用单片机实现对SST39VF040的操作

AT89C51对SST 之FLASH的编程操作详述

Flash又名闪存，属于EEPROM,即电可擦除可编程的存储器。由于具有电可擦除的特性，并且其数据可保留上百年，所以它的应用范围非常广泛。非常适用于作为MicroChip以及DSP的外部程序存储器，或者作为需要存储大量数据的外部EEPROM。

SST公司设计之39系列Multi-Purpose Flash，按照其存储的空间主要分以下

几种：64K x8/128K x8/256K x8/512K x8 Byte，各自代表的芯片型号有：

39系列Flash之特性: SST39LF512/010/020/040工作电压为3.0-3.6V； SST39VF512/010/020/040工作电压为2.7V~3.6V；数据保留时间>100年；工作电流典型值为10mA，待机电流为1uA；快速擦除芯片时间为70ms，字节编程时间为14us。对芯片有如下操作：chip Erase operation ；sector Erase operation ；byte program operation ；byte read operation ；write operation status detection 。通过软件对芯片的操作可以访问到SST 制造商的ID；以及芯片的ID，各芯片ID如下表：

TABLE 1: PRODUCT IDENTIFICATION

Manufacturer’s ID Device ID SST39LF/VF512 SST39LF/VF010 SST39LF/VF020 SST39LF/VF040 Address 0000H 0001H 0001H 0001H 0001H Data BFH D4H D5H D6H D7H 注意：当通过软件访问了Product Identification后，必须采用软件命令退出该模式才能对芯片进行擦除、读写的操作.

下面给出各软件操作指令的时序图：

1. WE控制的字节编程时序：

2.CE控制的字节编程时序图：

3. 编程操作的状态检测时序图：

4.WE控制的扇区擦除时序图：

5. WE控制的芯片擦除时序图：

6. 软件访问ID的时序图：

7. 退出软件访问ID&复位命令的时序图：

根据上面的时序图，下面给出各种软件指令操作的流程图：

1．字节编程流程图：