转换采用单刀双掷开关,A、B、C、D为输出端。 4.1.2 元器件功能介绍

本电路使用了一个74LS147芯片(10线-4线优先编码器),1K电阻和开关各九个。1K电阻起分压保护作用,开关起信号选择作用。

本电路每次输入信号经74LS147编码把输入端的10个输入信号编译为4个编码信号用于储存。

当如图第一个单刀双掷开关打到下方,而其他的开关都打在上方的时候,由于该编码器是低电平有效,则此时输入端1为低电平为有效位,其他均为无效。再由于输出也为低电平有效,则按照理论可得输入端A为低电平,其他位为高电平。利用逻辑分析仪进行仿真,仿真结果如下图所示:

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图3.1.2 编码电路仿真结果图

图中的46,1,2,3分别接入的是编码器输出端A,B,C,D。 由图可知,理论分析和仿真结果一致。故可知密码输入电路设置正确。

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3.2 密码设置电路

3.2.1 密码设置电路设计

R181.00kOhm_1%R191.00kOhm_1%R201.00kOhm_1%VCC6VR211.00kOhm_1%J13Key = FJ11Key = SJ12Key = DJ10Key = A

图3.2.1 密码设置电路

3.2.2 元器件功能介绍

密码设置电路由四个1K电阻和四个单刀双掷开关组成,当开关向上拨为高电平,当开关向下拨为低电平,从而实现内部密码的修改,可实现16组密码的修改。

其中,电阻起到分压的作用。

3.3 密码验证电路

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3.3.1 密码验证电路设计与仿真

SENOR2AENOR2U10A74LS21DDENOR2FENOR2

图3.3.1 密码验证电路

3.3.2 元器件功能介绍

此部分是实现熟知的比较功能,当输入密码与内置密码不同时,输出“0” 为低电平。当输入密码正确时,输出“1”为高电平。此功能可由芯片74LS85(四位比较器)替换,但由于设计未找到此芯片,所以采用上述方法实现同一功能。 3.3.3 仿真电路图及分析

为了检验密码验证电路的正确性,特意将前面介绍过的密码输入和密码设置以及密码验证电路三个电路组成模块,进行仿真。仿真图如下所示:

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图3.3.3 密码验证仿真电路图

由图所知,密码设置为6,而密码输入为1,故两者不同。因此按照理论应当输出低电平。仿真结果图如下所示:

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