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QX5243降压恒流驱动芯片内置MOS管

来源:网络收集 时间:2026-09-10
导读: QX5243降压恒流驱动芯片内置MOS管 高端电流检测2MHz高亮度LED驱动器 概 述 QX5243 是一款降压、恒流、高效率的高亮度LED驱动器。通过外接一个电阻设定输出电流,通过DIM引脚实现辉度控制功能,输出驱动电流最大可达800mA。QX5243特别适合宽输入电压范围的应用

QX5243降压恒流驱动芯片内置MOS管

高端电流检测2MHz高亮度LED驱动器

概 述

QX5243 是一款降压、恒流、高效率的高亮度LED驱动器。通过外接一个电阻设定输出电流,通过DIM引脚实现辉度控制功能,输出驱动电流最大可达800mA。QX5243特别适合宽输入电压范围的应用。高端电流检测达到±5%的电流精度,同时只需很少的外接元件。由于采用滞环控制方式,QX5243对负载瞬变具有非常快的响应速度,对输入电压具有高的抑制比。电感电流纹波为20%。最高工作频率可到2MHz。工作温度范围从-40℃到125℃。采用SOP-8封装。

特 性

最大输出驱动电流可达800mA 高端电流检测 辉度控制

最大20KHz辉度控制频率 滞环控制:无需补偿 高达2MHz工作频率 ±5%电流精度 恒流输出

5.5V到36V输入电压 5V,2mA片上稳压器

-40℃到125℃工作温度范围 SOP-8封装

应用

·建筑、工业、环境照明 ·汽车尾灯、雾灯、RCL、DRL

·指示灯、应急灯

·MR16 及其它LED 灯

管脚分配

典型应用电路典型应用电路

QX5243降压恒流驱动芯片内置MOS管

方框图

管脚描述

管脚序号

1 2 3 4 5 6 7 8

管脚名 VSSM VSSD N.C DIM VCC VIN CSN LX

功能描述 电源模拟地 电源数字地 悬空不接 辉度控制端 LDO输出端 电源输入端 电流检测端 内置功率管的漏极

极限参数

符号 符号 VMAX

参数 参数

IC各端极限电压

IC各端极限电流(VIN,VCC,

IMAX

LX除外)

TOPR 工作温度范围 TSTG 存贮温度 PMAX 持续消耗功率

抗静电电压(人体模式)

数值值数值值 40 20 -40 ~ +125 -65 ~ +150 1454 2000

单位 单位 V mA ℃ ℃ mW V

QX5243降压恒流驱动芯片内置MOS管

电气特性

符号 VIN fsw IGND IIN UVLO HYSUV

电流检测比较器 VSNSHI VSNLO tDPDH tDPDL ICSN CS-HYS 辉度控制 fDIM

参数描述 输入电压范围 开关频率 接地端电流 输入电流 欠压保护 欠压保护迟滞 检测电压高端 检测电压低端 输出高电平的传输延迟 输出低电平的传输延迟 电流检测比较器输入电流 电流检测阈值电压迟滞

最大DIM频率

条件

DRV and LX open VDIM < 0.6V

VIN=VCSN=VDIM, VIN falling from 6V,VDRV < 0.5V

(VIN-VCSN) rising from 0V until VDRV<0.5V

(VIN-VCSN) falling from 0.26V until VDRV >(VCC - 0.5V)

最小 典型 最大 单位 5.5 36 V 2 MHz 5 mA 400 uA 2.8 4.5

4.5 0.5 240 160 80 80 5 40 200 100 100 500 4 11 -35 350 0.4 0.5

5.0 20 0.6 10 5.5 800

V V mV mV ns ns uA mV KHz V V mV ns ns uA K V mV dB us mA uA

VCSN = VIN, increase DIM until

VIH DIM输入高电平

VDRV >(VCC - 0.5V)

VIL DIM输入低电平

VDRV < 0.5V

DIM-HYS DIM迟滞

DIM rising edge to VDRV = 0.5

tDIMON DIM导通时间

x VCC,CDRV = 1nF

DIM falling edge to VDRV = 0.5

tDIMOFF DIM关断时间

x VCC,CDRV = 1nF

IDIM VDIM = 0 DIM输入低电平的漏电流 RDIM DIM对内部工作电压上拉电阻 LDO 特性

IVCC=0.1mA to 5mA, VIN=

LDO VCC

5.5V to 36V

IVCC=0.1mA to 5mA, VIN=

负载调整特性

12V

VIN = 6V to 36V, IVCC = 5mA 电源调整特性

VIN=12V, IVCC=2mA, fIN=

PSRR 电源抑制比

10kHz

VCC = 0 to 4.5V tSTRAT 启动时间

功率开关

VIN =24V

RSW 导通电阻

QX5243降压恒流驱动芯片内置MOS管

典型效率输出曲线图 LDO LDO 特性曲线典型效率输出曲线图LDO 特性曲线

QX5243降压恒流驱动芯片内置MOS管

封装信息

SOP-8

unit: mm

1.选择电阻RSENSE 设定输出电流

输出电流通过连接在VIN,CSN 之间的电阻RSENSE 来设定。输出电流计算公式为:

0.2

ILED=

RSENSE

2.电感选择

电感的大小会影响工作频率。电感越小工作频率越高。工作频率的计算公式为:

VIN n×VLED)×n×VLED×RSENSE(fSW=

VIN× V×L

其中n 是LED 的个数,VLED 是一个LED 的前向导通电压, ΔV =(VSNSHI VSNSLO) 3.辉度控制

DIM 引脚是辉度控制输入端。DIM接高电平时DRV 按照一定的占空 DIM接低电平时DRV输出低电平,比正常输出开关信号。如果不需辉度控制功能则将DIM端悬空。

应用指南

QX5243降压恒流驱动芯片内置MOS管

4. LDO 输出端

LDO 的输出端VCC 需接一个大于等于1uF 的电容。LDO 可提供最大5mA 的输出电流。 5.输入滤波电容

电源输入端VIN 需接47至100uF的滤波电容, 电容的耐压值应高于最大输入电压。 6.电源地

模拟地VSSM和数字地VSSD应该分别走线,最后都连到VIN端的输入滤波电容的接地脚上

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